- 日前在上海举办的“RF-SOI研讨会”上,SOI产业联盟称,RF-SOI生态系统现已建立完善,并成为天线调谐器与射频开关的主流技术,占据了95%的市场份额,该系统有利于IoT连接和5G的发展,为了更深层地与射频前端器件结合,RF-SOI这种突破型技术还需要更多的创新和突破性的方案。
目前,RF-SOI技术主要应用于智能手机、WiFi等无线通讯领域,具有性能高、成本低等优势。上海新傲科技股份有限公司总经理王庆宇称,国际上3G/4G手机用的射频器件
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RF-SOI 5G
- 格罗方德9月8日发布12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM,实现了业内首个多节点FD-SOI路线图。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上,12FDXTM提供全节点缩放和超低功耗,并通过软件控制实现按需定制性能,专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
随着数以百万计的互联设备出现,世界正在逐步融合为一体,众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统,集成包括无线连接、非易失性存
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格罗方德 FD-SOI
- 格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM,实现了业内首个多节点FD-SOI路线图,从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上,专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
随着数以百万计的互联设备出现,世界正在逐步融合为一体,众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统,集成包括无线连接、非易失性存储器以及电源管理等在内的越来越多的组件,
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格罗方德 FD-SOI
- 格罗方德半导体今日宣布一项全新合作伙伴计划FDXcelerator™,该生态系统旨在为客户加速基于22FDX™的片上系统设计,并缩短产品上市时间。
随着公司新一代12FDX™的发布,格罗方德现提供业内首个FD-SOI 路线图,并随之建立了FDXcelerator™合作伙伴计划,为希望实现先进节点设计的客户提供了一条低成本的迁移路径。
通过格罗方德半导体和FDXcelerator合作伙伴解决方案,客户将能打造各类创新的22FDX 片上系统解决方
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格罗方德 FD-SOI
- IBM于年度Hot Chips技术大会上介绍Power 9处理器的更多细节,它可望成为一款突破性的晶片,催生系统厂商与加速器供应商建立新的夥伴关系,
IBM首度于上周在美国矽谷举行的年度Hot Chips技术大会上介绍Power 9处理器的更多细节,它可望成为一款突破性的晶片,催生系统厂商与加速器供应商建立新的夥伴关系,并重新点燃IBM阵营与对手Intel在高阶伺服器市场的战火。
采用14奈米制程的Power 9是在今年3月首度被提及,在正热门的加速器应用领域采取了大胆、在某种程度上又有些
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IBM Power
- 记者从8月26日工信部获悉,8月25日,工业和信息化部副部长怀进鹏会见美国IBM公司全球高级副总裁罗思民,就进一步加强Power技术领域合作交换意见。
怀进鹏对IBM公司与中国业界在Power芯片、服务器系统和软件服务领域合作取得的积极进展表示赞赏,希望IBM公司继续秉持开放合作的态度,深化与中国业界在技术和产业生态体系建设方面的合作,服务经济社会信息化发展,实现双方互利共赢。
工业和信息化部电子信息司司长刁石京、信息化和软件服务业司司长谢少锋、国际合作司副司长程建军等参加会见。
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IBM Power
- 高压IGBT及SiC MOSFET驱动器技术领域的领导者Power Integrations今天宣布任命Thomas Simonis为公司大功率产品业务副总裁,负责产品管理、研发和营销。Simonis先生在高压电机驱动器及半导体领域从业超过25年,加入Power Integrations之前,他先后在ATB、CPM和Infineon等数家知名公司担任技术及业务管理职务,是一名业内资深人士。Simonis先生是从退休的Wolfgang Ademmer手中接任该职的,Wolfgang Ademmer于20
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Power Integrations IGBT
- Samsung Foundry准备开始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快闪记忆体,做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示,该
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FD-SOI 存储器
- 高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的业界领导者Power Integrations公司今日推出适合于单级非隔离降压式可调光LED驱动器应用的LYTSwitch™-7 IC产品系列。这些器件采用超薄SO-8封装,在无需散热片的情况下可提供22 W输出功率,并且效率极高,适合于灯泡、灯管及其它照明装置的应用。在LYTSwitch-7的设计中只需采用一个简单的无源衰减电路而无需泄放电路即可满足可控硅调光器的要求。另外,设计中的电感可采用现成的只有单一绕组的市售标准电感。LYTSwitch-7的
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Power Integrations LYTSwitch-7 IC
- 中国政府日渐宽松的安全政策,令IBM可以通过将专利授权给中国厂商的方式,间接进入对外资IT企业来说门槛颇高的政府部门和工业核心领域的服务器市场
6月22日,苏州中晟宏芯信息科技有限公司(下称“中晟宏芯”)对外公布,该公司已拿到IBM服务器处理器芯片Power 8芯片架构和指令系统的永久授权,并可以基于该芯片进行自主创新。所谓“指令系统”,是指用来计算和控制计算机系统的一套指令的集合。
中晟宏芯成立于2013年,其员工主要来自中科院计算所和IB
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中晟宏芯 Power 8
- 产业资深顾问Handel Jones认为,半导体业者应该尽速转移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程,利用该技术的众多优势…
半 导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28奈米以下之后的闸成本(gate cost)上扬;如下图所示,在制程微缩同时,每单位面积的逻辑闸或电晶体数量持续增加,其速率高于晶圆片成本增加的速率。在另一方面,当制程特征尺寸缩 减时,晶片系统性与参数性良率会降低,带来较高的闸成本。
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FD-SOI 14nm
- Globalfoundries技术长GaryPatton透露,其22FDX全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续制程。
晶圆代工业者Globalfoundries技术长GaryPatton透露,其22FDX全空乏绝缘上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator,FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续制程。
Globalfoundries声称其针对不同应用最佳化的22FDX平台四种制程,能提
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Globalfoundries FD-SOI
- 今天的智能手机和平板电脑内均装有射频(RF)前端模块(FEM),一般包括功率放大器(PA)、开关、可调谐电容器和过滤器。射频绝缘体上硅(RF SOI)等技术可支持移动设备调整和获取蜂窝信号——在更广泛的区域为无线设备提供持续强劲且清晰的网络连接。 移动市场对RF SOI的追捧持续升温,因为它以高性价比实现了低插入损耗,在广泛的频段内实现低谐波和高线性度。RF SOI是一个双赢的技术选择,能够提高智能手机和平板电脑的性能和数据传输速度,同时有望在物联网中发挥关键作用。
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RF-SOI 5G
- 中等电压和高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations今日推出一系列输出电流介于2.5 A和8 A之间的电气绝缘的单通道门极驱动器IC,8 A是目前业内不采用外部推动级的最大输出电流。SCALE-iDriver™ IC可同时为IGBT和MOSFET提供驱动,也是首款将Power Integrations首创的FluxLink™磁感双向通信技术引入1200 V驱动器应用的产品。Flux
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Power Integrations IGBT
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