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ST降低车用功率场效应MOS晶体管电阻

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作者:时间:2006-02-16来源:收藏

具有市场竞争力的针对汽车开关应用优化的大电流产品

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/11335.htm

意法半导体日前针对汽车市场推出一个新的大电流功率场效应MOS晶体管,该产品采用最新优化的 ripFET™ 专利技术,实现了最低的导通。 新产品 D95N04 是一个40V的标准电平的DPAK产品,最大导通RDS(on)6.5毫欧。 

这个80A的产品是专门为DC-DC转换器、电机控制、电磁阀驱动器和ABS(防抱死制动系统)设计的。与采用传统的沟道技术制造的产品相比,新产品在价格和导通性能上极具竞争力。新产品的典型RDS(on)在5毫欧区间内,能够满足标准阈压的驱动要求。

STD95N04符合汽车电工理事会(AEC)组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的AEC Q101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度175℃ ,100%通过雪崩测试。

ST新的STripFET技术以密度大幅度提高的单元为基础,导通电阻和功耗比上一代技术更低,占用的硅片面积更少。正在开发的其它的功率场效应MOS晶体管将采用相同的技术,以满足DPAK (30V, 逻辑电平, 典型导通电阻在4.5V时等于4.5毫欧 ) 和 D2PAK (40V,标准电平, 典型导通电阻在10V时等于2.0毫欧) 的需求。

采用DPAK和TO-220封装的STD95N04现已投入量产。 订购10,000件,单价0.38美元。

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