MOSFET双芯片功率封装简化电源设计

　　图 2

　　事实上，低边MOSFET的导通电阻是器件的关键特性。即使封装尺寸变小了，还是有可能在最高4.5V电压下把RDS（on） 降到5mΩ以下。这有助于提高在最大负载条件下的效率，还能让器件工作起来的温度更低，即便尺寸很小。。

　　这种器件的另一个好处是布线。从图2中可以看到，封装的引脚使其能很容易地集成进降压转换器设计方案中。更特殊之处在于，器件的输入是在一侧，输出在另一侧。引脚2和3与DC-DC电路的VIN相对应，是高边MOSFET的漏极。小焊盘也是高边元器件的漏极焊盘。较大的焊盘是电路的开关节点的焊盘更大，在这个地方，高边MOSFET的源极合低边MOSFET的漏极在内部连到器件上。这个节点会连到电感器。最后，接地是引脚4和5，是低边MOSFET的源极。引脚1和6 分别连到高边和低边MOSFET的栅极。这种布线很简单，而且减少了用两个器件时发生布线错误的几率。把多个器件组合在一起时需要额外的PCB走线，这种布线还能减少与此种PCB走线相关的寄生电感：

　　改用较小外形尺寸双芯片功率封装的最后一个好处是能够实现的效率可以帮助提高功率密度。器件安装在单相降压转换器评估板上，条件如下。

　　VIN = 12 V， VOUT = 1.05 V， VDRIVE = 5.0V， fsw = 300 kHz， IOUT max. = 15 A

　　效率是在整个功率范围内测量的。在15A电流下，效率是87%，器件的外壳温度恰好低于70 °C。峰值效率高于91.5 %。这样的性能有助于在医疗系统中减少功率损耗，节约能量，而且还能实现小外形尺寸的设计。

　　图 3

　　采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的双芯片不对称功率封装是MOSFET封装技术上的重大进步。这种封装使工程师能够改善电源的性能，缩小体积，以及简化设计，同时实现现在的消费电子产品所要求的高效率或性能。