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驱动半桥自举电路

作者:时间:2016-11-16来源:网络收藏

驱动半桥自举电路

自举元件设计

自举二极管(VD1)和电容(C1)是IR2110在PWM应用时需要严格挑选和设计的元器件,应根据一定的规则对其进行调整,使电路工作在最佳状态。

在工程应用中,取自举电容C1>2Qg/(VCC-10-1.5)。式中,Qg为IGBT门极提供的电荷。假定自举电容充电路径上有1.5V的压降(包括VD1的正向压降),则在器件开
通后,自举电容两端电压比器件充分导通所需要的电压(10V)要高。

同时,在选择自举电容大小时,应综合考虑悬浮的最宽导通时间ton(max)和最窄导通时间ton(min)。导通时间既不能太大影响窄脉冲的性能,也不能太小而影响宽脉冲的驱动要求。根据功率器件的工作频率、开关速度、门极特性对导通时间进行选择,估算后经调试而定。

VD1主要用于阻断直流干线上的高压,其承受的电流是栅极电荷与开关频率之积。为了减少电荷损失,应选择反向漏电流小的二极管。


关键词: 驱动 半桥 自举电路

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