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TMS320C672x系列浮点DSP的EMIF研究与应用

作者:时间:2011-03-16来源:网络收藏

目前,技术已广泛用于信号处理、通信和雷达等领域。TI公司的带扩展存储器接口的是专为高速、高性能而开发的,主要于高速宽带、图像处理和高速铁路轨道信号处理等领域。平台设计中,外部存储器接口()是为DSP与外部设备之间提供连接。和外部器件SDRAM以及Flash的合理设计关系到系统的数据存储和程序加载。
DSP的EMIF性能优良,增强了与外部1、2或4区的16位或32位SDRAM和异步器件连接的方便性和灵活性。TMS320C6722和TMS320C6726 EMIF宽度为16位,支持的SDRAM可达128 Mb;TMS320C6727EMIF宽度为32位,支持高达256Mb和512Mb的SDRAM。
异步存储器接口是从并行的8位、16位或32位NOR Flash实现系统自启动。若使用大容量的Flash,EMIF连接Flash的高位地址线可通过外部器件CPLD或自身GPIO口扩展。

1 EMIF接口
EMIF接口具有很强的外设连接能力,可寻址空间一般比较大,数据吞吐较快。EMW接口支持的器件包括同步突发静态RAM(SBSRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、各种异步设备(SRAM、ROM和FIFO)以及同步FIFO。的EMIF引脚结构如图1所示。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/150957.htm


其主要引脚功能如下:
EM_A[x:0]:EMIF地址总线。当与SDRAM器件连接时,地址总线主要为SDRAM提供行地址和列地址。当与异步器件连接时,这些引脚与EM_BA引脚提供器件地址。
EM_BA[1:0]:EMIF存储区地址线。与SDRAM连接时,为SDRAM提供存储区地址。与异步器件连接时,这些引脚与EM_A引脚共同提供器件地址。
EM_WE_DQM[x:0]:低电平有效写触发或字节使能引脚。与SDRAM连接时,这些引脚与SDRAM的DQM引脚连接。在数据访问中分别使能/禁止每一字节。与异步器件连接时,这些引脚可作为字节使能(DQM)或字节写触发(WE)。
EM_CS[0]和[2]:CS[0]为SDRAM器件低电平有效芯片使能引脚,当访问异步器件时此引脚失效,在完成异步存取后自动恢复其功能;CS[2]为低电平有效异步器件使能引脚,仅在访问异步存储器时有效。
EM_RAS:低电平有效行地址选通引脚,与SDRAM的RAS引脚连接,用于向此器件发送命令。
EM_CAS:低电平有效列地址选通引脚,与SDRAM的CAS引脚连接,用于向此器件发送命令。
EM_CKE:时钟使能引脚,与SDRAM的CKE连接,发出自刷新命令,使器件进入自刷新模式。
EM_CLK:SDRAM时钟引脚,EMIF时钟来自DSP的PLL控制器的SYSCLK3时钟模块。

2 EMIF与SDRAM的设计
这里以SDRAM(HY57V281620A)为例,说明EMIF和SDRAM的接口与配置,HY57V281620A是4 Bankx2MBx16 bit的SDRAM器件,可与TMS320C67 22 DSP无缝连接。图2是TMS320C6722型DSP与HY57V281620A型SDRAM的电路连接。


2.1 SDRAM的软件配置
在TMS320C6722的EMIF中有一组存储器映射寄存器,通过设置这些寄存器便可完成对SDRAM的配置,包括配置寄存器SDCR、刷新控制寄存器SDRCR、时序寄存器SDTIMR和自刷新退出时序寄存器SDSRETR。具体的配置代码如下:


2.2 SDRAM的软件操作
根据上面软件配置中IBANK和PAGESIZE字段的设置,图3列出了C6722 EMIF连接16位4区256字页面的SDRAM地址映射关系,其他地址映射关系参考TI资料。SDRAM读/写程序流程如图4所示。

存储器相关文章:存储器原理



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