中芯国际28nm HKMG工艺成功流片

　　中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际/SMIC)2月16日宣布，28nm HKMG(高介电常数金属闸极)工艺已经成功流片。

　　中芯国际是中国大陆第一家能够同时提供28nm PolySiON(多晶硅)、28nm HKMG工艺的晶圆代工企业。与传统的PolySiON工艺相比，HKMG技术可有效改善驱动能力，进而提升晶体管的性能，同时大幅降低栅极漏电量。

　　与此同时联芯科技宣布将基于中芯国际28nm HKMG工艺打造新的智能手机SoC芯片，包括移动处理器和基带，CPU主频达1.6GHz，目前已通过验证，准备进入量产阶段。

　　此外，中芯国际还将持续进行28nm技术平台的开发及改善，预计2016年底推出基于HKMG工艺的紧凑加强型版本。