- RAMRAM是指通过指令可以随机的、个别的对各个存储单元进行访问的存储器，一般访问时间基本固定，而与存储单元地址无关。RAM的速度比较快，但其保
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SRAM DRAM SDRAM 比较
- 使用LPC2106的Timer 1 进行的简单的中断处理。示例代码中Timer1分为FIQ和IRQ，用户可以从Flash或者SRAM中运行这些代码。示例展示了ARM构架中中断是如何操作
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Flash SRAM 触发中断
- 不同存储器都有其各自的优势和缺点，由消费类产品驱动的存储器市场在呼唤性能更优存储器技术，当然也要价格便宜。
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MRAM SRAM
- 嵌入式系统的性能取决于其软硬件能力。一个编写合理的软件可以利用硬件的所有能力发挥后者的最大性能。与此类似，无论软件设计多么合理，低效的硬件都可能影响系统性能。 数十年来，传统嵌入式系统的结构一直没有改变。图1显示了一个典型嵌入式系统的框图。一个微控制器和一个微处理器位于系统的核心。按照具体应用，系统设计人员可根据需要删减接口和外设。如果控制器的内置存储器不足，就需要使用闪存、SRAM、DRAM等外置存储器。通常而言，闪存用于存储控制器执行的代码，而SRAM用于存储运行时临时变量和保存重要的应用数据块
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SRAM 存储器
- Zeno Semiconductor日前开发出将最小静态随机存取存储器(SRAM)纳入单一MOS电晶体技术，不仅其采用记忆单元(bit-cell)数量变多，存取时间也可大幅缩短4成。 据EE Times网站报导，Zeno在国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting)上展示这项新技术。Zeno执行董事长Zvi Or-Bach表示，该技术之所以让N型MOS电晶体做为稳定SRAM，主要是透过采
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Zeno SRAM
- 一年一度的“国际固态电路会议”(ISSCC)将在明年2月举行，几乎所有重要的晶片研发成果都将首度在此公开发布，让业界得以一窥即将面世的最新技术及其发展趋势。三星(Samsung)将在ISSCC 2016发表最新的10nm制程技术、联发科(MediaTek)将展示采用三丛集(Tri-Cluster)架构搭载十核心的创新行动SoC。此外，指纹辨识、视觉处理器与3D晶片堆叠以及更高密度记忆体等技术也将在此展示最新开发成果。
三星将提供更多DRAM与快
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SRAM ISSCC
- 在英特尔(Intel)、台积电的SRAM仍停留在14纳米、16纳米制程时，三星电子(Samsung Electronics)已抢先研发出10纳米FinFET制程SRAM，这也意味着距离10纳米逻辑芯片量产更近一步。 速度较DRAM快的SRAM，可运用为中央处理器(CPU)缓存存储器。完成研发10纳米SRAM，也意味着三星在同制程系统芯片生产准备作业正顺利进行。照此趋势，2017年初将可正式量产采10纳米制程的移动应用处理器(AP)。10纳米AP将与GB级数据机芯片整合，移动装置速度将更快。 据南韩
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三星 SRAM
- 外置SRAM通常配有一个并行接口。考虑到大多数基于SRAM的应用的存储器要求，选择并行接口并不令人惊讶。对于已经(和仍在)使用SRAM的高性能(主要是缓存)应用而言，与串行接口相比，并行接口拥有明显优势。但这种情况似乎即将改变。
尽管能够提供高于串行接口的性能，但并行接口也有劣势。其中最明显的是，无论是从电路板空间还是从引脚数要求的角度而言，并行接口的尺寸都远远大于串行接口。例如，一个简单的4Mb SRAM最多可能需要43个引脚才能与一个控制器相连。在使用一个4Mb SRAM时，我们的要求可能如
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赛普拉斯 SRAM
- PROM、EEPROM、FLASH的总结性区别
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH是结合EPROM和EEPRO
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SRAM DRAM
- 经过几十年的发展，电子产业几乎已成为一个线性系统，并被摩尔定律(Moore‘sLaw)左右。然而随着摩尔定律逐渐出现松动，越来越多新技术开始浮上台面。这些技术不仅仅是既有技术的改进，而是全面的变革。电子产业可望借由这些新技术转型成为非线性系统，推翻多年来电子产业所定立的主张。
存储器技术近年的发展，可能就此改变存储器与处理技术在1940年代便已确立的关系。连续存储器配置的效率尽管不断受到挑战，但系统的惰性使得这种配置几十年来维持不变。
即使在对称多处理系统中，存储器的配置仍多是
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存储器 SRAM
- 并购有助于填补中国集成电路产业空白、完成初级阶段的布局、带来规模效应，但并购不能带来产业先进，还是要靠自己持续不断的研发投入，做出真正意义上的世界级原创技术，才能让中国集成电路站到超越先进的层面。
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集成电路 SRAM
- ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算
机的内存。
RAM
有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但
是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RA
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ROM RAM SRAM
- 静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，推出业界最高容量的其具有片上错误校正码(ECC)的同步SRAM。新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能，使之可以提供最高水平的数据可靠性，简化多种军用、通讯和数据处理应用的设计。赛普拉斯今年计划扩充具备ECC功能的同步SRAM产品线，增加其他容量的产品。
由背景辐射引起的软错误可损坏存储器中的内容，造成重要数据的遗失。赛普拉斯新型同步SRAM系列中的硬件ECC模块可在线执行所有的错误校正功能，而无需用户干预，能达到业界最佳的软
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赛普拉斯 SRAM
- 静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正码(ECC)的4Mb异步SRAM正在出样。这些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的数据可靠性，而无需额外的错误校正芯片，从而简化了设计，并缩小了电路板尺寸。该器件可在工业、军事、通讯、数据处理、医疗、消费及汽车等应用中确保数据的可靠性。
由背景辐射引起的软错误可损坏存储器中的内容，造成重要数据的遗失。赛普拉斯新型异步SRAM系列中的硬件ECC模块可在线执行所有的错误校正功能，而无需用户干预，能达到业界最
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赛普拉斯 SRAM
- 静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正码(ECC)的4Mb异步SRAM正在出样。这些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的数据可靠性，而无需额外的错误校正芯片，从而简化了设计，并缩小了电路板尺寸。该器件可在工业、军事、通讯、数据处理、医疗、消费及汽车等应用中确保数据的可靠性。
由背景辐射引起的软错误可损坏存储器中的内容，造成重要数据的遗失。赛普拉斯新型异步SRAM系列中的硬件ECC模块可在线执行所有的错误校正功能，而无需用户干预，能达到业界最
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