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UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

作者:时间:2012-03-15来源:网络收藏
1 引言

  随着电力电子技术的发展,各种新型的驱动芯片层出不穷,为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路,外围电路大大减少,使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁,.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321就是一种外围电路简单,高效,快速的驱动芯片。


2 UCC27321的功能和特点

  TI公司推出的新的MOSFET驱动芯片能输出9A的峰值电流,能够快速地驱动MOSFET开关管,在10nF的负载下,其上升时间和下降时间的典型值仅为20ns。工作电源为4—15V。工作温度范围为-40℃—105℃。图1给出了芯片的内部原理图,表1为输入、输出逻辑表。表2为各个引脚的功能介绍。

  UCC27321的ENBL是给设计者预留的引脚端,为高电平有效(见表1)。在标准工业应用中,ENBL端经100K的上拉电阻接至高电平。一般正常工作时可以悬空。为求可靠,也可将其接至输入电源高电平,低电平时芯片不工作。通过对ENBL的精心设置可以设计出可靠的保护电路。

  UCC27321的输出端采用了独特的双极性晶体管图腾柱和双MOSFET图腾柱的并联结构,能在几百纳秒的时间内提供高达9A的峰值电流并使得有效电流源能在低电压下正常工作。

  当输出电压小于双极性晶体管的饱和压降时,其输出阻抗为MOSFET的Ron。当驱动电压过低或过冲时,输出级MOSFET的体二极管提供了一个小的阻抗。这就使得在绝大多数情况下,无须在输出脚6、7与地之间额外地增加一个肖特基二极管。

  UCC27321在MOSFET的弥勒高原效应转换期间能获得9A的峰值电流。UCC27321内部独特的输出结构使得放电能力比充电能力要强的多。充电时电流流经P沟道MOS,放电时电流流经N沟道MOS,这就使得这种芯片的驱动关断能力要比其导通能力强,对防止MOSFET的误导通是很有利的。




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