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super junction mosfet 文章 最新资讯

开关模式电源电流检测——第二部分

  • 电流检测电阻的位置连同开关稳压器架构决定了要检测的电流。检测的电流包括峰值电感电流、谷值电感电流（连续导通模式下电感电流的最小值）和平均输出电流。检测电阻的位置会影响功率损耗、噪声计算以及检测电阻监控电路看到的共模电压。放置在降压调节器高端对于降压调节器，电流检测电阻有多个位置可以放置。当放置在顶部MOSFET的高端时（如图1所示），它会在顶部MOSFET导通时检测峰值电感电流，从而可用于峰值电流模式控制电源。但是，当顶部MOSFET关断且底部MOSFET导通时，它不测量电感电流。图1 带高端RSENSE
  • 关键字： MOSFET  

Nexperia扩展LFPAK56D MOSFET产品系列，推出符合AEC-Q101标准的半桥封装产品

  • 关键半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥（高端和低端）汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用（包括电机驱动器和DC/DC转换器）的标准构建模块。这种新封装提供了一种单器件半桥解决方案。与用于三相电机控制拓扑的双通道MOSFET相比，由于去掉了PCB线路，其占用的PCB面积减少了30%，同时支持在生产过程中进行简单的自动光学检测(AOI)。LFPAK56D半桥产品采用现有的大批量LFPAK56D封装工艺，并具有成熟的汽车级
  • 关键字： Nexperia  MOSFET  AEC-Q101  

采用 23mm x 16.5mm 封装的 170W 倍压器

  • 设计要点 DN571 - 引言对于高电压输入/输出应用，无电感型开关电容器转换器 (充电泵) 相比基于电感器的传统降压或升压拓扑可显著地改善效率和缩减解决方案尺寸。通过采用充电泵取代电感器，一个 “跨接电容器” 可用于存储能量和把能量从输入传递至输出。电容器的能量密度远高于电感器，因而采用充电泵可使功率密度提高 10 倍。但是，由于在启动、保护、栅极驱动和稳压方面面临挑战，所以充电泵传统上一直局限于低功率应用。ADI公司的LTC7820 克服了这些问题，可实现高功率密度、高效率 (达 99%) 的解决方案
  • 关键字： MOSFET  

在可再生能源应用的逆变器设计中使用SPWM发生器

  • 可再生能源仍然是世界范围内的大趋势。随着捕获风能、太阳能和其他形式的可再生能源的方法不断发展，可再生能源系统的成本和效率对公司和消费者都越来越有吸引力。实际上，2016年，全球对可再生能源的资本投资跌到了多年来最低水平，但是却创下了一年内可再生能源设备安装数量最多的记录。在用于可再生能源系统的组件中，逆变器是一项尤其关键的系统组件。由于大多数可再生能源都是通过直流电（DC）产生的，因此逆变器在将直流电（DC）转换为交流电（AC）以有效整合到现有电网中起着关键作用。在混合了不同可再生能源的混合动力系统和微电
  • 关键字： PWM  AC  DC  MOSFET  SPWM  

采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET

  • 引言人们普遍认为，SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度，有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而，由于传统功率半导体封装的限制，在实际应用中并不总是能发挥SiC元器件的全部潜力。在本文中，我们首先讨论传统封装的一些局限性，然后介绍采用更好的封装形式所带来的好处。最后，展示对使用了图腾柱（Totem-Pole）拓扑的3.7kW单相PFC进行封装改进后获得的改善效果。功率元器件传统封装形式带来的开关性能限制TO-247N（图1）是应用最广泛的功率晶体管传统封装形式之一。如图1左侧所示，
  • 关键字： MOSFET  

Vishay赞助的同济大学电动方程式车队勇夺冠军，支持培养下一代汽车设计师

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其赞助的同济大学大学生电动方程式车队---DIAN Racing首次荣获中国大学生电动方程式汽车大赛（FSEC）总冠军。DIAN Racing车队由100多名成员组成，致力于提高汽车速度和能效，同时为国际清洁能源的发展做出贡献。每年，车队设计制造一款先进的电动赛车，参加包括FSEC在内的国际大学生方程式汽车赛。在2020年襄阳站的角逐中，DIAN Racing车队以设计报告和直线加速赛第一，8字绕环第二，耐久性第三的优异成绩获得本届比
  • 关键字： MOSFET  

Vishay赞助的同济大学电动方程式车队勇夺冠军，支持培养下一代汽车设计师

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其赞助的同济大学大学生电动方程式车队---DIAN Racing首次荣获中国大学生电动方程式汽车大赛（FSEC）总冠军。DIAN Racing车队由100多名成员组成，致力于提高汽车速度和能效，同时为国际清洁能源的发展做出贡献。每年，车队设计制造一款先进的电动赛车，参加包括FSEC在内的国际大学生方程式汽车赛。在2020年襄阳站的角逐中，DIAN Racing车队以设计报告和直线加速赛第一，8字绕环第二，耐久性第三的优异成绩获得本届比
  • 关键字： MOSFET  

