- SK海力士最先进72层3D NAND存储器传明年开始量产,韩联社周一引述知情人事消息报导指出,SK海力士计划于2017上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的M14厂将可在下半年开始生产。
若按计划进行,SK海力士将成为全球第一个量产72层3D NAND的存储器厂。为因应市场需求增温,SK海力士上周已宣布将在韩国与中国两地,投资3.15兆韩圜来增加DRAM与NAND存储器产能。
随着微缩制程遭遇瓶颈,业者纷纷改以3D垂直方式堆叠存储器做突破,但工艺技术各不相同。目前技术领先的三星已于
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SK海力士 存储器
- 全球三大DRAM厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光,近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员,全力防堵DRAM技术流入中国大陆,让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板,也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员,遭到空前恫吓。
半导体人士透露,三大DRAM厂强力防止中国大陆藉挖角剽窃技术,显示不乐见DRAM产业寡占局面被中国大陆全力抢进而打破,三大厂采取法律制约员工跳槽的行动,如果能奏效,将使DRAM供给缺口浮现问题再扩大,明年再现飙涨
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DRAM SK海力士
- SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂,满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设,2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备,总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
SK海力士表示,公司决定额外的新建一座Fab工厂,主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长,以及引导向3D NAND发展。加之,考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年,所以提前做好准备。
SK海力士曾在20
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NAND Flash SK海力士
- 传闻SK海力士(SK Hynix)即将在2017年上半启动10奈米级DRAM量产,这将是继三星电子(Samsung Electronics)之后,第二家投产10奈米级DRAM的半导体业者。目前SK海力士已完成1x奈米技术研发,同时着手开发1y奈米,并组成1z奈米研发团队,持续追求更高的技术竞争力。
据韩媒ET News报导,14日业界消息指出,SK海力士以Alius作为计画名称的1x奈米DRAM即将正式量产。其目前已完成客户样品生产,正进行最后的可靠度检测,预定2017年第2季由M14新厂正式量
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SK海力士 DRAM
- 继三星之后,SK 海力士计划明年开始量产 10 纳米 DRAM,在 1x DRAM 开发完成后,SK 海力士将继续研发 1y DRAM,并为发展 1z DRAM 铺路。
来自产业界的消息指出,SK 海力士 1x DRAM 开发代号设为 Alius,已准备进入量产前置作业。SK 海力士目前已经完成晶圆制样,正要在进行可靠度认证。
半导体认证通常需将过工程试样(Engineering sample)与客户端式样(Customer sample)两道程序,在通过客户测试后,产品开发才算完成。据报
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SK海力士 DRAM
- 继三星之后,SK 海力士计划明年开始量产 10 纳米 DRAM,在 1x DRAM 开发完成后,SK 海力士将继续研发 1y DRAM,并为发展 1z DRAM 铺路。
来自产业界的消息指出,SK 海力士 1x DRAM 开发代号设为 Alius,已准备进入量产前置作业。SK 海力士目前已经完成晶圆制样,正要在进行可靠度认证。
半导体认证通常需将过工程试样(Engineering sample)与客户端式样(Customer sample)两道程序,在通过客户测试后,产品开发才算完成。据报
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SK海力士 DRAM
- 随着2017年固态硬碟(SSD)占NAND Flash应用比重将挑战40%,全球储存领域异业整合风潮将迈向另一个高峰,继硬碟龙头厂西部数据(Western Digital;WD)购并NAND Flash存储器大厂闪迪(SanDisk),近期传出SK海力士(SK Hynix)将与希捷(Seagate)策略联盟成立合资公司,专攻企业云端SSD市场,成为握有HDD和SSD两大储存产品的新阵营,挑战既有霸主三星电子(Samsung Electronics)及英特尔(Intel),未来云端SSD可望是NAND
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SK海力士 希捷
- 硬盘大厂争相与Flash厂商结盟,全球存储器产业链供货、版图又将迎来什么样的变化?
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希捷 SK海力士
- 据韩国经济报导,传闻SK海力士(SK Hynix)先前测试生产的48层3D NAND Flash产品已通过客户端认证,最快将从11月底正式启动量产;以12吋晶圆计算的月产能可望提高到2万~3万片,3D NAND Flash的生产比重也将提高至整体NAND Flash的15%。
业界除了三星电子(Samsung Electronics)已从2015年第4季起开始量产48层产品之外,其他如东芝(Toshiba)、美光(Micron)等,目前都尚未突破技术瓶颈,SK海力士将是第二家进入量产的业者。
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SK海力士 NAND
- 据韩国经济报导,SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品,2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash,持续扩大3D NAND的生产比重。
SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示,IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增,2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4,公司
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SK海力士 DRAM
- 据韩国经济报导,SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品,2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash,持续扩大3D NAND的生产比重。
SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示,IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增,2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4,公司
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SK海力士 DRAM
- 传闻2017年SK海力士(SK Hynix)将在利川12吋晶圆厂(M10)量产1,300万画素CMOS影像感测器(CIS),并减少清州8吋晶圆厂(M8) 的低画素CIS产量,M8厂空出的产能将进行代工生产显示器驱动IC(DDIC)、电源管理IC(PMIC)等系统半导体,全力发展非存储器半导体事业。
据韩媒ET News报导,SK海力士的非存储器半导体事业发展方向日前定案,已进入执行阶段;SK海力士并以45亿韩元(约397万美元)向子公司Silicon File取得相关资产设备。Silicon F
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SK海力士 CIS
- 韩国第二大存储器厂SK 海力士周二公布第三季获利尽管大减近五成,但仍优于市场预期,激励股价盘中走扬。
海力士7-9月营业利润赚进7,259亿韩圈(6.41亿美元),虽然较去年同期降低47.5%,但高于路透社调查预估的6,720亿韩圈。如与前季相比,营业利润跳增60.3%,较能反映存储器近期价格回涨。 当季营收来到4.2兆韩圈,较去年同期衰退13.8%。受财报利多消息激励,海力士早盘于韩股盘中劲扬3.11%、暂报41,400韩圈,今年迄今累计涨幅达34.8%。
海力士在声明稿上表示,电脑存储
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SK海力士 存储器
- SK海力士(SK Hynix)与美国史丹佛大学(Stanford University)以及相关设备及材料业者合作,将共同研发结构类似人类脑神经构造的新半导体元件,期盼能提升巨量资料(Big Data)的运算速度,加速人工智能(AI)时代来临。
据韩国经济报导,日前SK海力士与美国史丹佛大学签约,将合作研发利用铁电材料(Ferroelectrics)的人工神经网路半导体元件(Artificial Neural Network Devices)。这项研究计划的参与单位还包括半导体设备业者科林研发(
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SK海力士 半导体
- 据海外媒体报道,存储器价格超夯,今年至今韩厂SK 海力士 (SK Hynix )已经飙升35%,部分外资相当乐观,预言还有20%上行空间。
巴伦(Barronˋs)14日报导,DRAM价格上涨,带动SK海力士一路攀高。DRAMeXchange预估,第三季DRAM价格将季增9%,第四季价格可能会再飙将近30%。有鉴于此,摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估计,SK海力士股价可望续涨20%。
大摩报告称,时序迈向Q4,DRAM和NAND价格表现都优于预期,也胜过SK海力士的预估。DRAM投
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SK海力士 存储器
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