新闻中心

EEPW首页 > 电源与新能源 > 设计应用 > MOSFET高速驱动设计

MOSFET高速驱动设计

作者:JimmyWang时间:2012-02-14来源:电子产品世界收藏

  引言

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/128958.htm

  随着电源高效、高功率密度的要求,电源的频率由原来的工频,到几十千赫兹,再到如今几百千赫兹甚至兆赫兹。电源频率的要求越来越高。如何选择合适的,如何有效地驱动高速,提升电源效率是广大工程师面临的问题。本文将探讨的选型以及高速驱动线路设计的注意事项。

  MOSFET结构以及影响驱动的相关参数

  图1是MOSFET的等效图。MOSFET包含3个等效结Cgd,Cgs和Cds

  通常在MOSFET的规格书中我们可以看到以下参数:其中

        Ciss=Cgs+Cgd

  Coss=Cgd+Cds

  Crss=Cgd

  这些结影响着MOSFET开通和关闭的速度。结电容小的MOSFET具有快速的开关速度,可以降低MOSFET开通和关闭时所产生的损耗,同时对驱动线路需求更低。

  但是值得注意的是这些电容跟普通的电容并不完全相同,普通电容的容值并不会有太大的改变,而MOSFET等效电容容值会随着MOSFET Vds的变化而变化。图2描述了MOSFET结电容随电压的变化状况。

电容相关文章:电容原理
电容传感器相关文章:电容传感器原理


关键词: MOSFET 电容

推荐阅读

评论

技术专区

关闭