NS推出最小巧的Boomer AB类音频放大器
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美国国家半导体的 0.4mm 间距封装占用印制电路板极少的板面空间，因此即使电路板空间有限，工程师也可轻易完成线路设计。美国国家半导体于 1999 年便已率先推出先进的 micro SMD 封装，后来更以此为基础成功开发间距只有 0.4mm 的新一代 micro SMD 封装。新封装除了采用生产硅芯片所必要的先进工艺技术之外，也引进新一代的焊接和硅基体研磨技术。
型号为 LM4941 的 1.2W AB 类音频放大器内置美国国家半导体独有的射频信号抑制电路，其优点是可以抑制射频干扰，而且这方面的改善比现有的设计高 20dB。放大器的输出端像天线一样，本身也有接收能力，不但会自动接收外来噪音，还会将其传送回放大器的信号路径。放大器若内置射频抑制电路，便可防止输出端接收外来噪音。这款 1.2mm x 1.2mm 的全差分放大器可以消除大部分系统常见的共模噪音，而且当以 5V 供电操作时，其静态电流只有 1.7mA。
LM4985 低噪音立体声耳机放大器设有通过 I2C 兼容接口控制的 32 步级非线性音量控制功能，因此无需通过软件提高系统的音量控制分辨度。其音量控制曲线更是因应人类听觉灵敏度而特别设计，使用家听得更舒适。当这款放大器采用无需输出电容器模式时，两条声道的静态电流低至只有 3mA，若以 5V 的供电操作，可为每声道连续提供平均高达 135mW 的输出功率，驱动 16W 的负载。
LM4985 芯片的设计非常灵活，适用于电容耦合或无需输出电容器 (OCL) 的设计。此外，厂商客户甚至可以利用同一款美国国家半导体的放大器，开发不同的平台，使新产品可以更快取得认证。
产品特色及优点
若以 5V 的电源供应操作，LM4941 芯片可以连续输出平均达 1.25W 的功率，驱动 8W 负载，而总谐波失真及噪音 (THD+N) 则只有 0.04%。若输入噪音为 217Hz，这款芯片的电源抑制比 (PSRR) 高达 95dB (典型值)，若输入噪音为 1kHz，其信噪比则高达 108dB。此外，这款放大器也设有单声道的扬声器输出。
若以 3.6V 的电源供应操作，而总谐波失真设定为 1%，LM4985 芯片可为每声道连续提供平均高达 68mW 的输出功率，驱动 16W 的负载，若采用无输出电容器模式，则可为每声道提供 38mW 的输出功率，驱动 32W 的负载。此外，这款芯片设有 I2C 兼容的音量控制功能，使工程师可以在 18dB 至 -76dB 的广阔范围内设定增益。若音量极低，音量必须有较大幅度的变化，人类听觉才会察觉到，因此这款芯片已适应这个低音量特性，将每步级的升降幅度加大。若音量较大，音量即使出现很小的变化，人类听觉也很容易察觉，因此这款芯片也将大音量的每级升降幅度缩小。若采用无输出电容器模式，而输入噪音为 217Hz，这款芯片的电源抑制比可达 77dB。
两款芯片都无需加设输出耦合电容器或启动电容器，并设有内部过热停机保护功能。此外，两款芯片也设有先进的开关/切换噪音抑制电路，可以消除开/关时产生的噪音。
全球最小巧的 AB 类 (Class AB) 及 D 类 (Class D) 放大器
LM4985 及 LM4941 芯片与早前推出的 LM4673 及 LM4995 都属于同一系列的放大器，同样采用 0.4mm 间距的 micro SMD 封装。LM4673 是一款全差分、单电源供应、无需滤波器的 2.5W D 类 (Class D) 开关音频放大器，采用尺寸只有 1.4mm x 1.4mm 的 micro SMD 封装。由于封装小巧，因此可以放在靠近扬声器的位置也完全不会受电磁干扰。LM4673 芯片的功耗低于目前市场上任何同类的 D 类音频放大器，若以 3.6V 的电源供应操作，其静态电流只有 2.1mA (典型值)，有助于延长移动电话的通话时间，也确保便携式音响设备可以长时间连续不断播放各种音乐及电台节目。
LM4995 是一款采用 1.25mm x 1.25mm micro SMD 封装的 AB 类 (Class AB) 放大器，由于这款芯片采用小巧的封装，因此占用的印制电路板面积比现有音频放大器少 30%。这款芯片只需一个 5V 的电源供应，便能连续输出平均高达 1.3W 的功率，驱动 8W 的扬声器负载，而总谐波失真及噪音皆不超过 1%。
创新而先进的集成电路封装技术
美国国家半导体的芯片采用 70 多种不同的封装。单以封装技术而言，该公司拥有的注册专利项目便高达 290 多项，而平均每年取得的新专利也有约 30 个。美国国家半导体率先推出多种创新的封装技术，其中包括 micro SMD 及 LLP® 封装技术。
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