新闻中心

EEPW首页 > 电源与新能源 > 设计应用 > 准谐振反激的原理、应用及参数计算

准谐振反激的原理、应用及参数计算

作者:时间:2010-09-07来源:网络收藏

  如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰将会最小化。这情况常被称为谷值开关 (Valley Switching) 或准开关。这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准反激的方面的知识。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/180511.htm

  准 QR

  Q(Quasi)

  R( resonant)

  主要是降低mosfet的开关损耗,而mos的开关损耗主要是来源于自身的输出电容。

  


  从上图中,大家可以讨论一下,一般的开关损耗来自于那几个部分的寄生电容产生的。在传统的非连续模式反激DCM)的停滞时间内,寄生电容将会跟VDC周围的主要电感产生振荡。寄生电容上的电压会随振荡而变化,但始终具有相当大的数值。当下一个周期MOSFET导通时间开始时,寄生电容会通过MOSFET放电,产生很大的电流尖峰。由于这个电流出现时MOSFET存在一个很大的电压,该电流尖峰因此会做成开关损耗。

  

  从上面的图可以看到,准谐振跟一般的传统反激基本一样。

  Lleak是初级漏感,Rp是初级电阻,Cp是谐振电容;

上一页 1 2 下一页

评论


相关推荐

技术专区

关闭