全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商（OSAT）拥有丰富业绩的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”）。
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GaN HEMT TOLL封装 ROHM
作者Nihit Bajaj 英飞凌科技 GaN产品高级总监校对宋清亮 英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务高级首席工程师过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，并且预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。因此，数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。据估计，2022年全球数据中心耗电量约为240-340太瓦时（TWh）。近年来，全球数据中心的能源消耗以每年20-40%的速度持续增长 [1] 。图1：1910年以来
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英飞凌 GaN
在科技浪潮的推动下，人形机器人正逐渐从幕后走向台前。在 2025 央视春晚中，著名电影导演张艺谋携手杭州宇树科技、新疆艺术学院带来了一个名为《秧 BOT》的节目。舞台上，宇树科技的人形机器人与新疆艺术学院的舞蹈演员们默契共舞，人机互动的奇妙场景，不仅带来了一场别开生面的视觉盛宴，展现出一种前所未有的科技美感，更让观众真切感受到人形机器人时代的脚步正越来越近。这群 BOT 什么来头？春晚舞台上的《秧 BOT》节目，由 16 个灵动的 BOT（机器人 robot 的简称）与 16 名技艺精湛的新疆艺术学院舞蹈
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人形机器人 GaN CIS 传感器
大多数人在想象工业应用中的技术时，想到的是大型的机械和复杂的制造流程，这似乎与日常生活毫无关联。然而通过实时控制，系统可以在规定的时间范围内收集、处理数据并自行更新。智能感应可以检测人员和机械，而边缘人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出决策。这些技术涵盖从制造到物流的方方面面。它们就像超人一样，从我们早上起床到晚上睡觉休息的这段时间里，在幕后悄悄地执行着各种各样的任务，让我们的世界正常运转。对我们的日常生活来说，在工业应用中使用的技术与智能手机一样重要且有益。它们为我们节省了时间，增加了便利性；保护我
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工业技术 智能生活 德州仪器 C2000 GaN
远山半导体在连续推出几款高压GaN器件后，最终将他们最新款产品的额定电压推向1700V，相较于之前的1200V器件又有了显著的提升。为了解决GaN器件常见的电流崩塌问题，他们采用特有的极化超级结（PSJ: Polarization Super Junction）技术，并对工艺进行进一步优化，使器件的额定工作电压和工作电流得到更大的提升（1700V/30A）。本次测试采用远山半导体提供的1700V/100mΩ规格GaN样品,其可以轻松应对1000V输入电压下的开关测试需求，在静态测试条件下，1700V时测得
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GaN 电流崩塌 功率器件
过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，并且预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。因此，数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。据估计，2022 年全球数据中心耗电量约为240-340 太瓦时（TWh）。近年来，全球数据中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持续增长[1]。图1 1910年以来全球二氧化碳排放量（单位：千兆吨）：总量（上）；按行业划分（下）随着能源消耗的增加，相关的二氧化碳排放量也在2022年达到创纪录的37 千兆吨。为应对这一问题，
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/ 编辑推荐 /氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构、特性、两者的应用差异等方面进行了详细的介绍。引 言作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体
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英飞凌 GaN SiC 电气工程师
1. 什么是射频？射频简称RF，是高频交流变化电磁波的简称。电磁波其实就是比较熟悉的概念了，依据麦克斯韦的电磁场理论：振荡的电场产生振荡的磁场，振荡的磁场产生振荡的电场，电磁场在空间内不断向外传播，形成了电磁波。下图可以大致体现体现这个过程，E代表电场，B代表磁场。在轴上同一位置的电场、磁场的相位和幅度均会随着时间发生变化。通常情况下，射频（RF）是振荡频率在300KHz-300GHz之间的电磁波的统称，被广泛应用于雷达和无线通信。2. 射频基本特征为了描述给定射频信号，可以从频率、波长、幅度、相位四个角
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射频 RF
文章 概述本文介绍了 宽带隙（ GaN ）技术在高压 LED照明 中的应用，以及如何解决效率和功率密度挑战。文章重点讨论了利用GaN技术的LED驱动器架构的降压部分，展示了如何通过宽带隙技术提高效率和功率密度。文中还介绍了STMicroelectronics的MasterGaN系列，该系列将高电压智能功率BCD工艺栅极驱动器与高电压GaN晶体管结合，简化了设计并提高了功率密度。事实证明， 高压LED照明可以有效地取代高强度放电 (HID
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1 LiDAR（3D感测和距离感测）备受瞩目在物流行业，物流需求持续扩大，但同时也面临着严重的劳动力短缺问题。越来越多的业内企业开始考虑引进智慧物流系统，利用AGV（无人搬运车）和AMR（自主移动机器人）等执行工作。然而，也有很多企业担心安全性和系统管理等方面的问题。实际上，ISO 对功能安全的要求也很高，能够确保安全性的智能感测技术和模块已经逐渐成为不可或缺的存在。在这种背景下，旨在构建更安全、更安心的智慧物流系统，并且能够更精准地感测更远的距离、不易受到阳光干扰的激光雷达LiD
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Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，进一步壮大其不断扩展的电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基于GaN的反激式转换器而设计，用于PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式插座、条形插座、工业电源和辅助电源等设备以及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用。 NEX806xx/NEX808xx是准谐振/多模反激式控制器，可在宽VCC范围(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自适应同步整流控制器。这些IC可与N
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Nexperia AC/DC反激式控制器 GaN 反激式转换器
如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）并称为第三代半导体界的“双雄”。其中，SiC在高耐压和大电流应用方面优势突出，近年来在新能源汽车、可再生能源等功率电子领域风头无两；而GaN则凭借出色的击穿场强特性和电子饱和速度，提供出色的低导通电阻和高速开关（高频率工作）性能，在
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Mouser GaN
新闻亮点：● 德州仪器增加了GaN制造投入，将两个工厂的GaN半导体自有制造产能提升至原来的四倍。● 德州仪器基于GaN的半导体现已投产上市。● 凭借德州仪器品类齐全的GaN集成功率半导体，能打造出高能效、高功率密度且可靠的终端产品。● 德州仪器已成功开展在12英寸晶圆上应用GaN制造工艺的试点项目。德州仪器 (TI)近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，
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德州仪器 氮化镓 GaN
在应对消费类电器、楼宇暖通空调(HVAC)系统和工业驱动装置的能耗挑战中，业界积极响应，通过实施诸如季节性能效比(SEER)、最低能效标准(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等项目推进建立系统能效评级体系。变频驱动器(VFD) 可为加热和冷却系统提供出色的系统效率，特别是在这些系统具有范围非常宽的精确速度控制的情况下。VFD使用逆变器控制电机转速，并进行高频脉宽调制(PWM)开关，可获得真正的可变速度控制。虽然这些逆变器目前是使用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效
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关于射频模拟设计中的噪声分析，通过示例了解噪声系数度量，包括本规范的关键方面。除了一些特定的应用，例如，当需要抖动效果时，噪声通常是一种不想要的现象。科学家和工程师已经表征了不同电路元件产生的噪声，并开发了可用于分析电路噪声性能的方法。在模拟电路设计中，我们通常将噪声效应建模为输入参考噪声电压和电流源。然而，在射频（RF）设计中，噪声系数度量可以是表征电路噪声性能的更有用的方法。在本文中，我们将介绍噪声系数度量，强调该规范的一些微妙之处，最后看一个例子来澄清所讨论的概念。射频模拟设计中的噪声分析我们通常用
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噪声系数度量，射频电路，噪声，RF
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