日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。
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Vishay MOSFET SiZ300DT SiZ910DT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用一个集成电阻和低电致伸缩陶瓷配方的新款陶瓷多层片式电容器(MLCC)--- VJ CDC。对于高脉冲电流应用,VJ受控放电电容器(CDC)提供了出色的稳定性,可承受1000VDC~1500VDC的高电压,容量为33nF~560nF。
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Vishay MLCC VJ CDC
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款采用该公司的SurfLight表面发射器技术制造的850nm红外(IR)发射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01,扩大其光电子产品组合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封装,占位为6.0mm x 7.0mm x1.5mm,具有超群的高驱动电流、发光强度和光功率,同时具有低热阻系数。
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Vishay 发射器 VSMY7852X01 VSMY7850X01
除了能节省电路板空间,4线VBUS54ED-FBL采用了“渗流”设计,这种设计支持笔记本电脑、手机、MP3播放器和便携式游戏机等移动式电子产品中USB 3.0、HDMI、DisplayPort、eSATA和1394/Firewire等应用中高速数据线对浪涌电阻的要求。
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Vishay ESD VBUS54ED-FBL
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用,这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。
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Vishay MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一系列采用超小2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封装的功率型Mini LED---VLMx233..系列。该系列器件具有大红、红色、琥珀色、浅桔色和黄色等几种颜色,采用最先进的AllnGaP技术,使光输出增加了3倍,并通过针对汽车应用AEC-Q101标准认证。
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Vishay 封装 Mini LED VLMx233
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首款采用表面贴装封装的CAT IV高压隔离光耦---CNY64ST和CNY65ST,扩充其光电子产品组合。CNY64ST和CNY65ST系列产品通过了国际安全监管机构VDE的认证,具有长爬电距离和高隔离测试电压,可保护在类似太阳能发电和风电机组的电网连接等高压环境中的工人和设备。现在,希望在产品中全面使用表面贴装元器件以实现灵活生产的客户可以使用CNY64ST和CNY65ST,这两款器件填补了现有CNY6x系列通孔器件在封装形式上
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Vishay 太阳能 CAT IV
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%,而导通电阻则与之相当甚至更低。
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Vishay MOSFET Si8802DB
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款可使用2.7V~16V单电源或±2.7V~±8V双电源工作的新器件,充实其DG92xx系列CMOS模拟开关和多路复用器。新器件具有工作电压范围宽、小封装尺寸和兼容低电压逻辑的特点,可用于高速、高精度开关应用。
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Vishay Siliconix CMOS DG9236 DG9251
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大导通电阻,以及22A~47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换应用中的MOSFET的重要优值系数。
与前一代S系列器件相比,新的
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Vishay Siliconix MOSFET
2011 年 10 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET 功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。
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Vishay MOSFET
2011 年 9 月26 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,为减少由板弯曲开裂引发的失效,推出新的VJ汽车系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC),可选的聚合物端接能够承受更高的弯曲应力。器件采用C0G(NP0)和X5R/X7R/X8R电介质,每种器件都有很多外形尺寸、电压等级和容值可供选择。
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Vishay 电容器
2011 年 9 月22日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超小型CLP0603硅封装的新款双向对称(BiSy)单路ESD保护二极管---VCUT05D1-SD0。VCUT05D1-SD0具有10pF的低电容,可在便携式电子产品中保护信号和数据线路免受瞬态电压信号的侵扰,并大大节省PCB空间。
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Vishay 二极管 VCUT05D1-SD0
2011 年 9 月 20 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款采用3232外形尺寸的IHLP小尺寸、高电流的电感器---IHLP-3232CZ-11。IHLP-3232CZ-11尺寸小巧,具有8.26mm x 8.79mm的占位面积和3.0mm的超低高度,低至1.62mΩ的最大DCR和0.22µH~33.0µH的标准感值能够让系统高效工作。
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Vishay 电感器 IHLP-3232CZ-11
vishay介绍
威世(VISHAY)集团成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家,其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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