据海外媒体报道，SK海力士(SK Hynix)计划在韩国利川12吋晶圆厂M10上投产CMOS影像传感器(CIS)一事备受外界关注。分析指出，SK海力士将能强化自家CIS事业竞争力，并有望在目前正在更迭的市场版图上取得甜头。
韩媒ETNews报导指出，SK海力士此举代表着，想要正式挑战非存储器市场的企图心。过去这段期间，SK海力士不断苦恼着，在利川12吋新厂M14启动后，该如何使用M10厂。因为如果将M10 DRAM生产量移转至M14，M10里的产线将会闲置。虽然SK海力士曾经表示过，M10之后可
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SK海力士 CIS
南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织，将DRAM、NAND Flash、CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运，事业群自行加强竞争力，而SK海力士
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SK海力士 DRAM NAND
全球市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示， 2014年第二季全球 DRAM 产值达108亿美元，较上季成长9%。由于产品比重调配得宜，三
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第二季 全球 三星 SK海力士
东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术，同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决
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SK海力士 东芝
韩国NAND Flash大厂SK海力士(SK Hynix)积极建立芯片设计团队，继买下美系NAND Flash设计公司LAMD后，近期更出手买下USB 3.0设计厂银灿旗下内嵌式存储器(eMMC)部
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TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新报告显示，由于市况供过于求，第二季DRAM的平均销售单 价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%。然而，受惠于美光20纳米及SK海力士21纳米产出顺利，带动位元供给增长，使得第二季全球DRAM总营收约91亿 美元，季增长6.3%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第二季笔记本电脑及服务器相 关产品出货动能表现一般，但中国地区的智能手机出货依然强劲，因此DRAM三大厂也同步调整产品类别，持续向行动式内存
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SK海力士 DRAM
DRAM三足鼎立的格局持续至今，然而随着中国军团的加入一定程度上搅乱了这一潭太久没有新鲜血液注入的浑水，DRAM市场三足鼎立的局面究竟是否还能继续维持？未来的DRAM市场是一家独大、三足鼎立还是百家争鸣？或许关键就在于国产DRAM的表现。
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三星 SK海力士
Gartner 5 日公布 2015 年全球半导体营收，受到需求放缓、汇率剧烈变动影响，总产值呈现下滑，然半导体老大哥英特尔，即便在接下来先进制程竞逐，可能落后台积电与三星，2015 年仍稳坐半导体龙头宝座，而两大韩厂三星与 SK 海力士在该年度则分居二、三名。
Gartner 5 日公布 2015 年全球半导体营收，需求减缓加上汇率较剧烈的变动，使得半导体整体营收下滑，全年总产值 3,348 亿美元，较去年同期衰退 2.3%，前 25 大厂商占整体半导体厂营收比重来到 73.5%，较 2014
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三星 SK海力士
继三星电子(Samsung Electronics)推出128GB及256GB通用快闪储存(Universal Flash Storage;UFS)2.0芯片，SK海力士(SK Hynix)亦投入量产64GB UFS 2.0芯片，尽管东芝(Toshiba)及美光(Micron)尚未在UFS领域有具体成果，然随着全球NAND Flash市场龙头及第四大厂纷开始量产UFS芯片，可望加速智慧型手机存储器规格升级，业界预估2016年下半便可看到搭载UFS芯片的高阶手机陆续上市。
根据韩国电子新闻(ET
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三星 SK海力士
随着新一代显卡到来，内存芯片制造商SKHynix希望成为显卡革命的一部分。据德国IT网站Golem.de报道，SK Hynix计划不久将开始生产第二代高带宽内存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片显然预计在今年第三季度出货，8GB芯片将在今年第四季度上市。
通过这一举措，SK Hynix将成为三星竞争者。三星之前已经宣布其HBM2内存生产计划。标准组织JEDEC之前已经更新HBM2规范。 HBM2总线位宽和HBM相同，但具有更高的时钟频率和容量，时钟频率从1GHz起跳，到2GHz，数
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SK海力士 HBM2
随着新一代显卡到来，内存芯片制造商SKHynix希望成为显卡革命的一部分。据德国IT网站Golem.de报道，SK Hynix计划不久将开始生产第二代高带宽内存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片显然预计在今年第三季度出货，8GB芯片将在今年第四季度上市。
通过这一举措，SK Hynix将成为三星竞争者。三星之前已经宣布其HBM2内存生产计划。标准组织JEDEC之前已经更新HBM2规范。 HBM2总线位宽和HBM相同，但具有更高的时钟频率和容量，时钟频率从1GHz起跳，到2GHz，数
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SK海力士 HBM2
日经新闻报导,SK海力士周一宣布，将砸15.5兆韩元(125亿美元)，再盖一座新存储器工厂。
新厂选址在南韩忠清南道省北部，与原海力士旧厂比邻。据日经新闻报导，海力士已取得25万平方公尺的土地面积，并与清州市政府签订合作备忘录(MOU)，新厂预计将在2018年正式动工、2019年投产。
新厂确切的产品目前还不清楚，不过海力士某官员暗示应该为NAND存储器，若新厂全部投入生产NAND存储器，海力士现有NAND存储器产能将扩增超过两倍。
此外，海力士亦宣布已开始在现有的清州厂量产先进的3
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SK海力士 存储器
2016年展望并不乐观，PC市场成长已停滞好几年，连智能型手机市场也出现成长趋缓的迹象，DRAM、NAND Flash的价格也因此持续下跌，这个时候逆势上扬也是下了多大的决心。
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SK海力士
大陆紫光集团入股南韩SK海力士遭拒，消息人士透露，紫光集团已专注与美光(Micron)洽商入股，预料很快可明朗化，让同属美光集团的华亚科战略地位大大提升。
消息人士透露，紫光集团将以不坚持在大陆设DRAM厂为条件，争取入股美光。紫光董事长赵伟国证实，紫光正和美一芯片厂洽商合作，虽然紫光不愿透露对象，但市场推估应该就是美光。
据了解，美光若获紫光入股，紫光未来将借重美光提供庞大的DRAM货源，美光获财力雄厚的紫光集团提供金援，将可快速推进DRAM制程脚步，让美光从
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紫光 SK海力士
韩国半导体产业营收在三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)两大厂之外，正逐渐减少。三星和SK海力士各居存储器市场第一、二名，营收每年大幅成长，韩国半导体产业出现基础强化的错觉。然事实上除两大厂外，韩国半导体产业规模正逐渐缩减。
Digital Times引用市调机构IHS资料指出，2015年上半韩国半导体营收中，三星以199.63亿美元占66.9%，SK海力士以85.56亿美元占28.7%。两企业营收比重合计达95.6%，以最近期第2季资料来看，比重更
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