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嵌入式核心板开发之ESD静电保护

  • 在电子产品开发中ESD静电防护是不可或缺的一环,下面就为大家简单介绍一下,核心板产品开发时有用的ESD二极管知识和技巧。ESD管的介绍ESD(Electrostatic Discharge Protection Devices),静电保护元器件,又称瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件,主要应用于各类通信接口静电保护,比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等
  • 关键字: ZLG  嵌入式  ESD  

Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品,即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带,浪涌抗扰度出众,出众的IEC61000-4-5浪涌等级。 Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示:“Nexperia开发了TrEOS产品组合,专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt
  • 关键字: Nexperia  高速数据线  TrEOS  ESD  保护器件  

实验出真知!可充分发挥ESD保护元件性能的电路设计

  • TDK的多层贴片式压敏电阻产品阵容齐全,可保护设备因受ESD(静电放电)影响而引发的故障和误动作,能帮助客户有效解决ESD问题。但随着用户设备的小型化、轻量化和高功能化,以前效果出众的多层贴片式压敏电阻产品也出现了无法充分发挥保护效果的情况。为了查明原因,我们以客户设备的小型化为前提进行了ESD实验,本期推文就来为您详细介绍通过此次实验得出的各数据与结果。5G技术的发展实现了设备之间的相互协作和实时通信,也对设备的设计提出了更高的要求,比如更小、更轻、更低功耗、更高功能、长期运行、高可靠性、更高的EMC耐
  • 关键字: TDK  ESD  

经典解析静电放电(ESD)原理与设计-静电来源及保护方法-KIA MOS管

  • ESD,是静电放电(Electrostatic Discharge)是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。ESD是一种常见的近场危害源,可形成高电压,强电场,瞬时大电流,并伴有强电磁辐射,形成静电放电电磁脉冲。静电的来源在电子制造业中,静电的来源是多方面的,如人体、塑料制品、有关的仪器设备以及电子元器件本身。人体是最重要的静电源,这主要有三个方面的原因:1、人体接触面广,活动范围大,很容易与带有静电荷的物体接触或摩擦而带电,同时也有许多机会将人体自身所带的电荷转移到器件上或者通过器件
  • 关键字: ESD  静电放电  

基本ESD模型及功能参数

  •   将一个电容充电到高电压(一般是2kV至8kV),然后通过闭合开关将电荷释放进准备承受ESD冲击的“受损”器件(图1)。电荷的极性可以是正也可以是负,因此必须同时处理好正负ESD两种情况。  (1)HBM(Human Body Model),人体放电模型;  指带电荷的人体与集成电路产品的管脚接触并发生静电荷转移时,产生的ESD现象。  人体等效电阻约1500欧姆,等效电容值为lOOpF,Ls与Cs寄生电感和电容。该ESD放电产生电流波形的上升时间在2~10ns范围内,持续时间在150~200ns范围内
  • 关键字: ESD  静电放电  

esd是指什么?静电放电是什么?

  •   ESD(Electrostatic discharge),中文释义为静电放电。  造成静电放电有多种原因,但最常见的是静电和静电感应。静电通常是通过摩擦充电产生的,而静电感应则是作为物体的电荷重新排列而产生的。通常,当一个物体的表面获得负电子而另一个物体失去电子并带正电时,就会产生摩擦充电。当带相反电荷的物体相互接触时,电子传递能量然后分离,形成一种电荷接触带电。  在工业生产中静电放电会导致两种类型的电气设备损坏,具体如下:  灾难性的:造成永久性伤害。  潜伏性的:几乎检测不到,已经对组件造成损伤
  • 关键字: ESD  静电放电  

ESD简介(简单明了!)

  • 记得小学时候的自然课上老师用冬天脱毛衣时的火花向年少的我们描述静电的情形,那时候不禁对大自然肃然起敬。没想到很多年之后学习集成电路课程,又一次跟静电有了接触,只是这一次没有年少时的轻松与愉悦。静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)很容易造成电子元件或电子系统遭受过度电应力而被永久破坏。静电放电破坏的产生,大多数是由于人为因素造成的,但又很难避免。在芯片制造、生产、测试、搬运等过程中,静电会积累在人体、仪器、设备之中,甚至芯片本身也会积累静电,这些静电一旦在某些情况下形放电通路
  • 关键字: ESD  静电放电  

