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Nexperia推出首款支持USB4标准的ESD保护器件

—— ​ TrEOS二极管完全支持USB4TM标准;具有低钳位、低电容、低泄露特性,极高的鲁棒性
作者:时间:2020-03-10来源:EEPW收藏
奈梅亨,三月 10, 2020分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域生产专家,今日宣布推出P2V8R1BSF,这是业内首款专门针对TM标准开发的,具有行业领先的RF性能。新款器件采用TrEOS 技术与有源可控硅(SCR)技术,TMThunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容(低至0.1 pF);极低钳位电压 动态电阻低至0.1 )以及非常稳健的防浪涌与ESD性能(,最高可达20A 8/20 µs)。PESD2V8R1BSF采用超低电感SOD962封装。

 

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202003/410768.htm

产品经理Stefan Seider评论道:“为避免信号完整性问题,PESD2V8R1BSF ESD保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗,在10 GHz时分别为-0.21 dB-17.4 dB。该ESD可满足USB 3.2的较高电压要求。这意味着,该器件可放置在USB Type-C®连接器后面,用于保护耦合电容,同时仍与USB3.2向后兼容。”

 

TrEOS保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封装。这种广泛使用的0603外形尺寸能够带来诸多优势,包括电感极低,可提供快速保护,并且可集成到单片电路中,无需焊线,从而减少了机械应力和热应力。

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