电子元器件需求强劲

　　由于全球金融危机和半导体行业的周期性波动，全球半导体产品出货量从 08年4季度到09年1季度经历了大幅下滑，主要经济体的半导体产品出货量都降到5年以来的最低水平。随着经济复苏，半导体行业实现了强劲复苏并步入景气上升阶段，到09年4季度半导体产品的出货量基本恢复到08年的最高水平。

　　在2010年，整个半导体产业经历了非常高的景气阶段，全球各主要经济体的半导体产品出货量都屡创新高，进入3季度以后，需求依然非常强劲，出货量仍在高点。

　　过去几年，中国功率器件市场一直保持增长，中国已经成为全球最大的功率器件市场，随着中国工业化的深入以及经济持续发展，功率器件在未来几年仍将保持增长。而处在增长期的IGBT作为第三代功率器件，由于其开关快、损耗低、通态电流较大等诸多优点，将在未来几年保持高速的增长。

　　电力电子器件的发展经历了晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、晶体管(BJT)、绝缘栅晶体管(IGBT)等阶段。目前正向着大容量、高频率、易驱动、低损耗、模块化、复合化方向发展，与其他电力电子器件相比，IGBT 具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点。

　　目前，应用在中压大功率领域的电力电子器件，已形成GTO、IGCT、OGBT、IEGT相互竞争不断创新的技术市场，在大功率(1MW)，低频率(1kHz)的传动领域，如电力牵引机车领域 GTO、IGCT、IGBT 各有优势，而在高载波频率、高斩波频率下，IGBT、IEGT有着广阔的发展前景，在现阶段中压大功率变频领域将由这4种电力电子器件构成其主流器件。另外，IGBT在所能应用的范围正在大范围的替代了传统的晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、晶体管(BJT)等器件。

　　处在增长期的 MOSFET 和 IGBT 则市场上长期由外资厂商占据，由于MOSFET的前端生产工艺同IGBT类似，在国内许多厂商做成功生产出MOSFET系列产品之后将可以转而试生产IGBT，目前，中环股份、华微电子、士兰微等都将量产出货，而东光微电也有可能尽快做出IGBT样品。

　　由于未来几年工业化持续深入，IGBT 最大的应用领域工业控制领域将保持持续的较高速度增长;同时，由于电磁炉、微波炉、变频家电以及数码相机等产品的快速发展，消费电子已经成为IGBT的第二大应用领域，在产品数量上甚至已经超过了工控领域IGBT数量，但是价格相对较低，所以市场规模低于工控领域;值得注意的是，由于变频家电在整个国内市场的渗透率还比较低，所以还有巨大的发展空间;在汽车电子方面，IGBT 已经全面替代达林顿管成为点火装臵的首选器件，而IGBT也将随着汽车在国内的发展保持较高速度的增长;此外，作为关键的功率半导体器件，IGBT 在电力传送、列车牵引、太阳能及风能发电以及新能源汽车方面的应用将明显受益于国家的智能电网、高铁建设及新能源建设等宏观政策。此外，由于 IGBT 本身的技术不断进步以及各国对能源问题的重视，IGBT 将在中高压大电流领域替代部分的SCR和GTO产品。