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一种新型的nA量级CMOS基准电流源

作者:时间:2013-04-25来源:网络收藏

是指在模拟集成电路中用来作为其他电路电流基准的高精度、低温度系数的电流源[1]。作为模拟集成电路的关键电路单元,被广泛应用于振荡器、PLL、运算放大器、A/D转换器等电路中。而在低功耗应用领域,是模拟电路必不可少的基本部件,它的性能直接影响着电路的功耗、电源抑制比、开环增益以及温度等特性。本文提出了一种结构比较新颖的基准电流源电路,具有较低的温度系数和较高的电源抑制比。此外,该电路不需要采用电阻,大大节省了芯片的面积。
1 传统基准电流源
基准电流通常由一个基准电压作用在一个合适的电阻上得到[2],图1所示的电路[3]是一种应用最普遍的基准电流源,它由MOS管和电阻构成,通过向电阻上施加一个合适的电压获得理想的电流值,其产生的基准电流Iref为:
一种新型的nA量级CMOS基准电流源
一种新型的nA量级CMOS基准电流源
一种新型的nA量级CMOS基准电流源
电路三部分组成。其中,晶体管M8、M9和电容C构成了一个简单的启动电路,用以消除上电过程中电路中存在的“简并”偏置点[3]问题;Mn1、Mn2、Mp1、Mp2 4支管组成一个简单的差分输入、单端输出的运算放大器,用以提高基准电流源的电源抑制比;剩余管构成了基准电流源电路的主体电路。
4 仿真结果分析
基于TSMC 0.18 μm 厚栅工艺, 在Cadence Spectre下对电路进行了仿真,分别获得了基准电流源的温度特性曲线和电源电压特性曲线。图5是电源电压为2.5 V、输出电流为46 nA时得到的温度特性曲线,在
-40 ℃~85 ℃的温度范围内,基准电流仅有1.5 nA的偏差,温度系数为24.33 ppm/℃。在室温下,基准电流随电源电压变化的特性曲线如图6所示。可以看到,在1.8 V~3.3 V的输入电压范围内,输出电流大约变化0.02 nA, 输出电流变化率仅为0.028 9%/V。在频域分析中,该电路也表现出了良好的性能,如图7所示,其在低频段的PSRR最大可以达到-85 dB。

一种新型的nA量级CMOS基准电流源

本文提出了一种新颖的基准电流源。该电路不需要使用电阻,大大节省了芯片面积。仿真结果显示,该电路的温度系数为24.33 ppm/℃,输出电流变化率仅为0.028 9%/V, PSRR为-85 dB,电路消耗的总电流小于200 nA。该电路已成功应用在ETC唤醒接收机中的OSC中,并可望应用于对温度特性和电源电压调整率有严格要求的模拟/混合系统中。
参考文献
[1] 何乐年,王忆.模拟集成电路设计与仿真[M].北京:科学出版社,2008.
[2] De La Plaza A.Nanoampere supply independent low-voltage current reference[C].Marrakeeh:IEEE 2011 Faible Tension Fabile Consommation(FTFC),2011:9-11.
[3] 毕查德·拉扎维,著.模拟集成电路设计[M].陈贵灿,程军,张瑞智,等译.西安:西安交通大学出版社,2003.
[4] HENRI J O,DANIEL A.CMOS current reference without resistance[J].IEEE Solid-State Circuits,1997,32(7):1132-1135.
[5] BUCK A E,MCDONALD C L,LEWIS S H,et al.A CMOS bandgap reference without resistors[J].IEEE Solid-State Circuits,2002,37(1):81-83.
[6] Wang Yi,He Lenain,Yan Xiaolang.All CMOS temperature,supply voltage and process independent current reference[C].IEEE International Conference on ASIC,2007:600-663.
[7] VITTOZ E,FELLRATH J.CMOS analog integrated circuits based on weak inversion operation[J].IEEE Solid-State Circuits,1977,12(3):224-231.



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