据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国际贸易委员会（ITC）提出申请，指控中国氮化镓(GaN)芯片厂商英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）侵犯了其专利，违反了美国337条款。

此次受指控公司包括：英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（Innoscience (Suzhou) Technology Company, Ltd. ）、英诺赛科（苏州）半导体有限公司（Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd.）、英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、美国英诺赛科（Innoscience America, Inc. of Santa Clara,CA）。

早在今年3月，英飞凌就通过其官网发布公告称，为防止自己拥有的与氮化镓技术相关的美国专利受到侵犯，已对英诺赛科提起诉讼，且正在寻求永久禁令。涉及起诉的专利权利要求涵盖了氮化镓功率半导体器件的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有的氮化镓器件可靠性和性能的创新。

值得一提的是，在2023年5月25日，美国氮化镓（GaN）技术厂商宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation，以下简称宜普公司或EPC）也向美国联邦法院和美国国际贸易委员会提起诉讼，指控英诺赛科及其子公司侵犯了EPC面向氮化镓功率半导体器件的四项核心技术专利，专利号分别为8,350,294、8,404,508、9,748,347和10,312,335。

2024年7月8日，EPC发布声明称，美国ITC最新确认其两项关键专利（294号和508号专利）有效，并且判定英诺赛科和其子公司英诺赛科美国公司侵犯了EPC的294号美国专利。而另一项508号美国专利则未受到英诺赛科侵权。美国ITC这项最终决定预计将于2024年11月5日发布。

资料显示，成立于2015年12月英诺赛科，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的中国高新技术企业，公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，主要产品涵盖从低压到高压（15V-1200V）的氮化镓功率器件。

在市场份额方面，根据弗若斯特沙利文的数据，按收入计，英诺赛科于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一，按收入计市场份额为33.7%。

在专利积累方面，截至2023年12月31日，英诺赛科在全球有约700项专利及专利申请（已经获得的专利累计为213项，其中包括173项发明专利），涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

编辑：芯智讯-浪客剑

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