QAxx3D-2GR3驱动电源重磅上市
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金升阳紧跟功率半导体市场动向，推出QAxx3D-2GR3（下文称：QA-R3系列驱动电源），可有效应用于1700V及以下电压的IGBT/SiC MOSFET上，为IGBT/SiC MOSFET的驱动器提供高可靠、高效率的驱动电源方案。
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/202105/425283.htm
一、产品介绍
1）高可靠性保障
QA-R3系列驱动电源在变压器设计上采用了独特设计，通过增加原副边爬电距离，使得电气间隙满足14.5mm的安规要求，隔离电容3.5pF，隔离电压达到5000VAC（基于EN61800-5-1标准要求）；产品采用加强绝缘设计，极大提高了可靠性。
该系列还满足EN50178/EN61800-5-1标准要求，通过EN62368认证（认证中），符合UL62368设计要求；高可靠的设计保证其可有效应用于1700V及以下电压的IGBT/SiC MOSFET上，为IGBT/SiC MOSFET的驱动器提供高可靠的驱动电源方案。
2）效率高达88%
采用独特电路设计方案，在电路设计上，减小了原副边漏感的影响，极大地提升产品效率，使得产品效率高达88%，处于行业领先地位。
3）单路2.4W输出功率，双通道输出，设计更灵活
采用双通道输出设计，单路输出功率可达到2.4W，两通道之间满足加强绝缘要求（5000VAC隔离），有效降低了客户的使用成本和占板面积使得客户设计更加灵活。
二、产品应用
QA-R3系列驱动电源依靠高可靠性能，可满足1700V及以下的常规IGBT/SiC MOSFET，应用领域涵盖轨道交通，智能电网，风力发电，新能源，电机传动，充电桩等。
一、产品特点
● 效率高达88%
● 隔离电压高达5000VAC(加强绝缘)
● 最大容性负载200uF
● 隔离电容3.5pF typ.
● 工作电压范围：-40℃ to +105℃
● 整机材质符合CTI 1类
● 专为1700V IGBT/SiC MOSFET驱动器设计
● 符合UL62368、EN61800、EN50178标准认证要求
● 通过EN62368认证
| 型号标题 | 输入 电压 (VDC) | 输出电流 (mA) | 工作温度 | 输出 电压正 (VDC) | 效率 % | 隔离 电压 (VAC) | 封装 形式 |
| QA123D-2GR3 | 12 | 100/100 | -40℃ to+105℃ | 24 | 88 | 5000 | DIP |
| QA153D-2GR3 | 15 | ||||||
| QA243D-2GR3 | 24 |
详细产品技术参数请参考技术手册： QAxx3D-2GR3
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