高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的世界领导者Power Integrations公司今日推出LYTSwitch-3产品系列 — 该公司LYTSwitch系列LED驱动器IC的最新成员。LYTSwitch-3非常适合于最大输出功率达20 W的灯泡、灯管和筒灯应用，无论使用前沿还是后沿可控硅调光器均可提供出色的调光性能，并且支持隔离和非隔离拓扑结构。
Smart News Releases(智能新
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Power Integrations LYTSwitch-3
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)近日展示了最新的智能驾驶解决方案。随着半导体在先进汽车技术中的作用日益重要，意法半导体不断地开发出最先进的智能驾驶技术，包括先进驾驶辅助系统(ADAS)、设备互联通信接口和先进的安全/环保性能。
在先进驾驶辅助系统方面，意法半导体展示了一款与以色列公司Autotalks合作开发的车联网 (V2X) 通信芯片组。该芯片组整合基带处理器、主微控制器(MCU)、安全微控制器和V2X通信技术，利用GP
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意法半导体 Power
e络盟日前宣布进一步扩展其电缆电线与电缆配件的产品范围，以Pro-Power为代表，用于设计、教育、制造、维修及维护。超过5300种的最新并且完整的产品系列包括：设备线缆、数据传输电缆、工业及自动化电缆、同轴电缆和电缆配件，用户可访问http://cn.element14.com/pro-power 查看并选择整卷或定长裁剪的相关产品。 Pro-Power 三级(Tri Rated)电缆用途广泛、易弯曲，其设计适用于电气柜、开关控制、继电器、仪表板以及小型电气设备的接线
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e络盟 Pro-Power
苹果(Apple)宣布以182万美元从美信半导体(Maxim Integrated)买下位于加州圣荷西的一座8吋晶圆厂。专家分析认为，此举并不会影响与苹果合作的晶圆代工厂生意。
据SemiWiki报导指出，SEMI World Fab Watch Database资料显示，苹果买下的晶圆厂于1987年建立，即使全面开工每月也只能生产1万片晶圆，规模相对小且老旧，无法生产苹果所需的应用处理器(AP)。
苹果最新AP采16/14纳米FinFET制程，而10纳米制程也正在开发中。8吋晶圆近日才微
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三星 FD-SOI
DIGITIMES Research观察，大陆半导体产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有时也称Ultra-Thin Body;UTB)制程技术，包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择FD-SOI路线，而非台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线，估与手
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半导体 FD-SOI
据国外媒体报道，去年抛弃x86服务器业务后，IBM已经重新调整了其硬件策略。IBM倒贴15亿美元也没有把Power处理器业务嫁出去，该公司已经认识到打铁还需自身硬。虽然它的服务器系统在某些行业依然保持着很高的利润，但是IBM昂贵的Power服务器正在快速失去市场份额。围绕英特尔处理器构建的系统，在超大规模数据中心和高性能计算市场已经将IBM几乎完全抛在后面。
两年前，IBM为了扭转Power服务器的颓势。建立了OpenPower开源项目，现在拥有约150家会员企业。O
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IBM Power
关注高能效电源转换的高压集成电路业界领导者Power Integrations公司今日发布InnoSwitch™-EP系列恒压/恒流离线反激式开关IC。新的IC产品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精确的次级反馈检测控制，因此可提供出色的多路输出交叉调整率，同时提供全面的输入电压保护和即时动态响应，并且空载功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC还采用Power Integrations创新的FluxLink™技术，可设计出无需光耦的高效率、高精度和
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Power Integrations MOSFET
致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations今日宣布推出ChiPhy™充电器接口IC产品系列的最新器件CHY103D，这是首款兼容Qualcomm Inc.旗下子公司Qualcomm Technologies, Inc.所开发的Quick Charge (QC) 3.0协议的离线式AC-DC充电器IC。
与Power Integrations的InnoSwitch™ AC-DC开关IC一起使用，CHY103D器件可提供支持QC 3
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Power Integrations CHY103D
IBM与合作伙伴成功研制出7纳米的测试芯片，延续了摩尔定律，突破了半导体产业的瓶颈。对于IBM而言，7纳米制程技术的后续发展将会影响旗下Power系列处理器的规划蓝图。
据The Platform网站报导，7纳米制程芯片背后结合了许多尚未经过量产测试的新技术，IBM与GlobalFoundries、三星电子(Samsung Electronics)等合作伙伴，对何时能实际以7纳米制程制作处理器与其他芯片并未提出时程表。
IBM这次利用矽锗(silicon germanium)制造一部分的电
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IBM Power
今年由欧洲两大主要研发中心——法国CEA-Leti和比利时IMEC举办的年度开放日活动刚好都在六月的同一时期举行。但这种时程的冲突并不是有意的，至少Leti是这么认为。Leti的一位官方代表指出，“在过去七年来我们一直是在六月的同一周举行年度活动。对他们来说，我们的排程应该不是什么秘密。”
Leti位于法国格勒诺布尔市创新园区的核心地带
不过，位于格勒诺布尔的Leti Days和位于布鲁塞尔的IMEC技术论坛这两大
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FD-SOI 物联网
可控石墨烯薄膜制备方面取得新进展：设计了Ni/Cu体系，利用离子注入技术引入碳源，通过精确控制注入碳的剂量，成功实现了对石墨烯层数的调控，有助于实现石墨烯作为电子材料在半导体器件领域真正的应用。
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石墨烯 SOI
美国时间7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台，成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。
FD- SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。
虽然某些设备对三维FinFet晶体管的终极性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)工
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格罗方德 FD-SOI
GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。 FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管， 目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一阵放弃了，14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体业者应该不是选择FinFET就是FD-SOI制程技术;不过既然像是台积电(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圆代工厂，必须要同时提供以上两种制程产能服务客户，有越来越多半导体制造商也正在考虑也致力提供“两全其美”的制程技术。
例如飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)最近就透露，该公司正在14至16奈米节点采用
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FinFET FD-SOI
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