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super junction mosfet 文章 进入super junction mosfet技术社区

基于英飞凌SIC MOSFET 和驱动器的11kW DC-DC变换器方案

  • REF-DAB11KIZSICSYS是一个CLLC谐振DC/DC转换器板，能够提供高达11kW的800 V输出电压，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性价比和功率密度更高。凭借其高效的双向功率变换能力和软开关特性，是电动汽车和能量存储系统（ESS）等DCDC项目的理想选择。 终端应用产品30 kW 至 150 kW 的充电机，50 kW 至 350 kW 的充电机，储能系统，电动汽车快速充电，功率转换系统 （PCS）►场景应用
  • 关键字： mosfet  dc-dc  英飞凌  ipcdcdc  infineon  终端  功率  dc  充电器  

上海贝岭为USB-PD应用提供高性能驱动IC和MOSFET解决方案

  • 智能化便携式电子设备诸如智能手机、笔记本电脑、平板电脑等的不断更新换代，功能越来越丰富，随之带来了耗电量急剧上升的挑战。然而，在现有电池能量密度还未取得突破性进展的背景下，人们开始探索更快的电量补给，以高效充电来压缩充电时间，降低充电的时间成本，从而换取设备的便携性，提升用户体验。目前，USB-PD是最为主流的快充技术。该技术标准具有18W、20W、35W、65W和140W等多种功率规格，以及5V、9V、12V和20V等多种电压输出。灵活的电压电流输出配置让各种电子设备都能通过一条USB-TYPE C线缆
  • 关键字： 上海贝岭  驱动IC  MOSFET  

测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项：一般测量方法

  • SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。本文的关键要点・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头进行测量，在开关速度较快时
  • 关键字： 罗姆半导体，MOSFET  

东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。  新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约
  • 关键字： 东芝  SiC MOSFET  

Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。 RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关
  • 关键字： Nexperia  晶圆级  MOSFET  

单片驱动器+ MOSFET (DrMOS)技术如何改善电源系统设计

  • 本文介绍最新的驱动器+ MOSFET (DrMOS)技术及其在稳压器模块(VRM)应用中的优势。单片DrMOS器件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能。引言随着技术的进步，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速。因此，这些器件需要的功率急剧增加。微处理器所需的这种电源由稳压器模块(VRM)提供。在该领域，推动稳压器发展的主要有两个参数。首先是稳压器的功率密度（单位体积的功率），为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度。另一个参数是功率转换效率
  • 关键字： ADI  MOSFET  电源系统设计  

Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET包括：  新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外，随着
  • 关键字： Nexperia  MOSFET  

NXP K32W061 ZigBee Super Dongle 方案

  • 随着时代的进步,传统的人工近距离控制、检测和采样的方式,已经无法满足时代的需求,而物联网已经成为未来发展的趋势,智能化、自动化在未来将为管理和生活带来更多的便利性.在物联网IoT盛行的当前,无线通信技术将起着关键的作用,它将可以解决远程控制、远程监测和采集的问题.其中 ZigBee 技术将承担不可替代的角色,其应用前景令人关注.应运市场发展需求一款基于NXP K32W061 ZigBee Super Dongle 方案应运而生。该方案采用超低功耗高性能 Arm®Cortex®-M4 无线微控制器，片上 F
  • 关键字： NXP  K32W061  ZigBee  Super Dongle  

豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET

  • 电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。  WNMD2196A 超低Rss(ON)，专为手机锂电池保护设计近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦虑的同时，高功率充电下的安全问题不容小觑。MOSFET在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能
  • 关键字： 豪威集团  MOSFET  

分立式CoolSiC MOSFET的寄生导通行为研究

  • 米勒电容引起的寄生导通常被认为是碳化硅MOSFET的弱点。为了避免这种效应，硬开关逆变器通常采用负栅极电压关断。但是，这对于CoolSiC™MOSFET真的是必要的吗？引言选择适当的栅极电压是设计所有栅极驱动电路的关键。凭借英飞凌的CoolSiC™MOSFET技术，设计人员能够选择介于18V和15V之间的栅极开通电压，从而使器件具有极佳的载流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，栅极关断电压仅需确保器件保持安全关断即可。英飞凌鼓励设计人员在0V下关断分立式MOSFET，从而简化栅极驱动电路。为此，本文介绍了
  • 关键字： 英飞凌   MOSFET  

具备出色稳定性的CoolSiC MOSFET M1H

  • 过去几年，实际应用条件下的阈值电压漂移（VGS(th)）一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象，并提出了工作栅极电压区域的建议，旨在最大限度地减少使用寿命内的漂移。[1]。引言过去几年，实际应用条件下的阈值电压漂移（VGS(th)）一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象，并提出了工作栅极电压区域的建议，旨在最大限度地减少使用寿命内的漂移。[1]。经过不断研究和持续优化，现在，全新推出的CoolSiC™ MO
  • 关键字： 英飞凌  MOSFET  

SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨

  • 随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅（SiC）器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车，可再生能源及储能等应用领域的发展，更是不容小觑。富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。作为系列文章的第一部分，本文将先就SiC
  • 关键字： 富昌电子  SiC  MOSFET  

东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC，助力移动电子设备小型化

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品配备了过电压锁定功能，能根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。                                      
  • 关键字： MOSFET  栅极驱动  

当SiC MOSFET遇上2L-SRC

  • 导读】事物皆有两面：SiC MOSFET以更快的开关速度，相比IGBT可明显降低器件开关损耗，提升系统效率和功率密度；但是高速的开关切换，也产生了更大的dv/dt和di/dt，对一些电机控制领域的电机绝缘和EMI设计都带来了额外的挑战。应用痛点氢燃料系统中的高速空压机控制器功率35kW上下，转速高达10万转以上，输出频率可达2000Hz，调制频率50kHz以上是常见的设计，SiC MOSFET是很好的解决方案。但是，SiC的高dv/dt和谐波会造成空压机线包发热和电机轴电流。一般的对策有二：1.采用大的栅
  • 关键字： 英飞凌  MOSFET  2L-SRC  

SiC MOSFET驱动电压测试结果离谱的六大原因

  • _____开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一，由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试，而在电路设计时直接测量在运行中的变换器上的器件波形，为了得到正确的结论，获得精准的开关过程波形至关重要。SiC MOSFET相较于 Si MOS 和 IGBT 能够显著提高变换器的效率和功率密度，同时还能够降低系统成本，受到广大电源工程师的青睐，越来越多的功率变换器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 与 Si 开关器件的一个重要区别是它
  • 关键字： Tektronix  SiC  MOSFET  
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