在DRAM市场，三星、SK海力士、美光占据主导地位，国产DRAM也在加速发展，代表性企业有合肥长鑫与紫光存储，但技术方面与头部厂商仍有较多大的差距。据中国闪存市场2020年二季度DRAM市场营收数据显示，三星、SK海力士、美光占据95%以上的市场份额，排名第四与第五的分别是南亚科技与华邦，分别占有市场份额的0.8%、0.9%。

对近期DRAM的主要厂商及产品作了梳理，具体数据如下所示：

三星

2020年2月25日，三星电子宣布首个智能手机16G LPDDR5，其数据传输速率达到550Mbps,相比上一代提升1.3倍，在有效降低20%功耗基础上，同时扩大了2倍的容量。此产品是基于三星的第二代10nm级处理技术，拥有业界最高的运行性能与最大的存储容量。

16GB LPDDR5是由8片12GB芯片和4片8GB芯片集成，增强了5G与AI功能，突出的性能表现让其引领高端移动存储市场，丰富了图形、游戏和摄影的展示。
SK海力士
2020年10月6日，SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM，其芯片内置型错误纠正代码（Error Correction Code,ECC）；内置ECC能够依靠自身功能修复DRAM单元（cell）单字节单位的错误。收益于该特性，采用SK海力士DDR5 DRAM的系统的可信赖度有望提升二十倍。
作为新一代DRAM其数据传输速率高达4800~5600Mbps，速率比上一代提升了1.8倍。与此同时，该产品的电压由上一代的1.2V降低到1.1V,能减少20%的功耗，有利于倡导绿色环保发展道路，减少运营成本。

新一代DRAM首次采用PMIC，为其提供稳定高效的电压、电流，提高存储效率。
美光
2020年3月11日，美光科技宣布推出uMCP5，采用LPDDR5 DRAM，由于建立在uMCP4框架的基础上，使用Micron LPDDR5内存来优化5g网络，与LPDDR4相比，效率提高了近20%，具有uMCP5的设备将支持最高6.4gbps的最大DRAM带宽，与前几代LPDDR技术相比增加了50%，美光的uMCP5还采用了最快的基于UFS3.1的存储接口。这种芯片应用于高端智能手机，提供高效率与低功耗，使得手机能够更快处理数据密集的5G工作，此外在图像识别、先进人工智能与多摄像头支持领域也被应用。
南亚
南亚科技致力于DRAM之研发、设计、制造与销售，并在美国、欧洲、日本、大陆设立营销点，1月13日，南亚科自主研发10nm级DRAM技术，第一代的10纳米前导产品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5将建构在自主制程技术及产品技术平台，2020下半年后将进入产品试产第二代10nm制程技术已经进入研发阶段，以往南亚科需要美光授权，此次10nm级内存自研为降低授权费用、提升性能以及技术创新提供有力支撑。
合肥长鑫
今年底合肥长鑫的产能就有可能超过7万片晶圆/月，这意味着他们有望超越南亚成为全球第四大DRAM芯片厂。目前长鑫量产的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片主要还是19nm工艺的，相比三星等公司也要落伍2-3年时间，提升技术水平也是长鑫的关键。在未来2-3年内将推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发，要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5产品并实现产业化。
东芯半导体
东芯半导体作为Fabless芯片企业，聚焦中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售，是目前国内可以同时提供NAND/NOR/DRAM/MCP设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。在DRAM领域主要产品有DDR3与LPDDR系列。其中DDR3相对与DDR1/DDR2，东芯DDR3系列产品具有更高的传输率及更低的工作电压。提供1.5V/1.35V两种电压模式，且拥有标准SSTL接口的DDR3 SDRAM,具有8n-bit。

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