Nano Cap 技术为解决电容问题开拓了小型化和稳定化新领域全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向汽车动力总成系统、车身和汽车信息娱乐系统等广泛的车载应用的一次（直接连接12V电池）电源，开发出车载LDO稳压器*1 IC“BD9xxN1系列（BD950N1G-C、BD933N1G-C、BD900N1G-C、BD950N1WG-C、BD933N1WG-C、BD900N1WG-C）”。近年来，随着各种设备的电子化进程加速，电子元器件的安装数量也与日俱增，为了减少元器件的尺寸和数量，对于减少常
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ROHM LDO稳压器
支持全高清（Full HD）分辨率的产品且通过业界先进的端到端数据监控功能，助力功能安全全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向多屏化趋势下的车载显示器领域，开发出支持全高清分辨率（1,980×1,080像素）的SerDes IC*1（串行器：BU18TL82-M，解串器：BU18RL82-M）。近年来，随着电子后视镜和液晶仪表盘的普及，每辆车安装的显示器数量随之增加，视频传输路径也变得更加复杂，这必然会导致系统成本和故障风险增加，因此简化视频传输路径一直是亟需解决的课题。另外，由于电子镜上
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ROHM 视频传输 串行/解串器
SEMIKRON和半导体制造商ROHM在开发碳化硅（SiC）功率模块方面已经有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被运用于SEMIKRON车规级功率模块「eMPack」，开启了双方合作的全新里程碑。 合作仪式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德国公司社长 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已与德国一家大型汽车制造商签
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ROHM SiC SEMIKRON 功率模块
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向需要对电子电路进行电压监控以确保安全的各种车载和工业设备应用（包括车辆引擎控制单元和FA设备），开发出具有高精度和超低静态电流的复位IC*1（电压检测器）“BD48HW0G-C”。 近年来，在汽车和工业设备领域，围绕自动驾驶（自动化）的技术创新日新月异，对安全性的要求也越来越高。与此同时，为了构建更安全的系统，要求在设备开发过程中就要考虑到在发生问题时如何确保安全（故障安全和功能安全）。目前，ROHM已开发出1,000多种复位IC，这些是电子
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ROHM 复位IC
有助于提高空调、电动汽车充电桩等的电源效率并为减少噪声对策做出贡献全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向在空调和电动汽车充电桩等需要大功率的工业设备和消费电子设备，开发出实现了低VF和高速trr特性*1以及超低噪声特性的第4代快速恢复二极管（以下称“FRD”）650V耐压“RFL/RFS系列”。近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题。其中，高功耗的白色家电和电动汽车充电桩等工业设备不仅需要提高电源电路的效率，还需要减轻降噪设计的负担。在这种背景下，ROHM推
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ROHM FRD
在上一篇文章中，我们通过工作原理和公式了解了有无驱动器源极引脚的差异和效果。有驱动器源极引脚的MOSFET可以消除源极引脚的电感带来的影响，从而可降低开关损耗。在本文中，我们将通过双脉冲测试来确认驱动器源极引脚的效果。・具备驱动器源极引脚，可以大大降低导通损耗和关断损耗。・如果ID导通峰值或VDS关断浪涌因开关速度提升而增加，就需要采取对策。在上一篇文章中，我们通过工作原理和公式了解了有无驱动器源极引脚的差异和效果。有驱动器源极引脚的MOSFET可以消除源极引脚的电感带来的影响，从而可降低开关损耗。在本文
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ROHM 驱动器
【导读】近年来，在智能手机和智能手表等众多的应用领域，由于可以取消充电端口并提高防水和防尘性能，无线供电功能的应用越来越广泛。同样，在小型薄型设备领域，对这种非常方便的无线供电功能的需求也日益增长。另一方面，由于天线形状、尺寸和距离等因素会影响到能否实现供电功能以及供电效率，因此需要在电子设备整机上反复进行试制、调整、评估等工作之后才能实现无线供电功能，这使得天线设计和布局设计方面的开发负担非常繁重。因此，业内对于更好地通用于小型设备的无线供电标准和方式的期望值越来越高。无线供电方式及其特点无线供电方式有
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ROHM 无线充电
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种
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UPS PrestoMOS ROHM
半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用于基地台、数据中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路。 EcoGaN首波产品 GNE10xxTB系列?有助基地台和数据中心实现低功耗和小型化一般来说，GaN组件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，有助降低各种电源功耗和实现外围组件小型化。但其闸极耐压很低，因此在开关工作时的组件可靠性方面尚存在课题。针对该课题，RO
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SiC GaN ROHM
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量产体制，该系列产品的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2高达8V，非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。一般而言，GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。但其栅极耐压很低，在开关工作时的器件可靠性方面存在问题。针对这一课题，ROHM的新产品通过采用自有的结构，成功
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ROHM 150V GaN HEMT
一、测试工装准备1、P02SCT3040KR-EVK-001测试板2、电压源3、示波器4、负载仪二、测试项目进行1、安装 SIC后的空载波形SiC安装空载波形空板，空载GS 为100hz 25V 信号2、DCDC 在线测试1）空载测试驱动空载输出12V，gs驱动为200hz总宽度3.6uS的锥形信号2）加载 24转55V 2A dcdc驱动信号波形如下：带载 6.6k 15V驱动信号单脉冲宽度，3uS左右总结由于轻负载，温度始终未超过50度。开关速度方面优于硅基产品，以后有对应设备
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
测试设备①直流电源由于手上没有高电压的直流电源，只能使用一般的电源，且手上只有一个低压直流稳压源，所以这稳压电源既用于给开发板电源供电，又用于半桥母线电源。②电子负载半桥电源电源的输出负载，可恒流或者恒压或者恒负载，测试电源的带载能力非常好用。③信号发生器产生不同频率的可调制的方波信号，用于MOS管的驱动④示波器观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形⑤万用表测量各测试点的电压⑥温度巡检仪测量带载后MOS管的温度测试拓扑将说明书中电路按照上述描述修改：两个直流电源换成CBB电容，在Hvdc母线上加上12V电
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
感谢ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001评估板，有幸参与评估板的测试。拿到评估板的第一感觉就是扎实，评估板四层PCB的板子厚度达到了30mm；高压区域也有明显的标识。
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
7月27日，罗姆媒体交流会成功举办。会上，来自罗姆半导体的专家们向电子产品世界等媒体介绍了新产品用于LiDAR的激光二极管的特性，分享了罗姆中期经营计划。
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ROHM RLD90QZW3 FPLD
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款高输出功率半导体激光二极管“RLD90QZW3”，非常适用于搭载测距和空间识别用LiDAR*1的工业设备领域的AGV*2（无人搬运车）和服务机器人、消费电子设备领域的扫地机器人等应用。
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ROHM RLD90QZW3 激光二极管 LiDAR
rohm介绍
Rohm株式会社为全球知名的半导体生产企业，ROHM公司总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步进入了 晶体管、二极管领域和IC等半导体领域.2年后的1971年ROHM作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心.以当时的企业规模，凭借被称为"超常思维"的创新理念，加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗，ROHM [
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