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近期,中国碳化硅(SiC)产业又传来两条重磅消息:烁科晶体二期项目全面投产,新增20万片产能;理想汽车自研碳化硅功率芯片完成装机,纯电车型将陆续搭载。

source:理想汽车
据“投资山西”2月10日消息,烁科晶体的二期碳化硅产线已经全面投产,将为烁科晶体带来每年20万片碳化硅衬底的新增产能,并进一步巩固其在碳化硅材料领域的领先地位。 烁科项目位于山西转型综合改革示范区潇河产业园太原起步区(北区),厂房分两期建设。
此前山西转型综改示范区消息显示,中国电科(山西)碳化硅材料产业基地(二期)项目在2023年9月开始建设、同年11月主体封顶,2024年3月份已进入机电与设备安装阶段,计划同年4月份开始试运行,建成后将新增6-8英寸碳化硅衬底年产能20万片。

source:山西转型综改示范区
二期项目总投资5.2亿元,在中国电科(山西)碳化硅材料产业基地原有地块内新建碳化硅单晶生长车间、购置相关生产设备,并在预留区新增晶体生长设备。本项目购入半成品料后,按订单生产,二期扩建产能中部分直接外售,不进行进一步加工,当订单要求进一步加工时,将进入(一期)现有车间进行加工。
消息称,作为山西省首批20家“链主”企业、山西省第三代半导体产业链“链主”企业之一,烁科晶体聚焦创新,推动碳化硅晶体不断迭代。在国内首先实现8英寸晶圆尺寸制备的基础上,于去年全球首发12英寸碳化硅衬底。此次二期项目建成后,预计可新增产能N型碳化硅单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3吨/年。
理想汽车:自研SiC模块量产落地2月13日,理想汽车在微博平台上自豪地宣布,他们自研的碳化硅功率芯片已完成装机,并且自研自产的碳化硅功率模块和新一代电驱动总成已分别在理想汽车苏州半导体生产基地和常州电驱动生产基地量产下线。这些技术将陆续搭载于理想纯电车型。

source:理想汽车
据业界数据显示,2024年,理想全年交付量突破50.0508万辆,同比增长显著,成为首个年交付超50万辆的新势力品牌,历史累计交付量达110万辆,稳居新势力头部地位。理想汽车2025年的总销量目标为70万辆,较2024年增长40%,其中纯电车型预计将贡献很大一部分增量。
此前三辆理想纯电SUV的车型谍照已曝光,截至2024年8月,理想纯电车型已完成多次小批量样车试制,并通过高温高湿、耐久性等测试,常州整车工厂及四大工艺产线已建设完成,产能规划可满足市场需求。未来,理想汽车将结合SiC模块和800V平台,进一步优化能耗和充电性能,提升纯电车型的市场竞争力。
碳化硅产业:规模化应用与结构性短板并存碳化硅,作为第三代半导体的核心材料,在新能源汽车、光伏、5G等领域正掀起一股应用热潮。不过,在其规模化应用的进程中,但国内产业仍面临技术壁垒、成本压力与生态短板三大挑战。
材料端,国内已实现6英寸衬底量产,8英寸进入小批量试产,但晶圆缺陷密度高于国际龙头,导致器件良率差距约5%-10%。器件端,比亚迪、士兰微等企业在MOSFET、SBD器件领域进展显著,但在车规级IGBT模块、高压射频器件等高附加值产品上仍依赖进口。此次理想汽车自研SiC模块的量产,证明国产企业正逐步突破车用功率器件的设计壁垒。
业界数据报告指出,2024年,中国新能源汽车(含乘用车与商用车)渗透率突破40%,800V高压平台车型不断涌现,这使得碳化硅器件的需求呈爆发式增长。
然而,目前碳化硅器件价格是硅基器件的3-5倍,高昂的成本限制了其应用范围,现阶段仅在高性能车型中使用。不过,烁科晶体等材料企业的产能扩张,或许能降低衬底成本,带动整个产业链成本下降。
在设备方面,碳化硅衬底生产所需的长晶炉、切割机等关键设备,仍主要依赖日本、德国进口。尽管烁科二期项目实现了部分设备的国产替代,但核心环节依旧离不开外购。
整体而言,碳化硅产业崛起,关键在于产业链上下游深度协同,也离不开政策支持,具体包括:
·材料企业:加快大尺寸衬底量产,提高晶体一致性。
·器件厂商:以车规级认证和可靠性测试为重点,缩小与国际标准的差距。
·应用端:通过车企与供应商联合研发,推动技术迭代,实现成本优化。
·政府:加大对长晶设备、EDA工具等“卡脖子”环节的扶持力度,建立行业标准体系,防止低端重复建设。
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