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内存条芯片参数

作者:时间:2012-04-03来源:网络收藏

整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下:

1. HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。

2. 内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM)

3. 处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V VDDQ=1.8V)

4. 芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)

5. 芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)

6. 内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)

7. 接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
8. 内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)

9. 能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型)

10. 封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))

11. 封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=MT;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))

12. 封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)

13. 速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)

14. 工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))

由上面14条注解,我们不难发现,其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义,就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字,它将明确的告诉消费者,这款内存实际的最高工作状态是多少。假如,消费者买到一款这里显示为L的产品(也就是说,它只支持DDR 200的工作频率),那么就算上贴的标签或者包装盒上吹的再好,它也只是一款低档产品。

常见SDRAM 编号识别


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关键词: 内存条 芯片参数
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