日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,该公司的WSMS2908 Power Metal Strip仪表分流电阻荣获《电子产品世界》(EEPW)的“2011编辑推荐”奖,该杂志是中国重要的电子专业类刊物。
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Vishay 无源器件
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,提高其VJ HVArc Guard表面贴装X7R多层陶瓷片式电容器(MLCC)的最低容值。对于更低的容值,公司会提供C0G(NP0)电介质,电压范围1000V~2500V,及采用0805~2225的5种外形尺寸。
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Vishay MLCC VJ HVArc Guard
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款新型耐高温、表面贴装的环绕式厚膜片式电阻---CHPHT。对于钻井应用,CHPHT是业内首款具有-55℃~+230℃的工作温度和-55℃~+245℃储存温度的此类器件。
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Vishay 电阻 CHPHT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列可在-55℃~+215℃宽温条件下工作的双通道薄膜电阻网络---HTRN系列。该系列电阻网络的工作温度范围比传统薄膜片式电阻扩大了近100℃,绝对TCR低至±25ppm/℃,TCR跟踪为5ppm/℃,以及±0.05%的严格比例容差。
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Vishay 薄膜电阻 HTRN
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出在-55℃~+175℃温度及50%电压降额情况下工作的新系列HI-TMP TANTAMOUNT表面贴装固态模压片式钽电容器---TH4系列。通过AEC-Q200认证的TH4电容器能在远远超过工业标准的高温下工作,为汽车和工业应用的设计工程师提供了稳固和更可靠的产品。
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Vishay 钽电容器 TH4
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。
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Vishay MOSFET SiZ300DT SiZ910DT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用一个集成电阻和低电致伸缩陶瓷配方的新款陶瓷多层片式电容器(MLCC)--- VJ CDC。对于高脉冲电流应用,VJ受控放电电容器(CDC)提供了出色的稳定性,可承受1000VDC~1500VDC的高电压,容量为33nF~560nF。
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Vishay MLCC VJ CDC
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款采用该公司的SurfLight表面发射器技术制造的850nm红外(IR)发射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01,扩大其光电子产品组合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封装,占位为6.0mm x 7.0mm x1.5mm,具有超群的高驱动电流、发光强度和光功率,同时具有低热阻系数。
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Vishay 发射器 VSMY7852X01 VSMY7850X01
除了能节省电路板空间,4线VBUS54ED-FBL采用了“渗流”设计,这种设计支持笔记本电脑、手机、MP3播放器和便携式游戏机等移动式电子产品中USB 3.0、HDMI、DisplayPort、eSATA和1394/Firewire等应用中高速数据线对浪涌电阻的要求。
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Vishay ESD VBUS54ED-FBL
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用,这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。
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Vishay MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一系列采用超小2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封装的功率型Mini LED---VLMx233..系列。该系列器件具有大红、红色、琥珀色、浅桔色和黄色等几种颜色,采用最先进的AllnGaP技术,使光输出增加了3倍,并通过针对汽车应用AEC-Q101标准认证。
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Vishay 封装 Mini LED VLMx233
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首款采用表面贴装封装的CAT IV高压隔离光耦---CNY64ST和CNY65ST,扩充其光电子产品组合。CNY64ST和CNY65ST系列产品通过了国际安全监管机构VDE的认证,具有长爬电距离和高隔离测试电压,可保护在类似太阳能发电和风电机组的电网连接等高压环境中的工人和设备。现在,希望在产品中全面使用表面贴装元器件以实现灵活生产的客户可以使用CNY64ST和CNY65ST,这两款器件填补了现有CNY6x系列通孔器件在封装形式上
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Vishay 太阳能 CAT IV
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%,而导通电阻则与之相当甚至更低。
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Vishay MOSFET Si8802DB
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款可使用2.7V~16V单电源或±2.7V~±8V双电源工作的新器件,充实其DG92xx系列CMOS模拟开关和多路复用器。新器件具有工作电压范围宽、小封装尺寸和兼容低电压逻辑的特点,可用于高速、高精度开关应用。
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Vishay Siliconix CMOS DG9236 DG9251
vishay介绍
威世(VISHAY)集团成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家,其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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