永不停滞的Qorvo：引领5G射频前端的技术变革
2020年10月14日，Qorvo在北京国家会议中心召开媒体小组会议，很荣幸电子产品世界成为受邀者之一。
会上Qorvo公司华北区应用工程经理张杰先生和Qorvo公司封装新产品工程部副总监赵永欣先生向我们介绍了公司的技术和动态：PAMiD射频前端模块和自屏蔽技术Micro Shield，并耐心解答媒体朋友们的疑问。
Qorvo公司封装新产品工程部副总监赵永欣先生（左）Qorvo公司华北区应用工程经理张杰先生（右）
2015年，RFMD和TriQuint两家公司合并成立了一家新公司Qorvo，一家全球领先的RF厂商从此诞生。两家公司合并后的Qorvo完成了天线、功率放大器芯片、滤波器和射频开关的全产业线布局。
随着时代的发展，手机设计的复杂程度越来越大，应用在射频前端的器件也越来越多，庞大的市场需求推动着射频前端器件的整合。尤其是近几年智能手机发展速度极快，从2G，3G，4G到5G时代，智能手机设计这一领域，对射频技术的要求也在不断提高，它需要集成的功能也越来越多。
集成射频前端
随着射频前端模块技术的成熟以及市场的需求，自 2016 年以后，市场中主要的射频前端都开始向模块化方向发展，双工器、天线开关等几大模块开始被集成到射频前端中。华北区应用工程经理张杰先生表示：“Qorvo这几年，致力于做了很多集成化的一些方案例如PAMiD，它是把PA、滤波器，开关，甚至目前的一些LNA，就是低噪放大器也都已经集成进去了。这类产品主要是致力于给客户提供一些更简单，性能更好，更适应他们产品的一类解决方案。”对于手机厂商来说，PAMiD 的出现让射频前端从以前一个复杂的系统设计工程变得更加简单。
Qorvo作为全球射频领域的佼佼者，利用其高度集成的中频/高频模块解决方案，已经为多家智能手机制造商提供了广泛的新产品发布支持。而且Qorvo在做产品集成的过程中，不单单做简单的器件整合，而是一边改善器件的性能，一边考虑产品在集成过程中的兼容性，在交付给客户最终产品之前这些工作Qorvo都考虑到了。
对于PAMiD接下来的发展，Qorvo认为，将 LNA 集成到PAMiD中，是推动射频前端模块继续发展的重要动力之一。在手机PCB板面积紧张情况下，将 LNA 集成到PAMiD中成为了行业的一种发展趋势，从PAMiD到L-PAMiD，射频前端模块可以实现更小尺寸，支持更多功能。
自屏蔽技术
5G 时代的到来，手机PCB的空间变得越来越紧张，更小的模块设计成为了手机元件未来发展的方向之一，在这个过程当中，用RF自屏蔽技术来代替厚重的机械屏蔽罩也就成为一股行业潮流。
集成射频前端发展的同时，模块互扰就成为一个不可忽视的问题，也是非常难解决的问题。因为器件传输射频时会不断向四处空间辐射，对邻近的收发器或其他设备造成干扰。在这种市场需求下，Qorvo 所推出的Micro Shield自屏蔽技术的优势就被凸显了出来。
自屏蔽技术在一定程度上可以排除机械屏蔽罩对器件的影响，减少了屏蔽罩外形设计上的局限性和内部反射造成的二次干扰。Qorvo选择使用电镀腐蚀的方法实现自屏蔽技术，使得屏蔽性能和防氧化程度都比较优越，避免器件因受到外界环境的变化而造成氧化的现象，影响屏蔽的效果。Qorvo的自屏蔽技术已经发展了十几年，Qorvo在不断地优化选择性的屏蔽技术，使其在质量和工艺稳定性上都到达了可以量产的程度。
挑战与机遇
多年以来的一路风雨，Qorvo在技术创新与优化的道路上面临着不少的困难与挑战，同时也迎来了许多发展机遇。对于5G手机射频前端的设计变化，Qorvo表示虽然4G到5G是上下兼容的，但是要在4G手机上面增加5G的功能需要加入更多功能的器件。而且5G手机对性能，线性度，EVM、频率等要求比4G的更高，所以改善性能方面是一个挑战。
Qorvo表示选择电镀来实现自屏蔽技术是考虑到公司有相应的专利，但是在实现自屏蔽技术的路上也遇到了许多问题和困难，例如电镀严苛的环境要求。Qorvo也在一如既往地寻求更好的解决方法和更完善的解决方案。
随着5G的逐步推广和Micro Shield 自屏蔽技术在工艺上的改进，后续中低端手机也开始加入5G的支持，Qorvo认为顺应市场发展需求，这对L-PAMiD跟Micro Shield 自屏蔽技术的应用也是一个机遇，采用Micro Shield自屏蔽技术的L-PAMiD将会逐渐被中低端手机所接受。Qorvo 预计，很快市场中就会有中低端手机采用这种射频前端模块。
结语
射频前端模块的技术创新推动了移动通信技术的发展。在 5G 时代的潮流中，射频前端模块也在进行着新一轮的技术革新。Qorvo 作为射频前端模块领域的重量级玩家之一，他在射频前端模块上的技术更新，或许能够代表着这个行业未来的发展方向。我们期待着Qorvo步履不停，向着5G迈出更坚实的一步！
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