首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> power-soi

power-soi 文章 最新资讯

Power Integrations宣布采用InnoSwitch3 IC的适配器设计已成功通过USB PD标准认证

  •   深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日宣布基于Power Integrations的InnoSwitch™3-Pro和InnoSwitch3-CP IC的一系列适配器设计已通过USB功率传输(PD) 3.0标准认证。在近期于俄勒冈州波特兰市举行的研讨会上,九款采用InnoSwitch3器件的适配器设计(包括多款由知名电源厂商提交的设计)成功通过了USB PD 3.0标准认证测试。其中多款通过认证的设计采用了符合USB PD 3.0标准的先进的PPS(
  • 关键字: Power Integrations  InnoSwitch3-Pro  

ST的运动控制、通信和传感方案让工厂更智能

  • 作者 迎九  近日,ST公司Power Discretes及Analog Sub产品部的市场及应用资深总监Francesco Muggeri先生来京,介绍了面向智能工业的解决方案。智能工业需要元器件支撑  当前,我们正面临从工业到智能工业的变革,第四次工业革命的特点是使用网络物理系统、通信、物联网和采用分散式的决策,需要更多智能和意识,更高效,有更多连接,更安全。  ST丰富的产品组合提供所有关键应用的核心。例如有电机控制所用的系统级封装(SiP)电机驱动器和配备MCU的电机驱动器,工业机器人用栅极驱动器
  • 关键字: ST  Power Discretes  Analog Sub  Francesco Muggeri  201808  

Power Integrations现可提供已通过汽车级AEC-Q100认证的SCALE-iDriver IC

  •   中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的领导者Power Integrations今日宣布其两款SCALE-iDriver™门极驱动器IC系列器件现已通过汽车级AEC-Q100 Grade 1标准的认证。这两款器件分别是SID1132KQ和SID1182KQ,它们适合驱动650 V、750 V和1200 V汽车IGBT和SiC-MOSFET模块,并且其额定峰值电流分别为+/-2.5 A和+/-8 A。SID1182KQ能提供同类隔离型门极驱动器中最大的输出电流,并且能够驱动600 A/1200 V和820
  • 关键字: Power Integrations  SID1132KQ  

Power Integrations可提供已涂覆三防漆的SCALE门极驱动器

  •   中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations今日宣布可为其SCALE™ IGBT和MOSFET驱动器出厂提供涂覆三防漆服务。三防漆可防止电子元器件遭受污染物、灰尘和冷凝液等的腐蚀,从而提高系统可靠性。Power Integrations的门极驱动器出厂涂覆三防漆,生产厂商无需将板子发送至分包商进行清洗喷漆,可缩减库存成本、缩短交付周期和降低总体拥有成本。  Power Integrations所使用的是高级丙烯
  • 关键字: Power Integrations  IGBT  

中科院院士王曦带领团队制备国际一流的SOI晶圆片

  •   在许多人眼中,中科院院士、中科院上海微系统与信息技术研究所所长王曦既是一位具有全球视野的战略科学家,也是一位开拓创新而又务实的企业家。他带领团队制备出了国际最先进水平的SOI晶圆片,解决了我国航天电子器件急需SOI产品的“有无”问题,孵化出我国唯一的SOI产业化基地。   他在上海牵头推进了一批半导体重大项目——12英寸集成电路硅片项目有望填补我国大尺寸硅片产业空白。3月23日,王曦荣获上海市科技功臣奖。   从下围棋中得到启发   空间辐射会对卫
  • 关键字: SOI  

Power Integrations推出输出规格可动态设定的离线式开关电源IC,全面支持USB PD 3.0 + PPS快充

  •   致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日发布InnoSwitch3-Pro系列可设定恒压/恒流及恒功率输出特性的离线反激式开关电源IC。新器件可提供65 W的输出功率,并且在各种输入电压及负载条件下均可提供94%的高效性能。另外,通过简单的双线I2C接口可以对输出电压及电流进行精确的动态阶跃控制(电压阶跃步长为10 mV,电流阶跃步长为50 mA)。新器件可与微控制器配合工作,也可根据系统CPU的指令来控制和监测
  • 关键字: Power Integrations  开关电源  

Power Integrations推出LYTSwitch-6 LED驱动器IC,可实现高效率和极低待机功率

  •   高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的业界领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出LYTSwitch™-6系列安全隔离型LED驱动器IC,为智能照明应用再添新选择。新IC可提供65 W无闪烁输出,效率可高达94%,并且待机功率低至15 mW,同时提供支持两级或单级PFC的配置选项。LYTSwitch-6 IC针对家用和商用照明以及薄型天花板凹槽灯应用而设计,其快速的动态响应性能可为并联LED灯串应用提供优异的交叉调整率
  • 关键字: Power Integrations  LED  

