Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件， RDS(ON)*Qg FOM仅为2.8 Ω*nC，达到业内先进水平
—— 超级结器件降低传导和开关损耗，提高通信、服务器和数据中心应用能效
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案，同时实现栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内先进水平，该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标（FOM）。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202202/431403.htmVishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种新型电子系统。随着SiHK045N60E的推出以及即将发布的第四代600 V E系列产品，公司可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度的要求——包括功率因数校正和硬切换AC/DC转换器拓扑结构。
SiHK045N60E采用Vishay最新高能效E系列超级结技术，10 V下典型导通电阻仅为0.043 Ω，超低栅极电荷下降到65 nC。器件的FOM为2.8 Ω*nC，比同类接近的MOSFET竞品器件低3.4 %。SiHK045N60E有效输出电容Co(er) 为117 pF，有助于改善开关性能。这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而达到节能效果。SiHK045N60E结壳热阻RthJC为0.45 C/W，比接近的竞品器件低11.8 %，具有更加出色的热性能。
该器件采用PowerPAK® 10x12封装，符合RoHS标准，无卤素，可承受雪崩模式下过压瞬变，并保证极限值100 %通过UIS测试。
评论