- 在大功率电源当中，MOS器件的消耗至关重要。其很有可能关系到电源的整体效率。在之前的文章中，小编为大家介绍了一些功率耗散的方法，在本文中，小编将
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同步整流器 MOS 功率
- CMOS和TTL集成门电路在实际使用时经常遇到这样一个问题，即输入端有多余的，如何正确处理这些多余的输入端才能使电路正常而稳定的工作? 一、CMOS门电路 CMOS 门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法： 1、
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CMOS TTL
- 我们知道，在电路系统的各个子模块进行数据交换时可能会存在一些问题导致信号无法正常、高质量地“流通”，例如有时电路子模块各自的工作时序有偏差(如CPU与外设)或者各自的信号类型不一致(如传感器检测光信号)等，这时我们应该考虑通过相应的接口方式来很好地处理这个问题。 下面就电路设计中7个常用的接口类型的关键点进行说明一下： 1TTL电平接口 这个接口类型基本是老生常谈的吧，从上大学学习模拟电路、数字电路开始，对于一般的电路设计，TTL电平接口基本就脱不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以内，这
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TTL CMOS
- 数字电路之数字集成电路IC-在上一期《数字电路之如雷贯耳的“逻辑电路”》中我们了解了基本的逻辑电路，本期将讲解数字IC的基础和组合电路。
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数字电路 逻辑IC COMS TTL
- 串口、COM口、TTL、RS-232的区别详解-串口、COM口是指的物理接口形式（硬件）。而TTL、RS-232、RS-485是指的电平标准（电信号）。
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串口 RS-232 TTL com口
- 如何设计防反接保护电路？-利用MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
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mos
- 揭秘高效电源如何选择合适的MOS管-在当今的开关电源设备中，MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS管的工作性能产生重大影响。因此深入了解功率MOS管的工作原理和关键参数对电源设计工程师至关重要。
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MOS 电源
- 本文主要对电路设计常用接口类型进行了简要说明，下面一起来学习一下： (1)TTL电平接口： 这个接口类型基本是老生常谈的吧，从上大学学习模拟电路、数字电路开始，对于一般的电路设计，TTL电平接口基本就脱不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以内，这是由于BJT的输入端存在几个pF的输入电容的缘故(构成一个LPF)，输入信号超过一定频率的话，信号就将“丢失”。它的驱动能力一般最大为几十个毫安。正常工作的信号电压一般较高，要是把它和信号电压较低的ECL电路接近时会产生比较明显的串扰问题。
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TTL CMOS
- 手机串口一般是CMOS电平，当把android手机当做开发板上的一个器件(比如利用android系统自带的GPRS模块，wifi模块，语音视频模块等等)看待时，常常会涉及到自己重写底层协议和驱动的情况，同时也会涉及到不同开发板不同电平之间的转换。最近在做一个利用android手机收发数据的实验，其中就涉及到了EIA电平和TTL电平的转换，TTL电平和CMOS电平的转换。现简要的总结下常用的TTL电平，CMOS电平和EIA电平，以及一些与上述电平有关集成逻辑电路和rs232串口的一些基本知识： 一、集
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TTL CMOS
- 随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。
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MOS FinFET
- 我们都知道，不同类型的网络，其MTU(最大传输单元)各不相同，如以太网中，最大的传输帧为1518字节，FDDI为4500字节，令牌环帧在4500字节到17800字节之间，而IP协议的一个重要功能，就是能够对传输的数据大于硬件接口的MTU时，对其进行分段传输。即大于MTU的数据报将被分为2个或多个的合适的大小被传输。一个分片在到达接收主机的路径中，还可能被继续分片，因此，分片的IP数据报可能会以不同的路径传输到接收主机，接收主机通过一系列的重组，将其还原为一个完整的IP数据报，再提交给上层协议处理
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IP数据报 TTL UDP协议
- 作为工作于开关状态的能量转换装置，开关电源的电压、电流变化率很高，产生的干扰强度较大；干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相对于数字电路干扰源的位置较为清楚；开关频率不高（从几十千赫和数兆赫兹），主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰；而印刷线路板（PCB）走线通常采用手工布线，具有更大的随意性，这增加了PCB分布
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EMI 开关电源 MOS
- 如同摩尔定律所述，数十年来，芯片的密度和速度正呈指数级成长。众所周知，这种高速成长的趋势总有一天会结束，只是不知道当这一刻来临时，芯片的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，芯片密度不断增加，而闸级氧化层宽度不断减少，超大规模集成电路(VLSI)中常见的多种效应变得原来越重要且难以控制，天线效应便是其中之一。
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IC设计 天线 天线效应 充电损害 MOS
- 在开关电源电路设计当中，电流的转换分为很多种。其中直流转换是较常见的一种设计。通常称为DC-DC转换，是指将一个电压值转化为另一个电压值电能的装置。直流转换设计在开关电源当中非常常见，也是新手接触比较多一种电路设计，本篇文章将为大家介绍这种电路当中非同步与同步的区别。
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DC-DC MOS 同步 开关电源 非同步
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