茂德成功试产63nm DDR3颗粒

　　台湾媒体报道，茂德今天宣布，他们已在其台湾科技园中部的12寸晶圆厂使用尔必达 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工艺成功试产出了1Gb DDR3内存颗粒。首批测试结果显示，颗粒规格符合业界规范，并全面兼容PC、数码移动电子品应用。茂德今年三月份开始使用尔必达的63nm堆叠制程工艺试产DDR3颗粒，计划在今年三季度实现量产。到年底时，茂德每月为DDR3芯片生产提供的晶圆产量 将达到3.5万片。

　　茂德表示，他们预计将在明年下半年开始使用尔必达的45nm工艺进行生产，并计划在明年年底将其12寸晶圆厂的月产能提高到8万片。

　　今年早些时候，尔必达将其位于新竹科技园的一座12寸DRAM工厂卖给了ROM和NOR闪存颗粒制造商台湾旺宏，这样就使得茂德目前只拥有一座12 寸DRAM工厂。

　　此外茂德2010年投资削减计划已经获得了董事会的批准，他们计划通过发行10亿股普通股的方式筹集资金，其债券出售计划也获得董事会的批准。茂德董事长ML Chen称，茂德今年计划寻找到3-5个战略合作伙伴。