俄罗斯7纳米惊人突破 泄国产EUV曝光时间

俄罗斯企图打破艾司摩尔（ASML）先进半导体设备独占地位！俄媒消息指出，俄罗斯号称开发出可取代曝光机的芯片制造工具，甚至发下豪语，将于2028年研发出可生产7纳米芯片的曝光机，还可击败ASML同类产品。俄国目前普遍使用20年前的65纳米制程，正在兴建28纳米晶圆厂。

俄罗斯国际新闻通讯社（俄新社）报导，圣彼得堡理工大学研发出一种「国产曝光复合体」，可用于蚀刻生产无掩模芯片，将有助于解决俄罗斯在微电子领域的技术主权问题。

科学家表示，这款芯片制造设备成本为500万卢布（约台币161万元），而另一种工具的成本未知。

研究人员指出，相较于传统曝光技术需要专门掩膜板来获取影像，这款装置更为经济、便利，透过专业软件控制，实现完全自动化。该发明是「各种微电子装置运行」所需的「纳米结构」工艺分两阶段进行，首先使用基础掩模曝光机，然后利用硅等离子化学蚀刻机。

而另一款设备可直接形成纳米结构或制作硅膜，如用于舰载超压传感器。

俄罗斯目前使用最普遍的技术是20年前的65纳米制程，但现在正积极兴建28制程晶圆厂。

Tom's Hardware此前报导，俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构（Novgorod Strategy Development）宣称2028年将开发出可生产7纳米芯片的曝光机，并击败ASML同类产品，即ASML Twinscan NXT：2000i DUV。

俄罗斯科学院纳米结构研究所副所长Nikolai Chkhalo表示，近20年来ASML致力于发展EUV（极紫外光）曝光机，目标是让顶尖半导体厂商保持极高的生产效率，但俄罗斯并不需要，只要根据国内的需求向前推进即可。