用电容实现LVDS连接交流耦合的设计分析
图2：ECL－LVDS电平转换配置。
图3：LVDS输入偏置电路。
图4：LVDS端接电路。
电容选择
有以下几个因素影响到电容的选择。
1．参数值
LVDS链路交流耦合电容的选择与一系列的参数相关，包括：输出驱动电平、输入门限电平、负载阻抗、电缆长度、最长的脉冲周期。
标准的LVDS输出驱动电平通常定义为最小250mV，且输入电平门限定义为最大100mV。因此，确保有效电平值的最大的衰减量为：
换句话说，由直流电阻产生的衰减、交流衰减以及电容耦合衰减的总合必须小于8dB。两端差分负载阻抗通常为100Ω，分析电缆长度时需要同时考虑电缆的交流和直流衰减以及连接器阻抗导致的衰减。最后，还必须考虑数据本身，LVDS连接可以传输的最大脉冲宽度取决于工作频率和数据传输协议对连续1(或 0)的数量限制。
对于具体应用，精确的计算可能过于棘手，也可以简单选用0.1uF电容，能够满足大多数应用的要求。当数据速率降到10MHz以下或采用更长的电缆时(例如>5米)，需要重新核实电容值，也可以通过计算、仿真或实际测量获取电容值。
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