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MOSEFT分析:理解功率MOSFET的开关损耗

  • 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知...
  • 关键字: mos/开关损耗  

TTL异或门电路

开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路

  • 对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小) 在讨论前我们先做
  • 关键字: 吸收  回路  RCD  管反峰  设计  MOS  开关电源  

单片TTL触摸式开关电路图

  • 这里只用一片集成电路块T065的触摸式开关。它小巧,功耗较低,适宜给晶体管收音机之类的小电流用电器作无触点开关。下图中为工作原理图。YF3和YF4以及C3、R3组成单稳态触发器。这种电路只有一个稳定状态。外加触发信
  • 关键字: 电路图  开关  触摸式  TTL  单片  

TTL或CMOS集电极开路输出的功耗

  • 用来计算TTL集电极开路输出电路静态功耗的公式如下:其中:VT=上拉电阻的有效端接电压
    R=端接电阻的有效值
    VHI=高电平输出(通常等于VT)
    VLO=低电平输出
    VEE=输出晶体管的射极(或源极
  • 关键字: CMOS  TTL  集电极开路  功耗    

MOS-FET开关电路

  • MOS-FET虽然与JFET结构不同,但特性极为相似,N沟道和P沟道各分增强型和耗尽型,可在许多电路中代替J-FET,如图5.4-97所示,电路用MOS-FET代替J-FET更简单,如衅5.4-100所示短路开关对应图5.4-96中的A、C、D三个电路
  • 关键字: MOS-FET  开关电路    

采用C-MOS与非门的发光二极管脉冲驱动电路

  • 电路的功能如使用发光二极管直流发光,正向偏流只能在数10MA以下,允以获得大的发光输出,若采用缩小导通时的占空比,则可获得大的峰值电流。本电路发光频率为1KHZ,脉冲载频为38KHZ,受发光电路很容易分辩外来光。电
  • 关键字: 驱动  电路  脉冲  发光二极管  C-MOS  与非门  采用  

采用C-MOS转换器的石英晶体振荡电路

  • 电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势,而且74HC系列产品也得到了进一步的充实。用2级TTL构成的时钟振荡电路已可用C-MOS IC构成的振荡电路替代,因为TTL IC如果置偏电阻等元件参数选择不当,容易停振或
  • 关键字: C-MOS  转换器  石英晶体  振荡电路    

可设定10~100秒的长时间C-MOS定时电路

  • 电路的功能若要用555芯片组成长时间定时电路,R用高阻值,便可加长CR时间常数,但是,由于内部比较器的输入偏流较大,难以充电到门限电压,比较器无法驱动,为此,本电路采用了偏流非常小的C-MOS定时器芯片,选用高阻
  • 关键字: 电路  定时  C-MOS  时间  设定  

TTL与非门电路及TTL与非门的技术参数

  • 基本TTL反相器不难改变成为多输入端的与非门 。它的主要特点是在电路的输入端采用了多发射极的BJT ,如下图所示。器件中的每一个发射极能各自独立地形成正向偏置的发射结 ,并可促使BJT进人放大或饱和区。两个或多个发射极可以并联地构成一大面积的组合发射极。
  • 关键字: TTL  与非门电路  与非门  技术参数    

集成电路布图设计登记:数量持续上升 中国企业占优

  •   2008年,受到全球半导体市场衰退的影响,中国集成电路产业由前几年的较快增长转变为下滑。尽管中国以内需市场为主的集成电路设计业仍实现了一定增长,但严重依赖出口的芯片制造和封测行业下滑严重。市场的变化和利润的减少迫使企业不断创新,知识产权问题将变得更加重要。作为集成电路行业特殊的知识产权保护形式,集成电路布图设计登记应得到更多的关注。   最近,中国半导体行业协会知识产权工作部和上海硅知识产权交易中心联合推出中国集成电路布图设计登记2008年度报告,本期刊登部分节选,供业界研究参考。   本报告数据
  • 关键字: NEC  MOS  集成电路布图设计  

麻省理工学院计划为发展中国家开发12美元PC

  •   美国麻省理工学院一个为第三世界家庭开发廉价计算机的项目组将以任天堂娱乐系统为基础而不是以苹果II电脑为基础进行设计。这两种系统都采用相同的处理器芯片。   一些Mac计算机网站指出,《波士顿先驱报》本周一的一篇文章介绍了本月麻省理工学院国际设计峰会部分内容“教育家庭计算计划”。这个计划的目标是开发成本只有12美元的初级计算机。   虽然设计师之一的27岁研究生Derek Lomas说他希望给第三世界的学校提供类似于伴随他长大苹果II计算机,但是,他和他的团队研制的这种计算机
  • 关键字: PC  廉价  处理器  MOS 6502  

Maxim推出高压、高速MOSFET驱动器

  •   Maxim推出高压、高速MOSFET驱动器MAX15018/MAX15019,用于驱动高边和低边n沟道MOSFET。器件具有高端(HS)引脚,允许高达125V的输入电压,该指标优于竞争产品的105V电压。MAX15018/MAX15019与工业标准的HIP2100IB和HIP2101IB引脚兼容,理想用于必须承受100V或更高瞬态电压的电信电源产品中,保证足够的安全裕量。   MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值电流,传输延迟仅为35ns (典型值),驱动器之间能够保证2ns (
  • 关键字: Maxim  MOSFET  驱动器  TTL  

基于LT1641的双路热插拔电路设计

  •   0 引言   很多大型数据系统中都会采用"背板+插件板"结构。这样,在更换维护插件板时,通常都希望在不影响系统工作的情况下带电插拔。电路上电或带电插拔时,一般会产生很大的启动电流和电压波动,这些现象将影响设备的正常工作,甚至导致整个系统的损害。当一块插件板插入工作背板或者从工作背板拔出时,插件板上附加电容的充放电会给工作背板提供一个低阻抗,此时背板到插件板的高涌入电流可能会烧毁连接器和电路元件,或者暂时使背板陷落以导致系统重启。这种现象就是热插拔现象。   所谓热插拔(Hot
  • 关键字: 电路  热插拔  MOS  电源  

TTL和CMOS电平总结

  •   1,TTL电平(什么是TTL电平):  输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。   2,CMOS电平:  1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。   3,电平转换电路:  因为TTL和COMS的高低电平
  • 关键字: TTL  CMOS  电平  嵌入式系统  单片机  嵌入式  
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