- CISSOID,在高温半导体方案的领导者推出了一个行星家族(高温度晶体管及开关)的新成员.火星是一个高温度30V小讯号P-FET场效应管, 适合于-55 ° C至+225° C高温可靠运作. 由于它耐于极端温度,只有14pF的输入电容值及于+225° C下最高只有400nA闸极漏电流. 所以这30V晶体管非常适合于高温度传感器介面,例如压电传感器或保护放大器.
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CISSOID P-FET
- 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS产品,一款集成高压MOSFET并可实现功率因数校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用创新的控制方案,可提高轻载条件下的效率。此外,与使用分立式MOSFET和控制器的设计相比,HiperPFS器件能大幅减少元件数和缩小电路板占用面积,同时简化系统设计并增强可靠性。HiperPFS器件采用极为紧凑的薄型eSIPä封装,适合75 W至1 kW的PFC应用。
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Power Integrations HiperPFS
- 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日发布其广受欢迎的电源设计软件PI Expert Suite的最新版本V8。最新版软件能够大幅缩短首个原型的设计时间,显著减少在实现成品之前所需的原型迭代次数,从而进一步提高电源设计团队的工作效率。
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Power Integrations 电源设计软件
- PCB新手看过来]POWER PCB内层属性设置与内电层分割及铺铜 看到很多网友提出的关于POWER PCB内层正负片设置和内电层分割以及铺铜方面的问题,说明的帖子很多,不过都没有一个很系统的讲解。今天抽空把这些东西
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POWER PCB 内电层 分割
- IBM正在为Power处理器开发一种深休眠模式,该模式可以让芯片在空闲时几乎不耗费能源。IBM的Power7芯片已经有三种休眠模式,分别为 nap,sleep和heavy sleep。这三种模式是否执行或执行哪种方式由当时处理器的负载和某应用程序能容忍多大的延迟来决定。
这种新的休眠模式会几乎完整的切断处理器的电源,同理,从该模式恢复过来的时间也比较长,大约10到20毫秒。
IBM已将这种模式定名为“Winkle”。但哪款芯片将采用新的休眠模式还未可知,官方也没有更
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IBM Power 处理器
- 图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET 关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压 (Vreset) 以上,因
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进行 缓冲 电压 关断 转换器 FET 如何
- MOS-FET虽然与JFET结构不同,但特性极为相似,N沟道和P沟道各分增强型和耗尽型,可在许多电路中代替J-FET,如图5.4-97所示,电路用MOS-FET代替J-FET更简单,如衅5.4-100所示短路开关对应图5.4-96中的A、C、D三个电路
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MOS-FET 开关电路
- 1、简单开关控制电路图5.4-97为简单J-FET开关电路。当控制电压VC高于输入电压V1时,VGS=0,J-FET导通,传输信号至VO;当VC比V1足够负,VD导通而J-FET截止,VO=0。2、改进的J-FET开关电路图5.4-98电路是图5.4-97电路的
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J-FET 开关电路 工作原理
- 电路的功能场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别,所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级,但一个等级内仍有差别,如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时,
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VOO 检验 VP FET 结合 使用 万用表
- 电路的功能定时器专用IC有NE555和C-MOS单稳态多批振荡器4538B等。然后用FET输入型OP放大器也可用途长时间定时电路。本电路采用其他模拟电路中使用的双OP放大器余下的一个来组成定时器,这样可以减少IC的数量,事先了
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FET 输入 OP放大器 模拟定时电路
- 电路的功能本电路是一种使用双FET的2象限乘法电路最大输入电压为10V,2象限乘法运算与幅度调制(AM)等效,可作为低频调制电路使用。电路工作原理本电路利用了FET的沟道电阻变化,以TT15、TT16特性相同为前提条件,O
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VCA FET 幅度调制 乘法运算电路
- 电路的功能在VCA(电压控制放大器)。由反馈环路组成电路时,通过控制反正电压来改变放大器增益。所以传统的作法是利用二极管的单向特性或采用CDS光耦合器。而在本电路中,是利用栅极源极之间的电压使沟道电阻发生变
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FET 结型 电压控制 放大器
- Vishay在官方网站上发布Power Metal Strip®分流电阻如何应用在定制产品中的解决方案的视频介绍
宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,为帮助客户了解如何将Vishay Dale电阻技术用于定制产品,满足特定用户的需求,Vishay在其网站(http://www.vishay.com)新增加了一个介绍Power Metal Stri
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Vishay Power Metal Strip 分流电阻
- 在近日举办的国际固态电路研讨会ISSCC上,IBM公司介绍了一种定位介于服务器处理器和网络用处理器之间的新型处理器,他们将这种处理器命名为 Wire-Speed Power处理器,这种处理器据IBM公司称是面向新的系统级产品市场推出的,其应用领域包括网络边缘设备,服务器智能化I/O以及分布式运算等。
IBM公司负责wire-speed架构设计的首席设计师Charlie Johnson表示:“我认为这款产品是IBM有史以来开发的最复杂的产品。”IBM方面展示的有关介绍文件称
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IBM 处理器 Wire-Speed Power
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