GD32创新反电动势采样方案，助力高效控制BLDC电机

  • 0   引言电机（Electric machinery，俗称“马达”）是指依据电磁感应定律实现电能转换或传递的一种电磁装置，用来产生驱动转矩作为电器或各种机械的动力源。目前通常使用微控制器（MCU）对电机的启停及转速进行控制。本文介绍了基于兆易创新（GigaDevice）公司GD32 MCU 的一种创新型高精度反电动势电压采样方案，广泛应用于工业控制、智能制造、消费电子、家用电器、交通运输等领域实现高效电机控制。图1 有刷直流电机1   电机控制概况按照工作电源的不
  • 关键字： MOSFET  BLDC  

哪些应用和技术会成为2021的热点

  • 全球都在共同积极应对新冠肺炎病毒(COVID-19)这个充满挑战的新环境，疫情加速了许多本来就在进行的趋势，所有趋势都潜藏着一个一致的主题，那就是弹性。互联网的应用比以前有了更大的发展和进步。有很多人在网上订购生活必需品送货上门，以尽可能保持社交距离。人们的工作、社交、教育、娱乐几乎超出了预期，被迫学习和适应相关的工具。幸运的是，通信和信息网络的基础设施已做出了令人难以置信的反应，在增加的流量和负荷下保持了良好的状态。网络使用量的增长刺激了对这一关键基础设施的投资力度，5G基础设施加速部署，云计算数据中心
  • 关键字： MOSFET  Wi-Fi 6  202101  

ROHM开发出实现超低导通电阻的第五代Pch MOSFET

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品，其中包括支持24V输入电压的－40V和－60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列产品作为ROHM拥有丰硕市场业绩的Pch MOSFET产品，采用了第五代新微米工艺，实现了业界超低的单位面积导通电阻*3。－40
  • 关键字： MOSFET  

Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供历经十亿个周期测试的 可靠重复雪崩性能

  • 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天发布获得AEC-Q101认证的新重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合，重点关注动力系统应用。该技术已通过十亿个雪崩周期测试，可用于汽车感性负载控制，例如电磁阀和执行器。除了提供更快的关断时间（高达4倍）外，该技术还能通过减少BOM数量简化设计。  在汽车动力总成中的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。第四个选择是重复雪崩设计，利用MOSFET的重复雪崩能力来泄放在其关
  • 关键字： Nexperia  AEC-Q101  MOSFET  

简化汽车车身电机控制器设计，快速实现轻量化

  • 无论是调整座椅至最佳位置还是能够轻松打开行李箱，车身电子设备系统都可使用电机来提高驾乘人员的舒适性和便利性。金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）控制这些应用的电动装置。但将MOSFET用作开关给电子控制模块设计（包括电磁干扰（EMI）和热管理、电流感应、断电制动以及诊断与保护）带来了新的技术性挑战。德州仪器开发的集成电路（IC）电机驱动器产品集成了模拟功能，可帮助电子控制模块设计人员应对这些挑战，同时减小解决方案尺寸并缩短开发时间。本文中，我们将讨论可帮助应对这些设计挑战、集成到电机驱动集成电路中
  • 关键字： MOSFET  

照明的光明未来

  • 要有（电）灯！但谁负责点亮呢？有许多人声称自己是电灯的发明者，在19世纪中叶的许多发展为世界变得更亮一点铺平了道路。我们可能无法查明确切的“发现”！但我们知道的是，1879年，托马斯·爱迪生（Thomas Edison）申请了第一个商业上成功的带有碳化竹丝的电灯泡专利[[1]]。除了细丝材料的微小改进，包括20世纪初期从碳到钨的转变，我们从那时起直到最近基本上一直在使用爱迪生的古老技术。白炽灯泡迅速普及，提供了低成本和高质量的照明。但在过去的一二十年中，照明技术发生了根本性的变化，在大多数住宅和商业设施中
  • 关键字： MOSFET  

三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线

  • 中国化合物半导体全产业链制造平台 --  三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET随着中
  • 关键字： 三安集成  碳化硅  MOSFET  

占空比的上限

  • 开关稳压器使用占空比来实现电压或电流反馈控制。占空比是指导通时间(TON)与整个周期时长（关断时间(TOFF)加上导通时间）之比，定义了输入电压和输出电压之间的简单关系。更准确的计算可能还需要考虑其他因素，但在以下这些说明中，这些并不是决定性因素。开关稳压器的占空比由各自的开关稳压器拓扑决定。降压型（降压）转换器具有占空比D，D = 输出电压/输入电压，如图1所示。对于升压型（升压）转换器，占空比D = 1 –（输入电压/输出电压）。这些关系仅适用于连续导通模式(CCM)。在这个模式下，电感电流在时间段T
  • 关键字： CCM  TON  MOSFET  
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