- 最先进的电子硬件在大数据革命面前都显得有些“捉襟见肘”,这迫使工程师重新思考微芯片的几乎每一个方面。随着数据集的存储、搜索和分析越来越复杂,这些设备就必须变得更小、更快、更节能,以跟上数据创新的步伐。铁电场效应晶体管(FE-FETs)是应对这一挑战的最有趣的答案之一。这是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质,在其中植入场效应和电荷积累,实现了长期稳定的记忆效应。与传统存储器相比,它具有低功耗、高速度、高密度等优势。因此,一个成功的FE-FET设计可以大大降低传统器件的尺寸和能量使
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半导体芯片 FE-FET
- Flex Power Modules宣布推出新产品BMR511,这是一款适用于电压调节模组(VRM)解决方案的两相功率级。BMR511是无卤产品,其占用面积仅为0.9 cm2/0.14 in2,高度为8 mm/0.31 in,可提供LGA或焊料凸点端接,并针对底部冷却进行了优化,作为对之前发布的对顶部冷却进行优化的BMR510产品的补充。BMR511在5 -15 V输入电压范围内运行,提供0.5 – 1.8 V的可调节输出电压,可通过用户自定义的外部控制器以三态脉宽调制(PWM)输入进行设置。每个模组可提
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140A峰值电流 VRM功率级产品 Flex Power Modules
- 介绍本应用笔记介绍了基于新型 L4985 连续导通模式的演示板 EVL4985-350W (CCM) 功率因数控制器 (PFC),并介绍了其台架评估的主要结果。该板实现了350W,宽范围输入 PFC 预调节器,适用于从 150 W 到数 kW 的所有 SMPS,必须符合 IEC61000-3-2 和JEITA-MITI 标准。由于 L4985 上嵌入了专利控制,该设计的主要特点是输入电流失真极低(THD)在所有工作条件下,并且外部元件数量非常有限,如高压启动电路和X-cap 放电电路嵌入在 L4985 中
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ST Power PFC CCM l4985a
- 简介 本文旨在介绍 安森美 (onsemi) 的在线 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技术优势,提供有关如何使用在线工具和可用功能的更多详细信息。我们首先介绍一些与 SPICE 和 PLECS 模型有关的基础知识,接下来介绍开关损耗提取技术和寄生效应影响的详细信息,并介绍虚拟开关损耗环境的概念和优势。该虚拟环境还可用来研究系统性能对半导体工艺变化的依赖性。最后,本文详细介绍对软硬开关皆适用的 PLE
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安森美 Elite Power 仿真工具 PLECS 模型自助生成工具
- 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓(GaN)功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用,适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑,加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。 不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路,Transphorm 的 SuperG
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Transphorm SuperGaN FET 驱动器
- 概述Power Stage Designer 是一款基于 Java 的工具,可根据用户输入计算 21
种拓扑的电压和电流,有助于加快电源设计。另外,Power Stage Designer
包含波特图绘图工具和具有各种功能的实用工具箱,让电源设计更简单。这款工具可以非常快速地开始全新的电源设计,因为所有计算都是实时执行的。·“Topology”窗口 – 根据输入参数提供拓扑信息和元件波形·Loop Calculator – 有助于确定不同拓扑的补偿网络·Load Step Calculator –
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TI 开关模式电源 Power Stage Designer
- Silver 是大联大世平集团推出的一款车载 50W 无线充电器解决方案,它集成了车载中功率无线发射器控制芯片 CPSQ8100,主控 MCU NXP S32K144,数字控制式 Buck-Boost MPQ4214,符合 Qi1.3 标准的加密 IC,NFC 控制 IC 等。只要是通过 Qi-BPP、Qi-EPP 认证,或支持最高 50W 私有协议快充的手机,都可无障碍使用本方案板无线充电。本方案在 50W 快充的基础上,优化了充电区域和充电距离(Coil to Coil
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CPS Wireless Power Auto 车用 华为 TX Automotive S32K OTA WPC
- 碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管,但需要使用低热阻封装,比如 TO-247。然而,此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文,了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布,该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商,它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、
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Qorvo 开尔文 FET
- Flex Power Modules,其1/4砖非隔离式DC/DC转换器系列引入了一款新产品,可将功率密度提升至新的水平。这款BMR351具有40-60 V的输入电压范围,并提供标称值为12.2 V的非隔离但完全稳压的输出电压。其额定输出电流为连续136 A(最大1600 W),并可在长达500 ms下输出峰值电流200 A(最大2320 W)。该转换器拥有极高的效率水平,峰值超过 98%,在54 Vin和半负载下的典型值为97.8%。BMR351转换器使用下垂负载并联技术以获取更高功率,它还包含一个用于
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Flex Power Modules 1/4砖型 DC/DC转换器
- 基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186,这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。EPC9186在每个开关位置使用四个并联的EPC2302,可提供高达200 Apk的最大输出电流。EPC9186包含所有必要的关键功能电路
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EPC GaN FET ARMS 电机驱动器
- 奈梅亨,2023年5月10日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件,从GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia E-mode GAN FET
- 德国纽伦堡,PCIM 2023 – 2023年5月9日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出SCALE-iFlex™ LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块,例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2,以及耐压在2300V以内的碳化硅(SiC)衍生模块。SCALE-iFlex LT NTC驱动器可提供负温度系数
- 关键字:
Power Integrations IGBT SiC模块 门极驱动器
- 十多年来,德州仪器 (TI) 的 Power Stage Designer™ 工具一直是一款出色的设计工具,可协助电气工程师计算不同电源拓扑的电流和电压。我认为,利用这款工具可以轻松开始全新的电源设计,因为它可以实时执行各种计算,并为您提供直接反馈。 我们最新版本的 Power Stage Designer 在其现有功能集之上添加了一个新拓扑和两个新的设计功能,可帮助您进一步缩短开发电源的设计时间。 新工具包含场效应晶体管 (FET) 损耗计算器、并联电容器的电流共享计算器、交流/直流
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Power Stage Designer 德州仪器
- 1.简介VCORE稳压器用于为台式机,笔记本PC,服务器,工业PC等计算应用中的CPU内核和图形(GPU)内核提供电源。这些电源的要求与标准POL稳压器有很大不同:CPU和GPU轨具有极快的负载变化,需要高精度的动态电压定位,需要负载线,可以在几种省电状态之间切换,并提供各种参数感测和监视。这些系统利用CPU和稳压器之间的串行总线接口,其中CPU将根据CPU负载和工作模式请求不同的电源工作条件。由于CPU电源轨的电流水平很高,VCORE稳压器通常由控制器和外部功率级组成。低功耗CPU可以使用单相降压转换器
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Richtek RT8894A AMD AM4 Vcore power
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