Nexperia超低电容ESD保护二极管保护汽车数据接口

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低钳位和超低电容ESD保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V监视器、显示器和摄像头等高速数据线。此外,该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟MGbit以太网应用。  新晋产品包括2引脚单线器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q,采用超紧凑型DFN1006BD-2封装,同时优化了布线灵活性。此外,还有两款采用DFN1006-3封装的3引脚
  • 关键字: Nexperia  超低电容  ESD  保护二极管  汽车数据接口  

Nexperia的USB4 ESD二极管件实现了保护和性能的出色平衡

  • 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件,适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计,而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术,集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。 重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短,从而降低寄生电感,但也会意外地降低整体系统
  • 关键字: Nexperia  USB4  ESD  二极管件  

功率半导体IGBT失效分析与可靠性研究

  • 高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作,经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效,本文结合大量失效品分析与电路设计分析,对IGBT失效原因及失效机理分析,分析结果表明:经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致,IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 关键字: 主动式PFC升压电路  IGBT  SOA  闩锁效应  ESD  热击穿失效  202108  MOSFET  

一种非对称双向可控硅静电防护器件的设计*

  • 非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压,基于0.18 μm BCD工艺,设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真,证明HHVADDSCR具有高维持电压,避免了闩锁,且器件适用于传输电平在18~60 V的芯片信号端口的静电保护。
  • 关键字: 202107  非对称可控硅  维持电压  ESD  闩锁效应  

Nexperia推出适用于汽车应用中高速接口的新型ESD保护器件

  •  基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出一系列ESD保护器件,专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口,特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。 随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加,EMC保护的需求变得越来越重要,提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。Nexperia的TrEOS技术优化了ESD保护的三大关键参数(信号完整性、系统保护和鲁棒性),以提供具有低电容、低钳位电压和高ESD鲁棒性的理想组合的器件。 全新的PESD4USBx系列总共包括十二款采用Tr
  • 关键字: Nexperia  高速接口  ESD  

Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保护的共模滤波器

  • 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出全新产品PCMFxHDMI2BA-C,这款集成了ESD保护功能的共模滤波器具有超过10 GHz差分带宽。它适用于高达12Gbps 的最新HDMI 2.1标准,能够轻松通过眼图测试。  Nexperia高速保护和滤波产品经理Stefan Seider说:“HDMI 2.1使显示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是,这需要更优秀的抗干扰保护,尤其是在紧凑的无线应用中,这些2合1的ESD和滤波组合器件的性能和小尺寸非常适合对性能和空间有要求
  • 关键字: Nexperia  ESD  

Nexperia全新车用TrEOS ESD保护器件兼具高信号完整性、低钳位电压和高浪涌抗扰度

  • 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保护器件,这些器件通过了AEC-Q101认证,适用于车规级应用,并且可承受高达175°C的高温。同时,与所有TrEOS器件一样,这些新的车用器件具有很低的电容,可确保高信号完整性,并具有很低的钳位电压和高稳健性,适用于新的车载接口。具体的车载应用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娱乐、多媒体与ADAS系统。 Nexperia的TrEOS ESD保护技术利用有源可控硅整流来克服传统保护
  • 关键字: Nexperia  车用TrEOS  ESD  

Microchip推出3kW瞬态电压抑制二极管阵列产品,实现严苛环境下出色的电路保护

  • 航空航天系统依赖于引擎控制单元、环境控制、仪器和执行器中的数字和逻辑功能与电路才能完成关键的工作。数据中心、5G基础设施和通信系统同样依赖于复杂的电路,而这些电路需要得到妥善保护。即便有闪电、太阳活动和电磁事故引起的电压浪涌和尖峰,系统仍必须保持连续运行。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出其最新瞬态电压抑制器(TVS)垂直阵列产品组合 — MDA3KP瞬态电压抑制器(TVS)。 该3kW二极管系列拥有超过25款产品,具有不同的筛选级别、极性和认证标
  • 关键字: TVS  SBD  ESD  EFT  MSL  RTCA  
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esd介绍

ESD的意思是“静电释放”的意思,它是英文:Electro-Static discharge 的缩写 ESD知识介绍 静电是一种客观的自然现象,产生的方式多种,如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。 人体自身的动作或与其他物体的接触,分离,摩擦或感应等因素,可以产生几千伏甚至上万伏的静电。 静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两 [ 查看详细 ]

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