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rf-cmos 文章 最新资讯

内插和数字上变频技术(07-100)

  •   在软件无线电和测试仪器中,设计人员采用多种数字信号处理(DSP)技术来改善系统性能。内插法是一种DSP技术,可以用内插法提高数字信号采样率。在采用零差式上变频的收发器中,内插法可以改善模拟性能。此外,在外差(用中频)上变频中,需要使能带数字载波的混频基带信号。此称之为数字上变频。因此,内插法在现代通信系统中有一定的实用性。
  • 关键字: 变频  DSP  RF  

用低功耗RF芯片与超低功耗MCU组合构建有源、无源RFID(08-100)

  •   如今低功耗射频产品线包括了多种专用及基于标准的低功耗、高性能CMOS RF-IC,可用于涵盖低于1GHz和2.4GHz的各种ISM频带的无线应用。其产品包括了低功耗收发机及发射机、单芯片系统集成解决方案以及IEEE 802.15.4/ZigBeeTM兼容解决方案。
  • 关键字: RF  MCU  RFID  

晶圆代工厂发展MEMS的唯一要诀:找到强大的设计伙伴

  •         1位伊朗人30多年前独自来到美国柏克莱大学念书,自毕业后为了一圆其大学时期对于MEMS的梦想,前前后后共创立了多达6家的MEMS设计公司,而第6家公司InvenSense在其正式开张前,就已花了1年多时间在家埋头苦干,开创出1套前无古人的MEMS设计公司营运模式,如今看来他对了,至今InvenSense成为任天堂Wii下世代Wii Motion Plus游戏摇杆的唯一陀螺仪供应商,而让所有MEMS业界为之瞠目结舌的是,
  • 关键字: MEMS  IC  晶圆  CMOS  

CMOS 集成电路使用时的技术要求

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: CMOS  集成电路  二极管  

3G中的CMOS基RF集成(05-100)

  •   用户需要更小更便宜的手机,在手持装置中得到快速服务和更多功能。这正在促使业界加速创新解决方案,降低成本使产品尽快上市。这种外加压力,使制造商重新考虑解决这些问题的技术。
  • 关键字: 3G  CMOS  RF  

3G通信系统的直接调制无线电硬件结构(05-100)

  •   基站收发器系统(BTS)的关键性能部件(天线、无线电收发器,信号处理子系统,以及支持、控制硬件和软件)影响BTS的成本。BTS配置的一个实例示于图1。BTS采用主分支模块和分集分支模块。在2G系统中,分集接吸器系统是通用的,而3G规范也定义了发射器分集的选项。如图1所示,发送接收模块(TRM)包含双工发送和接收部分。对于广域蜂窝站,接收器一般通过双工器模块(DM)和塔顶部件(TTA)连接到天线。TTA由低噪声放大器(LNA)组成,LNA对于补偿天线到TRM之间缆线损耗是必须的。TTA可以用旁路开关(用
  • 关键字: 3G  RF  

德州仪器OMAP36x 应用处理器进一步壮大 OMAP™ 3 产品阵营

  •         先进的 45 纳米 CMOS 工艺技术显著提升智能电话及移动因特网设备性能并降低其功耗,充分满足各种移动性能需求         2009年2月18日,北京讯         日前,德州仪器 (TI) 宣布推出全新OMAP™ 3 系列的 45 纳米产品,可充分满足
  • 关键字: 德州仪器  TI  CMOS  OMAP™   2D/3D   OpenGL ES  ISP  

数字RF存储器用混合信号ASIC(05-100)

  •   数字RF存储器(DRFM)用于现代脉冲压缩雷达中合成相干信号的再生。DRFM系统有很多不同的实现方法。图1示出1个特殊的类型,它是1个双边带,4位,相位取样系统,它的瞬时带宽为500MHz。采用0.18祄 CMOS 工艺制造的混合信号专用集成电器(ASIC)可实现系统的基带元件,这包括相位取样电路、数字处理、信号重建和数/模输出。
  • 关键字: RF  ASIC  

多样化手机设计需要恰当的SoC与SiP混合

  • “单芯片手机”的概念是指利用行业标准的工艺技术和传统硅集成趋势将手机功能整合在一块裸片上。但对于蜂窝...
  • 关键字: 单芯片手机  SoC  SiP  CMOS  

新日本无线开发出双电路低噪声CMOS单电源运算放大器

  • 新日本无线开发完成了双电路低噪声CMOS单电源轨至轨输出运算放大器NJU7029,该产品最适用于加速度传感器、震荡传感器和光传感器的信号处理。 NJU7029是双电路CMOS运算放大器,实现了低噪声(13nV/√Hz typ. at f="1kHz")、增益宽带(3MHz)、低电压工作(2.2V~5.5V),并且具有输入偏置电流为1pA(typ.)的高输入阻抗特性,即便是加速度、震荡、光等各种传感器的微小输入信号也能准确地放大。 NJU7029具有轨至轨输出特性,实现
  • 关键字: 新日本无线  运算放大器  CMOS  低噪声  

基于CPLD的高帧频CMoS相机驱动电路设计

  • 依据Micon公司MI―MVl3型高帧频互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器驱动控制时序关系,设计了高帧频相机驱动控制时序。选用Actel公司复杂的可编程逻辑器件及其开发系统,并利用硬件描述语言实现了驱动时序及控制时序。实验表明,设计的控制驱动时序完全能满足图像传感器的要求。
  • 关键字: CPLD  CMoS    相机    

富士通开发出适用于功率放大器的CMOS逻辑高压晶体管

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: CMOS  富士通  WiMAX  

低功耗低噪声CMOS放大器设计与优化

  • 分析了两种传统的基于共源共栅结构的低噪声放大器LNA技术:实现噪声优化和输入匹配SNIM技术并在功耗约束下同时实现噪声优化和输入匹配PCSNIM技术。针对其固有不足,提出了一种新的低功耗、低噪声放大器设计方法。
  • 关键字: CMOS  低功耗  低噪声  放大器设计    

用于超低功耗RF远程控制的参考设计

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 超低功耗  远程控制  RF  

SoC与SiP各有千秋 两者之争仍将继续

  •   对生命周期相对较长的产品来说,SoC将继续作为许多产品的核心;而若对产品开发周期要求高、生命周期短、面积小、灵活性较高,则应使用SiP。   现代集成技术已经远远超越了过去40年中一直以摩尔定律发展的CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺。人们正在为低成本无源元件集成和MEMS(微机电系统)传感器、开关和振荡器等电器元件开发新的基于硅晶的技术。这意味着与集成到传统CMOS芯片相比,可以把更多的功能放到SiP封装(系统级封装)中,这些新技术并不会替代CMOS芯片,而只是作为补充。   如果
  • 关键字: SoC  CMOS  SiP  
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