IBM公司宣称,POWER 9加InfiniBand的组合才是AI最优解

  •   IBM公司在本月早些时候于纽约召开的AI纽约峰会上指出,其POWER 9方案在支持AI以实现“认知”工作能力方面优于通用或专用型X86商业现成(简称COTS)工具。        蓝色巨人最近公布了一项“演示”,据称其能够利用自有专有服务器配合低延迟/高带宽技术接入FlashSystem阵列——例如PCIe Gen 4、EDR与QDR InfiniBand以及NVMe over Fabrics,从而在性能表现上
  • 关键字: IBM  POWER 9  

Power Integrations推出全新5A峰值电流门极驱动器,可降低系统复杂度及成本

  •   中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations今日推出SCALE-iDriver™ IC家族最新成员SID1102K —— 采用宽体eSOP封装的单通道隔离型IGBT和MOSFET门极驱动器。新器件具有5 A峰值驱动电流,在不使用推动级的情况下可驱动300 A开关器件;可以使用外部推动级以高性价比的方式将门极电流增大到60 A峰值。该器件可同时为下管和上管推动级MOSFET开关提供N沟道驱动,从而降低系统成本、减小开
  • 关键字: Power Integrations  IGBT  

Power Integrations推出无需中线连接的墙壁开关方案,可实现对智能家居照明的无线控制

  •   高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的世界领导者Power Integrations今日发布一款全新的参考设计DER-622。这是一款可兼容住宅改造中最常见的布线条件的智能墙壁开关。  通常,具备无线连接、人体感应传感和/或语音控制功能的智能墙壁开关都需要中线连接为装置供电,这种要求在对现有线路进行改造的情况下有时难以满足。无中线产品适用于旧有的白炽灯泡照明应用,这是由于智能开关处于待机模式时其允许通过的泄漏至负载的交流输入电流较小,不足以加热白炽灯泡的灯丝。然而,对于LED灯和紧凑型荧光灯
  • 关键字: Power Integrations  DER-622  

Power Integrations推出无需中线连接的墙壁开关方案, 可实现对智能家居照明的无线控制

  •   高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的世界领导者Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布一款全新的参考设计DER-622。这是一款可兼容住宅改造中最常见的布线条件的智能墙壁开关。  通常,具备无线连接、人体感应传感和/或语音控制功能的智能墙壁开关都需要中线连接为装置供电,这种要求在对现有线路进行改造的情况下有时难以满足。无中线产品适用于旧有的白炽灯泡照明应用,这是由于智能开关处于待机模式时其允许通过的泄漏至负载的交流输入电流较小,不足以加热白炽灯泡的灯丝。然而,对于L
  • 关键字: Power Integrations  DER-622  

Power Integrations在马来西亚设立生产支持与研发中心,

  •   致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司宣布在马来西亚槟城设立新的分支机构。新机构将充当生产支持与研发中心,以及公司管理亚洲供应链的运营枢纽。槟城分机机构的设立可进一步扩大Power Integrations在全球的业务版图,包括我们在美国硅谷(也是总部所在地)、加拿大、瑞士和英国的研发中心,以及在菲律宾和德国的设计支持中心,还有全球19个现场实验室。槟城分支机构已于本月初正式开业,开业仪式由槟城首席部长林冠英主持。  Power&nb
  • 关键字: Power Integrations  

格芯推出面向下一代移动和5G应用的8SW RF-SOI技术

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出业内首个基于300毫米晶圆的RF SOI代工解决方案。8SW SOI技术是格芯最先进的RF SOI技术,可以为4G LTE以及6GHz以下5G移动和无线通信应用的前端模块(FEM)带来显著的性能、集成和面积优势。  格芯全新的低成本、低功耗、高度灵活8SW的解决方案可以在300毫米生产线上制造具有出色开关性能、低噪声放大器(LNA)和逻辑处理能力的产品。与上一代产品相比,该技术可以将功耗降低至70%,实现更高的电
  • 关键字: 格芯  RF-SOI  

格芯CEO:FD-SOI是中国需要的技术

  •   5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时,FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显,人们对SOI技术的关注也与日俱增。  9月26日,第五届上海FD-SOI论坛成功举办。格芯CEO 桑杰·贾(Sanjay Jha)亲临现场,发表主题为「以SOI技术制胜(Winning with SOI)」的演讲,阐述了格芯如何利用FDX®平台推进SOI技术的发展,介绍公司最新技术成果的同时也总结了SOI技术的现状,并畅想了产业的未来。  关于
  • 关键字: 格芯  FD-SOI  

格芯发布基于领先的FDX™ FD-SOI技术平台的毫米波和射频/模拟解决方案

  •   格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK(22FDX®-rfa)解决方案,以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信以及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK(22FDX®-mmWave)解决方案。  该两种解决方案都基于格芯的22纳米FD-SOI平台,该平台将高性能射频、毫米波和高密度数字技术结合,为集成单芯片系统解决方案提供支持。该技术在低电流密度和高电流密度的应用中都可以实现最高特征频率和最高振荡频率,适用于对性能和功耗都有超高要求的应用,
  • 关键字: 格芯  FD-SOI  
共390条 10/26 |‹ « 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 » ›|

power-soi介绍

您好,目前还没有人创建词条power-soi!
欢迎您创建该词条,阐述对power-soi的理解,并与今后在此搜索power-soi的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473