铠侠第九代BiCS FLASH™ 512Gb TLC存储器开始送样

全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样（1）。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升 AI 系统 GPU 性能的应用。

为应对尖端应用市场的多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将继续推行“双轨并行”策略，即：

●   第九代BiCS FLASH™产品： 采用 CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术^（2），将现有的存储单元技术^（3）与最新的 CMOS 技术相结合，在降低生产成本的同时实现卓越性能。

●   第十代BiCS FLASH™产品：通过增加存储单元的堆叠层数，满足未来市场对更大容量、更高性能解决方案的需求。

全新的第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 基于第五代 BiCS FLASH™ 技术的 120 层堆叠工艺与先进的 CMOS 技术开发而成。与铠侠现有的相同容量（512Gb）的 BiCS FLASH™ 产品（4）相比，其性能实现了显著提升，包括：

●   写入性能：提升 61%

●  读取性能：提升 12%

●   能效：写入操作能效提升 36%，读取操作能效提升 27%

●   数据传输速度：支持 Toggle DDR6.0 接口，可实现高达 3.6Gb/s 的 NAND 接口传输速率

●   位密度：通过先进的横向缩放技术提升 8% 位密度

此外，铠侠确认，在演示条件下，该 512Gb TLC 的 NAND 接口速度可达 4.8Gb/s。其产品线将根据市场需求确定。

铠侠始终致力于深化全球合作伙伴关系，并持续推动技术创新，为客户提供满足其多样化需求的最佳存储解决方案。

（1）这些样品仅用于功能检测，样品规格可能因量产部件而异。

（2）CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术是指CMOS晶圆和单元储存阵列晶圆都在更优的条件下单独制造然后键合在一起的技术。

（3）112 层堆叠的第五代 BiCS FLASH™ 技术和 218 层堆叠的第八代 BiCS FLASH™ 技术。新的第九代 BiCS FLASH™ 产品将根据型号分别整合这两种技术之一。

（4）第六代 BiCS FLASH™，将沿用此款 512Gb TLC 产品。

（5）1Gbps按1,000,000,000 bits/s计算。该数值是在铠侠株式会社的特定测试环境中获得，可能会因用户环境的不同而改变。

注：

●   在每次提及铠侠产品：产品密度是根据产品内存储芯片的密度来确定的，而不是最终用户可用于存储数据的存储器容量。消费者可使用的容量会因开销数据区域(overhead data areas)、格式化、坏块和其他限制而变少，而且也可能因主机设备和应用程序而变化。如需了解详情，请参考适用的产品规格。1Gb=2^30位=1,073,741,824位。

●   这些数值是在铠侠株式会社的特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证在个别设备中的读写速度。读写速度可能取决于所使用的设备和所读取或写入的文件大小。

●   所有公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。