12月11日消息，在三星、SK海力士及美光等头部存储芯片的持续扩大减产的背景之下，11月NAND Flash wafer价格涨幅超过25%。由于原厂减产后供给减少，再加上原厂主动进行涨价，部分存储模块厂只能接受原厂涨价，特别是在“原厂还会继续涨价”的预期心理下，存储模组厂商持续抢货，将进一步推升了12月的价格涨幅。

据了解，作为NAND Flash龙头大厂，三星从第二季起开始持续降低NAND Flash产量，9月再扩大幅度至总产能的50%，主要集中在128层堆叠以下产品，这也为整个NAND Flash市场奠定了涨价的信心。

由于存储芯片原厂减产幅度超乎预期，加上客户端库存普遍偏少，促使NAND Flash价格持续上涨。然而，今年下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为Mate 60系列等也刺激其它中国手机品牌扩大生产目标，短时间需求涌入，推动第四季合约价格的上涨。

这一轮存储芯片价格上涨最剧烈的莫过于NAND Flash wafer的价格。根据TrendForce的最新的调研结果显示，从产业现况来看，NAND模组厂商库存因客户追单而快速落底，导致模组厂转而向原厂要求扩大供应，然而，原厂持续维持减产策略，供不应求致使第四季NAND Flash wafer价格反弹强烈。从TrendForce的数据来看，NAND Flash wafer 11月单月涨幅超过25%。

业内人士透露，在目前供给有限，且需求大幅增加的情况下，模块厂只能接受原厂的强势涨幅。而业界因为预期原厂会持续涨价，导致“大家就是一直抢货”。

从目前的市况来看，TrendForce认为12月NAND Flash在供给吃紧下，价格将持续推升。但第一季价格是否持续大幅拉升，依旧要看原厂减产策略与市场需求状况而定。

据悉，业界传出的消息显示，有原厂因下游拉货状况火热，已开始考虑增加产能。一旦原厂提早增产，加上需求表现未明显好转，价格上涨幅度将明显受到限缩。

编辑：芯智讯-林子

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