“单芯片手机”的概念是指利用行业标准的工艺技术和传统硅集成趋势将手机功能整合在一块裸片上。但对于蜂窝...
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单芯片手机 SoC SiP CMOS
新日本无线开发完成了双电路低噪声CMOS单电源轨至轨输出运算放大器NJU7029，该产品最适用于加速度传感器、震荡传感器和光传感器的信号处理。
NJU7029是双电路CMOS运算放大器，实现了低噪声(13nV/√Hz typ. at f="1kHz")、增益宽带(3MHz)、低电压工作(2.2V～5.5V)，并且具有输入偏置电流为1pA(typ.)的高输入阻抗特性，即便是加速度、震荡、光等各种传感器的微小输入信号也能准确地放大。 NJU7029具有轨至轨输出特性，实现
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新日本无线 运算放大器 CMOS 低噪声
依据Micon公司MI―MVl3型高帧频互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器驱动控制时序关系，设计了高帧频相机驱动控制时序。选用Actel公司复杂的可编程逻辑器件及其开发系统，并利用硬件描述语言实现了驱动时序及控制时序。实验表明，设计的控制驱动时序完全能满足图像传感器的要求。
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CPLD CMoS 帧 相机
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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CMOS 富士通 WiMAX
分析了两种传统的基于共源共栅结构的低噪声放大器LNA技术：实现噪声优化和输入匹配SNIM技术并在功耗约束下同时实现噪声优化和输入匹配PCSNIM技术。针对其固有不足，提出了一种新的低功耗、低噪声放大器设计方法。
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CMOS 低功耗 低噪声 放大器设计
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超低功耗 远程控制 RF
对生命周期相对较长的产品来说，SoC将继续作为许多产品的核心；而若对产品开发周期要求高、生命周期短、面积小、灵活性较高，则应使用SiP。
现代集成技术已经远远超越了过去40年中一直以摩尔定律发展的CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺。人们正在为低成本无源元件集成和MEMS(微机电系统)传感器、开关和振荡器等电器元件开发新的基于硅晶的技术。这意味着与集成到传统CMOS芯片相比，可以把更多的功能放到SiP封装(系统级封装)中，这些新技术并不会替代CMOS芯片，而只是作为补充。
如果
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SoC CMOS SiP
连接性是未来电子产品最值得期待的特性，几乎所有的电子产品消费者都希望能够通过无线连接与其他设备进行互动，因此，未来每个电子产品都有一个射频收发模块将成为无线芯片最主要的市场推动力，在这样庞大的市场机遇面前，并不是每个公司都可以分一杯羹，随着无线技术的成熟，无线市场的竞争远比以前更为激烈和复杂。
集成化趋势
无线半导体市场在早期以手机半导体为主，基带是最早无线芯片的核心，TI正是以此奠定多年无线半导体老大的地位，随着基带技术的成熟和普及，NXP、Skyworks、ADI和MTK等公司
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无线半导体 博通 CMOS CSR 蓝牙
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快速增长的无线通信市场使得无线通信技术向着低成本、低功耗、高集成度的方向发展，同时CMOS技术已经发展到深亚微米水平，这使CMOS器件的高频特性得以进一步改善，目前已能与SiGe器件和GaAs器件相媲美。此外，CMOS器件功耗极低且集成度高，因而深亚微米CMOS技术在无线通信系统中具有应用潜力。低噪声放大器(LNA)是无线通信系统射频接收机前端的关键模块，在接收并放大信号的过程中起着关键性的作用，其增益、噪声、线性度等都将直接影响着整个接收机的性能。典型的接收机的接收信号强度在-120～-
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CMOS
2008 年 11 月 17日，北京讯，—— 日前，赛普拉斯半导体公司 (NYSE: CY) 宣布推出具有高灵敏度以及高速超级扩展图形阵列 (SXGA) 分辨率 CMOS 色彩图像传感器的商用样片。最新 130 万像素 LUPA-1300-2-color 传感器具有触发式与流水线式同步曝光与片上数字低压差分信号 (LVDS) 输出。该图像传感器开发用于需要区分不同色彩的机器视觉与运动分析应用，其不仅可具有 500 帧每秒 (fps) 的高帧速率，同时还能够提供可实现
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赛普拉斯 CMOS 传感器 LUPA-1300-2-c
2008 年 11 月 17 日，北京讯 – 日前，赛普拉斯半导体公司(NYSE: CY)宣布提供推出具有 13.2Gbps 业界最高数字数据吞吐能力的 CMOS 图像传感器商用样片。最新 300万像素 LUPA-3000 传感器具有 485帧/秒 (fps)高帧速率的触发式与流水线式同步快门以及能够确保保真图像与快速读取的视窗功能。该款传感器还具有片上数字低压差分信号 (LVDS) 输出，其能够简化机器视觉与全息数据存储应用的传感器数据传输与整体摄像机设计。
LUPA-3000
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赛普拉斯 CMOS LUPA-3000
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SXGA CMOS LVDS
静电在芯片的制造、封装、测试和使用过程中无处不在，积累的静电荷以几安培或几十安培的电流在纳秒到微秒的时间里释放，瞬间功率高达几百千瓦，放电能量可达毫焦耳，对芯片的摧毁强度极大。所以芯片设计中静电保护模块的设计直接关系到芯片的功能稳定性，极为重要。随着工艺的发展，器件特征尺寸逐渐变小，栅氧也成比例缩小。二氧化硅的介电强度近似为8×106V／cm，因此厚度为10 nm的栅氧击穿电压约为8 V左右，尽管该击穿电压比3.3 V的电源电压要高一倍多，但是各种因素造成的静电，一般其峰值电压远超过8 V
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CMOS ESD
2008 年 11 月12 日，北京讯 – 日前，赛普拉斯半导体公司(NYSE: CY) 宣布该公司已经完成其第 100 项定制 CMOS 图像传感器设计。赛普拉斯丰富的产品系列能够满足众多应用需求，如：工业与医疗 X 光成像、内窥镜检查、机器视觉、太空星体跟踪与遥感、条形码阅读器、生物测量、高速线阵传感器以及高速运动分析传感器等。
这些广泛的定制设计中标包括 Vision Research、Toshiba Teli、Micro Imaging 和 ARRI 公司的多项设计以及全球其
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赛普拉斯 CMOS ARRI 传感器
DRAM现货价跌破一美元，DRAM厂为了维持12吋厂利用率，但又不想再继续烧钱生产DRAM，所以包括力晶及茂德，已经开始把12吋厂产能移转投入晶圆代工市场。据了解，两家业者利用12吋厂经济规模优势，大抢LCD驱动IC、CMOS感测器等订单，已对联电、世界先进等造成冲击。
DRAM报价持续探底，烧钱速度愈来愈快，DRAM厂为了守住手中现金，均大砍明年资本支出，延缓50奈米制程微缩。再者，因为50奈米以下DRAM制程需导入先进的浸润式微影技术，投资金额过于庞大，也不适合将现有12吋厂进行改建。所
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DRAM CMOS
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