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三星发飙：半导体28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半

  • 　　苹果(Apple)宣布以182万美元从美信半导体(Maxim Integrated)买下位于加州圣荷西的一座8吋晶圆厂。专家分析认为，此举并不会影响与苹果合作的晶圆代工厂生意。 　　据SemiWiki报导指出，SEMI World Fab Watch Database资料显示，苹果买下的晶圆厂于1987年建立，即使全面开工每月也只能生产1万片晶圆，规模相对小且老旧，无法生产苹果所需的应用处理器(AP)。 　　苹果最新AP采16/14纳米FinFET制程，而10纳米制程也正在开发中。8吋晶圆近日才微
  • 关键字： 三星  FD-SOI  

手机链考量？技术分水岭抉择？大陆半导体产业发展FD-SOI

  • 　　DIGITIMES Research观察，大陆半导体产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有时也称Ultra-Thin Body;UTB)制程技术，包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择FD-SOI路线，而非台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线，估与手
  • 关键字： 半导体  FD-SOI  

IBM Power服务器起死回生 英特尔可能腹背受敌

  • 　　据国外媒体报道，去年抛弃x86服务器业务后，IBM已经重新调整了其硬件策略。IBM倒贴15亿美元也没有把Power处理器业务嫁出去，该公司已经认识到打铁还需自身硬。虽然它的服务器系统在某些行业依然保持着很高的利润，但是IBM昂贵的Power服务器正在快速失去市场份额。围绕英特尔处理器构建的系统，在超大规模数据中心和高性能计算市场已经将IBM几乎完全抛在后面。 　　   　　两年前，IBM为了扭转Power服务器的颓势。建立了OpenPower开源项目，现在拥有约150家会员企业。O
  • 关键字： IBM  Power  

Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC为辅助和待机电源带来革命性变化

  • 　　关注高能效电源转换的高压集成电路业界领导者Power Integrations公司今日发布InnoSwitch™-EP系列恒压/恒流离线反激式开关IC。新的IC产品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精确的次级反馈检测控制，因此可提供出色的多路输出交叉调整率，同时提供全面的输入电压保护和即时动态响应，并且空载功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC还采用Power Integrations创新的FluxLink™技术，可设计出无需光耦的高效率、高精度和
  • 关键字： Power Integrations  MOSFET  

Power Integrations推出业界首款兼容高通公司Quick Charge 3.0技术的充电器接口IC

  • 　　致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations今日宣布推出ChiPhy™充电器接口IC产品系列的最新器件CHY103D，这是首款兼容Qualcomm Inc.旗下子公司Qualcomm Technologies, Inc.所开发的Quick Charge (QC) 3.0协议的离线式AC-DC充电器IC。 　　与Power Integrations的InnoSwitch™ AC-DC开关IC一起使用，CHY103D器件可提供支持QC 3
  • 关键字： Power Integrations  CHY103D  

IBM突破7纳米制程瓶颈　或左右Power处理器发展

  • 　　IBM与合作伙伴成功研制出7纳米的测试芯片，延续了摩尔定律，突破了半导体产业的瓶颈。对于IBM而言，7纳米制程技术的后续发展将会影响旗下Power系列处理器的规划蓝图。 　　据The Platform网站报导，7纳米制程芯片背后结合了许多尚未经过量产测试的新技术，IBM与GlobalFoundries、三星电子(Samsung Electronics)等合作伙伴，对何时能实际以7纳米制程制作处理器与其他芯片并未提出时程表。 　　IBM这次利用矽锗(silicon germanium)制造一部分的电
  • 关键字： IBM  Power  

Leti从FD-SOI学到的一课：打造生态系统

  • 　　今年由欧洲两大主要研发中心——法国CEA-Leti和比利时IMEC举办的年度开放日活动刚好都在六月的同一时期举行。但这种时程的冲突并不是有意的，至少Leti是这么认为。Leti的一位官方代表指出，“在过去七年来我们一直是在六月的同一周举行年度活动。对他们来说，我们的排程应该不是什么秘密。” 　　   　　Leti位于法国格勒诺布尔市创新园区的核心地带 　　不过，位于格勒诺布尔的Leti Days和位于布鲁塞尔的IMEC技术论坛这两大
  • 关键字： FD-SOI  物联网  

中国石墨烯技术重大突破——石墨烯层数可调控

  • 可控石墨烯薄膜制备方面取得新进展：设计了Ni/Cu体系，利用离子注入技术引入碳源，通过精确控制注入碳的剂量，成功实现了对石墨烯层数的调控，有助于实现石墨烯作为电子材料在半导体器件领域真正的应用。 　
  • 关键字： 石墨烯  SOI  

哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI的尝鲜者？

  • 　　美国时间7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台，成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。 　　   　　FD- SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一
  • 关键字： FD- SOI  FinFET  

格罗方德半导体推出业内首个22nm FD-SOI工艺平台

  • 　　格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。 　　虽然某些设备对三维FinFet晶体管的终极性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)工
  • 关键字： 格罗方德  FD-SOI  

GlobalFoundries全球首发22nm FD-SOI工艺

  • 　　GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。 FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管， 目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一阵放弃了，14nm索性直接借用三星的。 　　
  • 关键字： GlobalFoundries  FD-SOI  

只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

  • 　　在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体业者应该不是选择FinFET就是FD-SOI制程技术;不过既然像是台积电(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圆代工厂，必须要同时提供以上两种制程产能服务客户，有越来越多半导体制造商也正在考虑也致力提供“两全其美”的制程技术。 　　例如飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)最近就透露，该公司正在14至16奈米节点采用
  • 关键字： FinFET  FD-SOI  

Power Integrations新推出的HiperPFSTM-3功率因数校正IC可提高电源的轻载性能

  • 　　致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出HiperPFSTM-3系列功率因数校正IC，新器件可在整个负载范围内提供高功率因数及高效率。该系列IC非常适合通用输入下连续输出功率要求达405 W以及高压输入下峰值功率要求达900 W的应用，而且在10%负载点到满载的范围内其效率均超过95%，空载功耗则低于60 mW。功率因数在20%负载点可轻松达到0.92以上。 　　高度集成的HiperPFS-3器件包含变频CCM控制器、高压功率MOSFET
  • 关键字： Power Integrations  HiperPFSTM-3  

FD-SOI制程技术已到引爆点？

  • 　　身为记者，我有时候会需要经过一系列的资料收集──通常包含非正式评论、随机事实(random facts)、推特文章、研讨会/座谈会资料或是公关宣传稿，然后才能把许多线索串联在一起;全空乏绝缘上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)就是一个例子。 　　我从美国旅行到中国接着又到欧洲，在与电子产业人士讨论技术的过程中，发现FD-SOI从一个不容易了解的名词，逐渐变得越来越“有形”。关于这个技术，我在最近这几个星期所收集到的随机
  • 关键字： 晶圆  FD-SOI  

Power Integrations推出宽范围CAPZero-2 IC，X电容安全放电可达6 µF

  • 　　致力于高能效电源转换的高压集成电路行业领导者Power Integrations公司今日宣布推出其CAPZero系列创新的双端子X电容放电IC的下一代器件 - CAPZero™-2 IC。CAPZero-2 IC涵盖宽范围的应用和输出功率，可提高设计的灵活性。由于涵盖0.1 µF至6 µF的宽范围X电容，并且额定1 kV的击穿电压可经受6 kV的瞬态电压，因此CAPZero-2 IC可耐受剧烈的输入浪涌和电压骤升。 　　CAPZero-2 IC是一种智能的高压开关
  • 关键字： Power Integrations  CAPZero  
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