- 介绍SDRAM电路设计之前先了解下SDRAM的寻址原理。SDRAM内部是一个存储阵列，可以把它想象成一个表格，和表格的检索原理一样，先指定行，再指定列，就可
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SDRAM 电路设计 寻址原理 存储单元
- 在复用检测和线性校验码检测的基础上，提出互补存储、奇偶校验和汉明码校验三种存储单元的抗故障攻击防护方案。应用这三种方案，用硬件描述语言Verilog设计了三种抗故障攻击双端口RAM存储器，在Altera 公司的器件EP1C12Q240C8上予以实现。
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汉明码校验 存储单元 Verilog
- 分析了RISC微处理器结构的特点，针对分组密码的操作特征在RISC结构密码专用微处理器中增加专用存储单元，用来专门存储密码运算的相关数据，同时扩展了指令集，极大地减少了执行密码算法时的指令条数,提高了密码运算效率，增强了其处理性能。
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RISC微处理器 分组密码 存储单元
- SuperFlash®技术基于分离栅极概念，广泛用于独立和嵌入式NOR闪存产品。与其他竞争解决方案相比，SuperFlash的主要优势包括：因采用较厚的隧道电介质
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分离栅极 存储单元 嵌入式
- 摘要：本文介绍MCS-8051单片机片外256 KB数据存储器的扩展方法，主要以MCS-8051系列单片机为例，介绍一种新的片外 ...
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MCS-8051单 数据存储器 存储单元
- 8月18日，美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院（CNSE）等机构共同宣布，世界上首个22纳米节点有效静态随机存储器（SRAM）研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下，制造出有效存储单元。
SRAM芯片是更复杂的设备，比如微处理器的“先驱”。SRAM单元的尺寸更是半导体产业中的关键技术指标。最新的SRAM单元利用传统的六晶体管设计，仅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度缩小障碍。
新的研究工作是在
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AMD SRAM IBM 存储单元
- 本文设计了一种低电压甲乙类开关电流存储单元，电源电压±1 V，其最大采样信号频率12.9 MHz，并且具有结构简单、容易设计的优点。
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低电压 存储单元 开关电流
存储单元介绍
存储单元一般应具有存储数据和读写数据的功能，一般以8字节作为一个存储单元。每个单元有一个地址，是一个整数编码，可以表示为二进制整数。程序中的变量和主存储器的存储单元相对应。变量的名字对应着存储单元的地址，变量内容对应着单元所存储的数据。指针的内容是存储地址在存储器中有大量的存储元，把它们按相同的位划分为组，组内所有的存储元同时进行读出或写入操作，这样的一组存储元称为一个存储单元。一个存储单元通常可 [
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