• 集成 DSAT 退饱和保护，可实时检测 SiC MOS 管漏源极压降，当驱动不足导致 Vds 异常升高时快速封波，有效避免器件损坏

• 内置米勒钳位电路，抑制开关过程中的电压振铃，降低 EMI 干扰

• 硬件级 CBC 逐波过流保护，无需 MCU 参与即可实现快速限流

• 4 档 Vcc UVLO 电压可选，兼容不同规格 SiC MOS 管的驱动电压需求

1. 优异的动态负载响应：25%~100% 负载跳变时输出电压峰峰值 0.42V，0%~100% 负载跳变时 0.75V，25%~150% 负载跳变时 0.7V

2. ZCS 容性区主动规避：通过侦测谐振槽电流极性，自动调整开关管驱动时序，避免系统进入 ZCS 区域导致的桥臂直通与 EMI 恶化

3. 硬件级 CBC 逐波限流：输出短路时将谐振槽电流限制在 20A 以内，多次限流触发后进入锁存保护模式

4. 可编程 Skip 轻载模式：通过 LL 脚外置电阻调整进入间歇工作的阈值，优化轻载转换效率

5. OTP 离线可编程：内置 100 余项可烧录参数，支持脱机编程器调试，参数确认后 2 周即可完成量产交付

• 轻载工况：将驱动电压控制在 3.58V，降低栅极电荷充放电损耗

• 满载工况：自动提升驱动电压至 8.79V，减小同步整流管导通 Rdson

1. 极简生产工艺：全方案采用单面贴片设计，无需双面 SMT 与波峰焊，打样周期短，量产直通率高

2. 全自研芯片体系：从 PFC、LLC 主控到 SiC 驱动、同步整流、辅助电源芯片均为自主研发，供应链自主可控

3. 快速量产支持：提供脱机编程器实现参数离线调试，无需修改硬件即可完成方案定制

4. 全流程质量管控：拥有车规级封装测试基地（年产能 20 亿片）与专业可靠性实验室，可完成 HTRB、HTOL、PCT、EMI 等全项可靠性测试

• 全工况转换效率优于 80Plus 金牌标准，230Vac 50% 负载效率达 93.24%

• 电流模式 LLC 架构带来优异的动态负载响应，适配 AI PC 瞬时高功耗需求

• 专用 SiC 驱动芯片集成多重保护功能，解决 SiC 器件欠驱动失效难题

• 单面贴片工艺大幅简化生产流程，降低量产成本

• 全自研芯片体系 + 车规级封测能力，保障供应链稳定与产品可靠性

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