专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > P2402CAG-VB一款N沟道SOT23-6封装MOSFET应用分析

P2402CAG-VB一款N沟道SOT23-6封装MOSFET应用分析

发布人:VBsemi 时间:2023-11-20 来源:工程师 发布文章

P2402CAG (VB7322)参数说明:极性:N沟道;额定电压:30V;最大电流:6A;导通电阻:30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V;门源电压范围:20Vgs (±V)阈值电压:1.2V;封装:SOT23-6

VB7322.png

应用简介:P2402CAG (VB7322) 是一款N沟道MOSFET,适用于需要中等功率电流控制的应用。

其中等导通电阻使其在多种应用中表现出色。

常用于电源开关、电机驱动、LED驱动等。

优势:适中的电流:适用于多种中等功率应用。

低导通电阻:有助于降低功耗,提高效率。

适用封装:SOT23-6封装适合空间有限的设计。

适用模块:P2402CAG (VB7322) 适用于中等功率电流控制模块,如电源管理模块、电机驱动模块等。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: P2402CAG MOS管 MOS mosfet VBsemi

相关推荐

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

开关电源手册

快速、150V 保护、高压侧驱动器

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

IR系列MOS驱动ic中文应用手册

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

器件资料\\IRF840

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

DCorAC逆变器的制作

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

SiC MOSFET的并联设计要点

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区