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Nexperia的USB4 ESD二极管件实现了保护和性能的出色平衡

—— 基于TrEOS的保护技术可提供行业领先的插入损耗和回波损耗,有助于满足有限的系统预算要求
作者:时间:2022-06-16来源:EEPW收藏

基础半导体器件领域的专家今日宣布推出两款经优化的静电放电()保护,适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。P2V8Y1BSF专为保护 (Thunderbolt)接口而设计,而P4V0Y1BCSF可适用于以及HDMI 2.1。这两款产品均使用的成熟TrEOS技术,集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202206/435214.htm

 

重定时器和信号中继器是设计高速接口常用的器件。它们需要电路板走线更短,从而降低寄生电感,但也会意外地降低整体系统级ESD稳健性。PESD2V8Y1BSFPESD4V0Y1BCSF较低的超快传输线路脉冲(vfTLP)峰值钳位电压,甚至低于标准I(V) TLP曲线中无明显的触发电压的USB4保护解决方案。这有助于补偿保护器件和重定时器之间减少的电感,从而提高整体系统级ESD稳健性。为达到ESD的预算损耗建议值,这两款器件均可提供超低插入损耗(10 GHz下为-0.29 dB)和回波损耗(10 GHz下为-20.6 dB)。与其他解决方案不同的是,电容不会随工作电压增加,可提供完整的RF性能直到反向截止电压。

 

相较于其他ESD保护PESD2V8Y1BSFPESD4V0Y1BCSF可直接放置在所保护器件的连接器旁边,因此可提供更大的设计灵活性。这意味着交流耦合电容也会受到保护。此外,它将大部分线路电感置于ESD保护和被保护器件之间,以优化系统的ESD性能。高级产品经理Stefan Seider表示:“Nexperia通过提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件,帮助设计工程师在预算有限的情况下,满足高速USB4数据线的插入损耗和回波损耗要求。这两款器件在优化系统级ESD稳健性和RF性能之间实现了出色的平衡。”

 

为了向下兼容可通过USB Type-C连接的旧接口标准(如USB3.2),PESD2V8Y1BSF设有2.8 V的反向截止电压VRWM,而PESD4V0Y1BCSFVRWM4 V,因此还可适用于HDMI 2.1。两款器件均使用TrEOS技术,其RF性能在动作电压范围内均不会下降。除了USB4HDMI 2.1以外,两款器件还可用于保护PCIeDisplayPort接口。

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