MOS 管的死区损耗计算

MOS 管在逆变电路，开光电源电路中经常是成对出现，习惯上称之为上管和下管，如图Figure 1中的同步Buck 变换器，High-side MOSFET　为上管， Low-side MOSFET为下管．

如果上管和下管同时导通，就会导致电源短路，ＭOS 管会损坏，甚至时电源损坏，这种损坏是灾难行动，必须避免．由于MOS 的开通和关断都是有时沿的，为了避免上管和下管同时导通，造成短路现象，从而引入了死区的概念，也就是上下管同时关断的区间，如图Figure2 中的E 和 F.

死区E---tDf: 上管关断，下管还没开启，下管体二极管续流，电流从最大值Io + ΔI/2 开始下降，由于死区时间很短，工程上计算可以近似为死区E的电流恒定，以方便计算。

死区Ｅ对应的功耗为：

死区Ｆ---tDr: 下管关断，上管还没开启，下管体二极管续流，电流接近最小值Io - ΔI/2 ，由于死区时间很短，工程上计算可以近似为死区F的电流恒定，以方便计算。

死区Ｆ对应的功耗为：

工程上快速估算时，也会用把两个死区的电流平均化，近似用Io替代，　一个完整的开关周期的死区损耗如下：