日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V电压下工作的单通道和双通道2A负载开关--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低开关导通电阻能够提高效率，150μs的典型受控软启动斜率能够限制涌入电流，使受控的启动过程更加平滑，从而将开关噪声降至最小。
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Vishay 负载开关
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd荣获TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的优秀供应商奖。Vishay是全球最大的分立半导体和无源电子器件制造商之一，TTI是全球领先的授权分销商，专门从事无源、连接器、机电产品和分立器件的分销。
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Vishay 分立半导体
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款IHLP®低外形、高电流电感器--- IHLP-3232DZ-11，该器件在同类器件当中首次采用3232外形尺寸。IHLP-3232DZ-11的占位面积为8.3mm x 8.8mm，高度仅有4.0mm，低至1.35mΩ的最大DCR和从0.22µH至47.0µH的标准感值可提供系统所需的高效率。
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Vishay 电感器
Vishay宣布，在Vishay网站上推出可帮助设计者为其应用选择合适的绕线电阻的免费在线脉冲能量计算器。
Vishay新的Joule School在线脉冲能量计算器使设计者能够确定在其应用中在电阻上通过的脉冲能量。计算器非常适合为承受容性充电/放电或闪电浪涌等大脉冲应用来选择合适的绕线电阻，包括电话塔、雷达系统、风车、焊接机、测试设备和电源等。
Joule School简单易用，设计者可以从三种脉冲类型中选择一种进行计算，包括矩形脉冲、容性充电/放电脉冲和指数衰减脉冲。在选择完脉冲类型后
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Vishay 计算器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。
40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻为1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的导通电阻比最
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Vishay MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
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Vishay MOSFET SiA923EDJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK® SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内，新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。
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Vishay 功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出增强型PLT系列精密低TCR薄膜电阻，将容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的温度范围内，这些器件具有低至±5ppm/℃的标准TCR。
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Vishay 薄膜电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技术，在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。
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Vishay MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列螺旋式接线柱功率铝电容器---104 PHL-ST。该款电容器在+105℃下的使用寿命长达5000小时，在+105℃下的额定纹波电流高达34.8A，提供从35mm x 60mm至90mm x 220mm的11种外形尺寸。
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Vishay 铝电容器
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为其TSOP 红外系列接收器中的10种产品推出新的“V”低压电源选项，扩充其光电子产品组合，以满足电池供电的消费产品对更低工作电压的需求。在低至2V的电源电压和+5℃～+85℃的温度范围内工作时，V系列器件始终能够保持稳定的灵敏度等级。
在采用2节碱性电池的应用中，以160mA负载工作3小时，电池的典型放电曲线会从3V降到2.5V。这意味着只能在2.5V电压下工作的标准接收器将停止工作。而一个典型非线性电池
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Vishay 红外接收器 V系列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip仪表分流电阻--- WSMS2908，在业内首次采用可直接焊到PCB板上的传感引线，无需昂贵的柔性引线。在2908尺寸的封装内，WSMS2908实现了3W功率和100 μΩ的极低阻值。
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Vishay WSMS2908
降低能量消耗、延长电池寿命，这是每个工程师在设计便携式电子产品时努力的目标。电池技术的进步非常缓慢，所以便携式产品的设计者把延长电池寿命的重点放在电源管理上。多年以来，从事电源管理业务的半导体制造商尽力跟上终端系统用户的需求。越来越多的便携式电子产品在功能上花样翻新，这些产品需要峰值性能，要求设计者在设备的物理尺度内实现尽可能高的效率。虽然电池行业努力开发具有比传统镍镉(NiCd)电池电量更高的替代电池技术，但还远不能满
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Vishay MOSFET
日前，长期为军工和航天客户提供高可靠性分立IC器件的供应商VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，推出8通道单端模拟复用器高可靠性DG408，扩充其按照MIL-PRF-38535规范进行筛选的模拟开关和复用器系列。
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Vishay 模拟复用器
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布， 推出采用抛物线型透镜实现±3°极窄半强角的新款850nm红外发射器--- VSLY5850，扩充其光电子产品组合。基于独特的表面发射器芯片技术，VSLY5850在100mA驱动电流下可提供高达600mW/sr的辐射强度、55mW的光功率和10ns的开关时间。
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Vishay 发射器 VSLY5850
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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