移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构,这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示:“我们通过
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Mentor P Qorvo SiC FET
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构,这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示:“我们通过
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SiC FET
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations近日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块,其应用范围包括电动汽车、混合动力和燃料电池汽车(包括巴士和卡车)以及建筑、采矿和农用设备的大功率汽车和牵引逆变器。SCALE EV板级门极驱动器内部集成了两个增强型门极驱动通道、相关供电电源和监控遥测电路。新驱动板已通过汽车级认证和ASIL B认证,可实现AS
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Power Integrations IGBT SiC 模块驱动器 SCALE EV PI
在电动汽车的牵引逆变器中,供电分为12V低压电源和400/800V高压供电。其中高压供电送至牵引逆变器,进行DC-AC逆变,产生三相交流电,驱动电机旋转。逆变器通常提供90-250KW的输出功率。其中400V电压的电池组,主要在过去的电动汽车中使用,受电流限制,充电速率和输出功率较低。
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牵引逆变器 PI Power Integrations
2020年11月30日,在中国国际汽车电子高峰论坛上,Power Integrations大功率FAE经理王强作主题演讲——《提高牵引逆变器安全可靠性的IC解决方案》,重点介绍了如何借助Power Integrations的IC解决方案打造更安全可靠的电动汽车牵引逆变器。
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牵引逆变器 PI Power Integrations
基础半导体器件领域的专家Nexperia,今日宣布将于9月21日至23日举办‘Power Live’,这是其第二次举办此年度虚拟会议。鉴于去年首届活动取得圆满成功,本届为期三天的活动将扩大规模,涵盖与功率电子元件相关的众多主题,包括面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管。 会议重点将包括:l MOSFET全电热模型Nexperia新款MOSFET电热模型的详细预览,该模型可以在仿真中准确呈现器件的静态和动态特性,并降低在设计过程后期发现EMC问题的风险。 l
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Nexperia Power Live
图腾柱PFC电路能显著改善交流输入转换器的效率,但是主流半导体开关技术的局限性使其不能发挥全部潜力。不过,SiC FET能突破这些局限性。本文介绍了如何在数千瓦电压下实现99.3%以上的效率。正文交流输入电源的设计师必须竭力满足许多要求,包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他们通常需要进行权衡取舍,一个好例子是既要求达到服务器电源的“钛”标准等能效目标,又要用功率因素校正(PFC)将线路谐波发射保持在低水平,以帮助电网可靠高效地运行。在大部分情况下,会通过升压转换器部分实施PFC,升压转换器会将整流后
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SiC FET PFC
InnoSwitch3-AQ IC的效率高达90%,空载功耗低至15mW,并且可为400V和800V电池提供更大的电压裕量 2021年5月14日讯–深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布,其汽车级InnoSwitch™3-AQ反激式开关IC系列又增一款新品,它可提供900V额定开关,为400V和800V电动汽车逆变器、电池管理和恒温控制应用提供充足裕量。InnoSwitch3-AQ产品系列将初级和次级控制器以及符合安全
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Power Integrations InnoSwitch3-AQ 反激式开关
2021年5月14日讯–深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出一款新型支持130x140mm单通道IGBT大功率(IHM)模块的新款SCALE-2门极驱动器,可广泛用于轨道交通和其他长期应用。新型SCALE-2即插即用型门极驱动器包含1SP0630V2M1R主驱动器、1SP0635D2S1R外围驱动器和ISO6125R-33电源,它不仅能简化系统开发和安装过程,还可在需要多模块并联的大功率应用系统中极大地提高电气和机械设计简便性和灵活性。 Pow
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Power Integrations 轨道交通 门极驱动器
GaN(氮化镓)作为新一代半导体材料,正有越来越广泛的应用。近日,德州仪器(TI)宣布其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的GaN FET,分别面向车用充电器和工业电源,可以实现2倍的功率密度和高达99%的效率。TI如何看待GaN在汽车和工业方面的机会?此次GaN FET的突破性技术是什么?为此,电子产品世界记者线上采访了TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom。TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom1 GaN在电源领
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GaN FET SiC
Power Integrations推出全新MinE-CAP IC,可将AC-DC变换器的体积最多缩小40%
全新的MinE-CAP器件可大幅缩小输入大容量电容的尺寸,减小高达95%的浪涌电流,无需NTC热敏电阻并且避免相关损耗
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Power Integrations AC-DC变换器
严苛的汽车和工业环境中的噪声敏感型应用需要适用于狭小空间的低噪声、高效率降压稳压器。通常会选择内置MOSFET功率开关的单片式降压稳压器,与传统控制器IC和外部MOSFET相比,这种整体解决方案的尺寸相对较小。可在高频率(远高于AM频段的2 MHz范围内)下工作的单片式稳压器也有助于减小外部元件的尺寸。此外,如果稳压器的最小导通时间(TON)较低,则无需中间稳压,可直接在较高的电压轨上工作,从而节约空间并降低复杂性。减少最小导通时间需要快速开关边沿和最小死区时间控制,以有效减少开关损耗并支持高开关频率操作
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EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
适合纯电动汽车和插电式混合动力汽车应用的InnoSwitch3-AQ已通过Q100认证;可在30 V至550 V直流输入下高效工作。深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations今天宣布InnoSwitch™3-AQ已经开始量产,这是一款已通过AEC-Q100认证的反激式开关IC,并且集成了750 V MOSFET和次级侧检测功能。新获得认证的器件系列适用于电动汽车应用,如牵引逆变器、OBC(车载充电机)、EMS(能源管理DC/DC母线变换器)和BMS(电池管理系统)。
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Power Integrations InnoSwitch3-AQ 电动汽车 混合动力汽车
离线电源是最常见的电源之一,也称为交流电源。随着旨在集成典型家用功能的产品数量的增加,对所需输出能力小于1瓦的低功率离线转换器的需求也越来越大。对于这些应用程序,最重要的设计方面是效率、集成和低成本。在决定拓扑结构时,反激通常是任何低功耗离线转换器的首选。但是,如果不需要隔离,这可能不是最好的方法。假设终端设备是一个智能灯开关,用户可以通过智能手机的应用程序进行控制。在这种情况下,用户在操作过程中不会接触到暴露的电压,因此不需要隔离。对于离线电源来说,反激拓扑是一个合理的解决方案,因为它的物料清单(BOM
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BOM FET VDD
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