天眼查显示，杭州士兰微电子股份有限公司近日取得一项名为“MEMS器件及其制造方法”的专利，授权公告号为CN109665488B，授权公告日为2024年7月19日，申请日为2018年12月29日。

　　本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法。该制造方法包括：形成CMOS电路;以及在CMOS电路上形成MEMS模块，CMOS电路与MEMS模块连接，用于驱动MEMS模块，其中，形成MEMS模块的步骤包括：形成保护层;在保护层中形成牺牲层;在保护层与牺牲层上形成第一电极，并形成第一电极与CMOS电路之间的电连接，第一电极覆盖牺牲层;在第一电极上形成压电层，压电层与牺牲层的位置对应;在压电层上形成第二电极，并形成第二电极与CMOS电路之间的电连接;在第一电极上或保护层形成到达牺牲层的通孔;以及经由通孔除去牺牲层形成空腔。该方法制造的MEMS器件灵敏度高同时又显著降低制造成本和改善工艺兼容性。

专栏文章内容及配图由作者撰写发布，仅供工程师学习之用，如有侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 联系我们