- Zeno Semiconductor日前开发出将最小静态随机存取存储器(SRAM)纳入单一MOS电晶体技术，不仅其采用记忆单元(bit-cell)数量变多，存取时间也可大幅缩短4成。 据EE Times网站报导，Zeno在国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting)上展示这项新技术。Zeno执行董事长Zvi Or-Bach表示，该技术之所以让N型MOS电晶体做为稳定SRAM，主要是透过采
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Zeno SRAM
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