- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案---SiC779CD。
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Vishay DrMOS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，为广受欢迎的低ESR TR3高容量、高电压模压钽贴片电容器新增一种W外形尺寸(EIA 7316)。新外形尺寸为7.3mm x 6.0mm，高3.45mm，使电容器的容量和电压范围扩展到现有A至E外形尺寸以外。
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Vishay 钽贴片电容器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，在公司网站(http://www.vishay.com)上推出日文、中文和韩文的企业宣传视频。该视频展示了Vishay的系列产品、设计和制造资源、可信赖的高品质元器件交付能力、广泛的应用支持，以及遍布全球的供应链。
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Vishay 元器件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用0806、1008、1111和1515外形尺寸的新系列低外形、高电流电感器---IFSC。IFSC器件具有低至1.0mm的超薄外形和高的最大频率，提供0.47µH～47.0µH的标准感值。
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Vishay 高电流电感器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其TANTAMOUNT® Hi-Rel COTS T97和商用的工业级597D系列固钽贴片电容器，以及ThunderFET™ SiR880DP 80V N沟道功率MOSFET入选2011年Design News杂志电子和测试类Golden Mousetrap Best Product的最终评选名单。
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Vishay 固钽贴片电容器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布9款新系列低外形、表面贴装的标准、快速和超快雪崩整流器---AS1Px、AS3Px和AS4Px标准整流器，AR1Px、AR3Px和AR4Px快速整流器，AU1Px、AU2Px和AU3Px超快整流器。整流器的雪崩容量达20mJ EAS，正向电流高达4A，采用节省空间的小尺寸SMP和SMPC封装。
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Vishay 雪崩整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V电压下工作的单通道和双通道2A负载开关--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低开关导通电阻能够提高效率，150μs的典型受控软启动斜率能够限制涌入电流，使受控的启动过程更加平滑，从而将开关噪声降至最小。
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Vishay 负载开关
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd荣获TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的优秀供应商奖。Vishay是全球最大的分立半导体和无源电子器件制造商之一，TTI是全球领先的授权分销商，专门从事无源、连接器、机电产品和分立器件的分销。
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Vishay 分立半导体
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款IHLP®低外形、高电流电感器--- IHLP-3232DZ-11，该器件在同类器件当中首次采用3232外形尺寸。IHLP-3232DZ-11的占位面积为8.3mm x 8.8mm，高度仅有4.0mm，低至1.35mΩ的最大DCR和从0.22µH至47.0µH的标准感值可提供系统所需的高效率。
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Vishay 电感器
- Vishay宣布，在Vishay网站上推出可帮助设计者为其应用选择合适的绕线电阻的免费在线脉冲能量计算器。
Vishay新的Joule School在线脉冲能量计算器使设计者能够确定在其应用中在电阻上通过的脉冲能量。计算器非常适合为承受容性充电/放电或闪电浪涌等大脉冲应用来选择合适的绕线电阻，包括电话塔、雷达系统、风车、焊接机、测试设备和电源等。
Joule School简单易用，设计者可以从三种脉冲类型中选择一种进行计算，包括矩形脉冲、容性充电/放电脉冲和指数衰减脉冲。在选择完脉冲类型后
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Vishay 计算器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。
40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻为1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的导通电阻比最
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Vishay MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
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Vishay MOSFET SiA923EDJ
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK® SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内，新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。
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Vishay 功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出增强型PLT系列精密低TCR薄膜电阻，将容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的温度范围内，这些器件具有低至±5ppm/℃的标准TCR。
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Vishay 薄膜电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技术，在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。
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Vishay MOSFET
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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